纳米颗粒、纳米颗粒组合物、发光二极管及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种纳米颗粒，包括核/第1壳层/

【技术实现步骤摘要】
纳米颗粒、纳米颗粒组合物、发光二极管及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种纳米颗粒、包括所述纳米颗粒的纳米颗粒组合物、发光二极管及显示装置。

技术介绍

[0002]量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，例如用于量子点发光二极管(QLED)的发光层材料。与有机电致发光二极管(OLED)相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势。
[0003]在量子点发光二极管中，存在发光层的电子和空穴注入不平衡的问题，例如电子注入多于空穴注入(即电子过量)，而电子和空穴不平衡会致使量子点处于带电状态，而带电的量子点会产生非辐射俄歇复合，最终导致量子点发光二极管的寿命较短。
[0004]此外，现有的量子点的荧光效率还不够高，导致发光二极管的效率较低。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种纳米颗粒，旨在改善现有的纳米颗粒荧光效率低的问题。
[0006]本申请实施例是这样实现的，一种纳米颗粒，所述纳米颗粒的结构包括核/第1壳层/
······
/第n壳层，相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核与第1壳层之间的晶格失配度小于等于5％。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n为大于等于2的整数，且所述纳米颗粒的第2壳层的材料为CdZnS。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～50％。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒的发光波长为647～760nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的25～50％；或者
[0011]所述纳米颗粒的发光波长为492～550nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的15～25％；或者
[0012]所述纳米颗粒的的发光波长为430～455nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～25％。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核的禁带宽度的范围为1.9～2.75eV；和/或
[0014]所述核及各壳层的禁带宽度Eg满足：Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
······
＜Eg
第n壳层
。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核及除所述第2壳层以外的壳层中分别独立包含Zn、Cd中的至少一种，并分别独立包含Te、Se及S中的至少一种。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒的第x壳层及第x+1壳层中同时
包含Cd及Zn，其中，1≤x＜n，第x+1壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比小于第x壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比，且所述核及各壳层的禁带宽度Eg满足Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
······
＜Eg
第n壳层
。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n大于2，所述纳米颗粒的第3壳层中包含Cd及Zn，第3壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比小于第2壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比，且第2壳层及第3壳层的禁带宽度满足Eg
第2壳层
＜Eg
第3壳层
；或者
[0018]所述n大于2，所述纳米颗粒的第3壳层的材料为ZnS，且第2壳层及第3壳层的禁带宽度满足Eg
第2壳层
＜Eg
第3壳层
。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述n的范围为1≤n≤5；优选的，所述n为3。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒选自CdSe/CdS/CdZnS/ZnS、CdSe/CdS/CdZnS、CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS或CdZnS/ZnSe/CdZnS/ZnS。
[0021]可选的，在本申请的一些实施例中，所述CdSe/CdS/CdZnS/ZnS的第二壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的22～27％，核与第1壳层的晶格失配度为3.7～4.3％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为1.8～2.2％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为2.4～2.8％；和/或
[0022]所述CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS的第二壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的18～22％，核与第1壳层的晶格失配度为1.9～2.3％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为2.8～3.2％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为2.4～2.7％；和/或
[0023]所述CdZnS/ZnSe/CdZnS/ZnS的第二壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的8～12％，核与第1壳层的晶格失配度为3.3～3.8％，第1壳层与第2壳层的晶格失配度为1.8～2.2％，第2壳层与第3壳层的晶格失配度为1.4～1.8％。
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米颗粒的粒径范围为10～20nm。
[0025]相应的，本申请实施例还提供一种纳米颗粒组合物，包括溶剂，所述纳米颗粒组合物还包括上述纳米颗粒。
[0026]相应的，本申请实施例还提供一种发光二极管，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，所述发光层包括上述纳米颗粒。
[0027]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极及所述阴极分别独立选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；所述金属单质电极的材料选自Ag、Al、Au、Pt、Ca及Ba中的至少一种。
[0028]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光二极管。
[0029]本申请的纳米颗粒相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％，可以使得所述纳米颗粒中相邻的壳层与壳层之间具有较少的界面缺陷，从而减少晶格应力所导致的在界面缺陷处形成非辐射复合中心，提升纳米颗粒的稳定性及荧光量子效率，进而提高
使用所述纳米颗粒制备的发光二极管的发光效率及寿命。此外，使用所述纳米颗粒制备的发光二极管的载流子注入平衡度较高，从而具有较高的发光效率及较长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米颗粒，其特征在于：所述纳米颗粒的结构包括核/第1壳层/
······
/第n壳层，相邻的壳层与壳层之间的晶格失配度均小于等于5％。2.如权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述核与第1壳层之间的晶格失配度小于等于5％。3.如权利要求1或2所述的纳米颗粒，其特征在于：所述n为大于等于2的整数，且所述纳米颗粒的第2壳层的材料为CdZnS。4.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于：所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～50％。5.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于：所述纳米颗粒的发光波长为647～760nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的25～50％；或者所述纳米颗粒的发光波长为492～550nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的15～25％；或者所述纳米颗粒的发光波长为430～455nm，所述第2壳层CdZnS中，Cd的摩尔量为Cd与Zn总摩尔量的10～25％。6.如权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于：所述核的禁带宽度的范围为1.9～2.75eV；和/或所述核及各壳层的禁带宽度Eg满足：Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
……
＜Eg
第n壳层
。7.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于：所述核及除所述第2壳层以外的壳层中分别独立包含Zn、Cd中的至少一种，并分别独立包含Te、Se及S中的至少一种。8.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于：所述纳米颗粒的第x壳层及第x+1壳层中同时包含Cd及Zn，其中，1≤x＜n，第x+1壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比小于第x壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比，且所述核及各壳层的禁带宽度Eg满足Eg
核
＜Eg
第1壳层
＜
……
＜Eg
第n壳层
。9.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于：所述n大于2，所述纳米颗粒的第3壳层中包含Cd及Zn，第3壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比小于第2壳层中的Cd摩尔量相对于Cd与Zn的总摩尔量的占比，且第2壳层及第3壳层的禁带宽度满足Eg
第2壳层
＜Eg
第3壳层
；或者所述n大于2，所述纳米颗粒的第3壳层的材料为ZnS，且第2壳层及第3壳层的禁带宽度满足Eg
第2壳层
＜Eg
第3壳层
。10.如权利要求3所述的纳米颗粒，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：