【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及例如基于像素到像素执行模数转换的摄像装置，以及包括该摄像装置的电子设备。
技术介绍
1、例如，专利文献1公开了一种包括相关双采样电路、时间延迟积分帧存储器和tdi电路的固体成像传感器。相关双采样电路生成排列有预定数量行的帧，各行包括多个数字信号。tdi帧存储器保存早于第k帧生成的第k-1帧(k是整数)。tdi电路执行tdi处理，tdi处理将第k帧内预定地址处的行与距第k-1帧内预定地址一定距离的行相加。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本待审查专利申请公开第2021-34862号
技术实现思路
1、现在，在用作线性传感器的摄像装置中，需要降低芯片成本和功耗。
2、因此，期望提供一种能够降低芯片成本和功耗的摄像装置和电子设备。
3、根据本公开的一个实施方案的摄像装置包括：一个或多个光接收像素，其通过光电转换生成与接收到的光量相对应的电荷；一个或多个模数转换电路，其针对各个所述光接收像素设置并且将从所述一个或多个光接收像素中的各者读取的模拟信号转换为数字信号；以及多个，各像素单元包括所述一个或多个光接收像素和所述一个或多个模数转换电路。所述多个像素单元布置为使所述一个或多个光接收像素在第一方向上彼此相邻的两个像素单元中彼此相邻。
4、根据本公开的一个实施方案的电子设备包括根据本公开的一个实施方式的上述摄像装置。
5、在根据本公开的一个实施方案的摄像装置和根据一个实施方案的电子
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1.一种摄像装置，包括：
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在平面图中，包括所述一个或多个模数电路的至少一部分的电路部与所述一个或多个光接收像素平行设置。
4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电路部在所述第一方向上与所述一个或多个光接收像素平行设置。
5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述多个像素单元进一步设置为使所述一个或多个光接收像素在与所述第一方向正交的第二方向上彼此相邻。
6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，在与所述第一方向正交的所述第二方向上，所述多个像素单元进一步设置为向所述第一方向偏移构成所述多个像素单元的所述一个或多个光接收像素的量。
7.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电路部在与所述第一方向正交的第二方向上与所述一个或多个光接收像素平行设置。
8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，在与所述第一方向正交的所述第二方向上，所述多个像素单元进一步设置为向所述第一方向偏移构成所述多个像素单元的所述一个或多个光接收像
9.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述多个像素单元中的所述一个或多个模数电路的形成面积是所述光接收像素的形成面积的1/2或整数倍。
10.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述光接收像素还包括：光接收部，其通过光电转换生成与接收到的光量相对应的电荷；两个第一传输晶体管，其将在所述光接收部中生成的所述电荷传输至由所述两个像素单元共用的两个所述浮动扩散层中；以及像素电路，其将基于所述电荷的像素信号输出至所述模数转换电路。
11.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，所述像素电路还包括放电晶体管，所述放电晶体管在任意时刻对所述光接收部进行复位。
12.根据权利要求3所述的摄像装置，包括：
13.根据权利要求12所述的摄像装置，其中
14.根据权利要求13所述的摄像装置，其中
15.根据权利要求14所述的摄像装置，其中
16.根据权利要求1所述的摄像装置，还包括信号处理器，所述信号处理器对针对各个所述光接收像素获得的多个所述数字信号执行延时相加处理。
17.一种电子设备，包括摄像装置，所述摄像装置包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种摄像装置，包括：
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在平面图中，包括所述一个或多个模数电路的至少一部分的电路部与所述一个或多个光接收像素平行设置。
4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电路部在所述第一方向上与所述一个或多个光接收像素平行设置。
5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，所述多个像素单元进一步设置为使所述一个或多个光接收像素在与所述第一方向正交的第二方向上彼此相邻。
6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，在与所述第一方向正交的所述第二方向上，所述多个像素单元进一步设置为向所述第一方向偏移构成所述多个像素单元的所述一个或多个光接收像素的量。
7.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，所述电路部在与所述第一方向正交的第二方向上与所述一个或多个光接收像素平行设置。
8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，在与所述第一方向正交的所述第二方向上，所述多个像素单元进一步设置为向所述第一方向偏移构成所述多个像素单元的所述一个或多个光接收像素的量。
【专利技术属性】
技术研发人员：町田贵志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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