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本发明提供一种近红外探测器件，包括：衬底，包括掺杂区域和非掺杂区域，所述衬底的材料包括锑化镓，所述掺杂区域设置于衬底表面，并从衬底表面向下延伸至第一深度，所述掺杂区域所掺杂的离子包括锗和/或硅离子，所述非掺杂区域为所述衬底去除所述掺杂区域的...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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