显示装置及电子设备制造方法及图纸

提供了一种显示装置，利用该显示装置可以抑制发生在相邻子像素之间的驱动电流泄漏。该显示装置设置有：第一电极层，包括二维布置的多个电极；第二电极层，被设置成面向第一电极层；设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及设置在相邻电极之间的绝缘层。电致发光层设置有空穴传输层，空穴传输层与绝缘层相邻。绝缘层与空穴传输层之间的界面处的能级E

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及电子设备


[0001]本公开涉及显示装置和包括该显示装置的电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，作为有机电致发光(EL)显示装置(以下简称为“显示装置”)，已经提出了具有所有子像素共用的有机层的装置。然而，在具有这种配置的显示装置中，驱动电流的泄漏可能发生在相邻子像素之间。因此，已经提出了一种用于防止驱动电流在相邻子像素之间泄漏的技术(例如，参见专利文献1)。
[0003]引用列表
[0004]专利文件
[0005]专利文献1：WO 2020/111202单行本

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]如上所述，近年来，在具有对所有子像素共用的有机EL层的显示装置中，期望用于防止在相邻子像素之间产生的驱动电流的泄漏的技术。
[0008]本公开的目的是提供一种能够防止在相邻子像素之间产生驱动电流的泄漏的显示装置以及包括该显示装置的电子设备。
[0009]解决问题的方法
[0010]为了实现上述目的，第一种公开是一种显示装置，包括：
[0011]第一电极层，具有二维布置的多个电极；
[0012]第二电极层，被设置为面向所述第一电极层；
[0013]设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及
[0014]绝缘层，被设置在彼此相邻的电极之间，其中
[0015]所述电致发光层包括空穴传输层，所述空穴传输层与所述绝缘层相邻，以及
[0016]在所述绝缘层和所述空穴传输层之间的界面处的能级E
interface(1)
和所述空穴传输层的体相中的能级E
bulk(1)
满足以下公式(1)。
[0017]0≤E
bulk(1)
－E
interface(1)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(1)
[0018]第二公开是一种显示装置，包括：
[0019]第一电极层，具有二维布置的多个电极；
[0020]第二电极层，被设置为面向所述第一电极层；
[0021]设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及
[0022]绝缘层，被设置在彼此相邻的电极之间，其中
[0023]所述电致发光层包括空穴传输层，
[0024]所述空穴传输层至少包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述绝缘层相邻，并且
[0025]所述第一空穴传输层的体相的能级E
bulk(2a)
和所述第二空穴传输层的体相的能级E
bulk(2b)
满足下式(2)。
[0026]0≤E
bulk(2b)
－E
bulk(2a)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(2)
[0027]第三公开是一种显示装置，包括：
[0028]第一电极层，具有二维布置的多个电极；
[0029]第二电极层，被设置为面向所述第一电极层；
[0030]设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及
[0031]绝缘层，被设置在彼此相邻的电极之间，其中
[0032]所述电致发光层包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴注入层与所述绝缘层相邻，以及
[0033]所述空穴注入层与空穴传输层之间的界面处的能级E
intface(3)
和所述空穴传输层的体相中的能级E
bulk(3)
满足下式(3)。
[0034]0≤E
bulk(3)
－E
interface(3)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(3)
[0035]第四公开是一种显示装置，包括：
[0036]第一电极层，具有二维布置的多个电极；
[0037]第二电极层，被设置为面向所述第一电极层；
[0038]设置于第一电极层和第二电极层之间的电致发光层；以及
[0039]绝缘层，被设置在彼此相邻的电极之间，其中
[0040]所述电致发光层包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴注入层与所述绝缘层相邻，
[0041]所述空穴传输层至少包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层邻近所述空穴注入层，以及
[0042]所述第一空穴传输层的体相的能级E
bulk(4a)
和所述第二空穴传输层的体相的能级E
bulk(4b)
满足下式(4)。
[0043]0≤E
bulk(4b)
—E
bulk(4a)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(4)
附图说明
[0044]图1是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置的整体配置的实例的示意图。
[0045]图2是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置的配置的实例的截面图。
[0046]图3是表示有机EL层的构成的示例的截面图。
[0047]图4的A是示出在满足关系E
bulk(1)
－E
interface(1)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。图4的B是示出不满足关系E
bulk(1)
－E
interface(1)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。
[0048]图5是示出了根据本公开的第二实施方式的显示装置的配置的实例的截面图。
[0049]图6的A是示出在满足关系E
bulk(2b)
－E
bulk(2a)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。图6的B是示出不满足关系E
bulk(2b)
－E
bulk(2a)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。
[0050]图7是示出根据本公开的第三实施方式的显示装置的配置的实例的截面图。
[0051]图8的A是示出在满足关系E
bulk(3)
－E
interface(3)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。图8的B是示出不满足关系E
bulk(3)
－E
interface(3)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的
图。
[0052]图9是示出根据本公开的第四实施方式的显示装置的配置的实例的截面图。
[0053]图10的A是示出在满足关系E
bulk(4b)
－E
bulk(4a)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。图10的B是示出不满足关系E
bulk(4b)
－E
bulk(4a)
≤0.3eV的情况下的能量图的实例的图。
[0054]图11是示出模块的示意性配置的实例的平面图。
[0055]图12的A是示出数码相机的外观的实例的前视图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：第一电极层，具有二维布置的多个电极；第二电极层，设置为面向所述第一电极层；电致发光层，设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及绝缘层，设置在彼此相邻的所述电极之间，其中所述电致发光层包括空穴传输层，所述空穴传输层与所述绝缘层相邻，以及在所述绝缘层与所述空穴传输层之间的界面处的能级E
interface(1)
和所述空穴传输层的体相中的能级E
bulk(1)
满足下式(1)0≤E
bulk(1)
－E
interface(1)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(1)。2.一种显示装置，包括：第一电极层，具有二维布置的多个电极；第二电极层，设置为面向所述第一电极层；电致发光层，设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及绝缘层，设置在彼此相邻的所述电极之间，其中所述电致发光层包括空穴传输层，所述空穴传输层至少包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述绝缘层相邻，并且所述第一空穴传输层的体相的能级E
bulk(2a)
和所述第二空穴传输层的体相的能级E
bulk(2b)
满足下式(2)0≤E
bulk(2b)
－E
bulk(2a)
≤0.3 eV
ꢀꢀꢀ
(2)。3.一种显示装置，包括：第一电极层，具有二维布置的多个电极；第二电极层，设置为面向所述第一电极层；电致发光层，设置于所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及绝缘层，设置在彼此相邻的所述电极之间，其中所述电致发光层包括空穴传输层和空穴注入层，所述空穴注入层与所述绝缘层相邻，以及在所述空穴注入层与所述空穴传输层之间的界面处的能级E...

【专利技术属性】
技术研发人员：须佐纮子，塚本竹雄，君岛美树，渡部彰，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：