量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种量子点，包括量子点核/第1壳层/

【技术实现步骤摘要】
量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种量子点、包括所述量子点的量子点组合物、发光二极管及显示装置。

技术介绍

[0002]量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，例如用于量子点发光二极管(QLED)的发光层材料。与有机电致发光二极管(OLED)相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势。
[0003]在量子点发光二极管中，存在发光层的电子和空穴注入不平衡的问题，例如电子注入多于空穴注入(即电子过量)，而电子和空穴不平衡会致使量子点处于带电状态，而带电的量子点会产生非辐射俄歇复合，最终导致量子点发光二极管的寿命较短。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种量子点，旨在改善现有的量子点用于量子点发光二极管时量子点发光二极管寿命较短的问题。
[0005]本申请实施例是这样实现的，一种量子点，所述量子点的结构包括量子点核/第1壳层/
······
/第n壳层，其中，n为大于等于1的整数，所述第1壳层的材料为ZnSe，且所述量子点核与第1壳层之间、以及相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核中的阳离子同时包含Zn及Cd，所述量子点核中的阴离子选自Te、Se及S中的至少一种。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核中同时包含Zn及Cd，且Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～60％；和/或
[0008]所述量子点核中同时包含Se和S，且Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的50～95％。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n为3。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n的范围为1≤n≤5。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的量子点核及各壳层的禁带宽度Eg满足：Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
······
＜Eg
第n壳层
。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核的禁带宽度的范围为1.9～2.75eV。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点中，除第1壳层以外的壳层的材料选自中分别独立包含Zn、Cd中的至少一种，并分别独立包含Te、Se及S中的至少一种。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点选自CdZnSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS、CdZnSeS/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、或CdZnSe/ZnSe/CdZnSeS/CdZnS/ZnS。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述CdZnSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的55～65％；第2壳层CdZnSeS中，Se的摩尔量为Se
与S总摩尔量的45～55％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为2～3％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为2.5～3.5％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为3～4％；或者
[0016]所述CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的30～40％；第2壳层CdZnS中Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的18～22％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为1.2～1.8％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为3.2～3.8％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为1.5～2.3％；或者
[0017]所述CdZnSeS/ZnSe/ZnSeS/ZnS的量子点核CdZnSeS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的12～18％，Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的80
‑
88％；第2壳层ZnSeS中Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的45～55％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为3.2～3.7％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为2.3～2.8％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为1.8～2.2％；或者
[0018]所述CdZnSe/ZnSe的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的48～53％，量子点核与第1壳层的晶格失配度为1.6～2.2％；或者
[0019]所述CdZnSe/ZnSe/CdZnSeS/CdZnS/ZnS的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的38～43％；第2壳层CdZnSeS中Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的28～33％，Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的48～52％；第3壳层中Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的28～32％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为0.8～1.2％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为2.3～2.8％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为1.3～1.7％，第3壳层与第4壳层的晶格失配度为1.8～2.3％。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的粒径范围为10～20nm。
[0021]相应的，本申请实施例还提供一种量子点组合物，包括溶剂，所述量子点组合物还包括上述量子点。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述溶剂为正辛烷。
[0023]相应的，本申请实施例还提供一种发光二极管，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，所述发光层包括上述量子点。
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极及所述阴极分别独立的材料选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；所述金属单质电极的材料选自Ag、Al、Au、Pt、Ca及Ba中的至少一种。
[0025]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光二极管。
[0026]本申请所述的量子点的第1壳层的材料为ZnSe，所述第1壳层有利于空穴注入量子点核内并限制电子注入量子点核内，使得注入至量子点核内的辐射复合发光的载流子趋于平衡，避免过量的电子使量子点处于带电状态，产生非辐射俄歇复合而淬灭，从而提高使用所述量子点制备的发光二极管的发光效率及寿命。进一步，所述量子点的量子点核与第1壳层之间、以及相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％，可以使得所述量子点中相邻的核与壳之间、以及相邻的壳与壳之间具有较少的界面缺陷，从而减少晶格应力所导致的在界面缺陷处形成的非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点，其特征在于：所述量子点的结构包括量子点核/第1壳层/
······
/第n壳层，其中，n为大于等于1的整数，所述第1壳层的材料为ZnSe，且所述量子点核与第1壳层之间、以及相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点核中的阳离子同时包含Zn及Cd，所述量子点核中的阴离子选自Te、Se及S中的至少一种。3.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点核中同时包含Zn及Cd，且Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～60％；和/或所述量子点核中同时包含Se和S，且Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的50～95％。4.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述n为3。5.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述n的范围为1≤n≤5。6.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点的量子点核及各壳层的禁带宽度Eg满足：Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
······
＜Eg
第n壳层
。7.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点核的禁带宽度的范围为1.9～2.75eV。8.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点中，除第1壳层以外的壳层中分别独立包含Zn、Cd中的至少一种，并分别独立包含Te、Se及S中的至少一种。9.如权利要求1所述的量子点，其特征在于：所述量子点选自CdZnSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS、CdZnSeS/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、或CdZnSe/ZnSe/CdZnSeS/CdZnS/ZnS。10.如权利要求9所述的量子点，其特征在于：所述CdZnSe/ZnSe/ZnSeS/ZnS的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的55～65％；第2壳层CdZnSeS中，Se的摩尔量为Se与S总摩尔量的45～55％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为2～3％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为2.5～3.5％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为3～4％；或者所述CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS的量子点核CdZnSe中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的30～40％；第2壳层CdZnS中Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的18～22％；量子点核与第1壳层的晶格失配度为1.2～1.8％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为3.2～3.8％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为1.5～2.3％；或者所述CdZnSeS/Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：