一种基于PI分析的芯片电源规划方法及相关装置制造方法及图纸

一种基于PI分析的芯片电源规划方法及相关装置，包括：获取芯片每层金属的电阻率信息；基于电阻率信息得到每一层金属线的方块电阻值，将每一层金属线的方块电阻值与该金属线长进行乘法运算，得到每段金属线的电阻值；通过每段金属线的电阻值得到第一层金属的中心点的工作电压值；第一层金属的中心点的工作电压值与输入工作电压进行多次比较，可得出该芯片电源规划的最优解。本发明专利技术在保证芯片供电充足的情况下，尽量节约了绕线资源，能够有效减小芯片面积。对于不同工艺与设计，此方法具有广泛的适用性。在优化电源规划的过程中优先减少次顶层电源绕线，有助于减小后期绕线的天线效应，实现芯片设计规则层面的收敛。实现芯片设计规则层面的收敛。实现芯片设计规则层面的收敛。

【技术实现步骤摘要】
一种基于PI分析的芯片电源规划方法及相关装置


[0001]本专利技术属于芯片电源规划
，特别涉及一种基于PI分析的芯片电源规划方法及相关装置。

技术介绍

[0002]一块芯片的设计过程需要经过芯片架构工程师进行芯片规格与架构的制定，前端工程师用硬件描述语言(HDL)对芯片功能进行寄存器转换级电路(Register Transfer Level)级别的描述，RTL代码经由验证工程师进行功能验证通过后，由后端工程师进行逻辑综合和最终的物理实现，最后导出一个GDS文件交由晶圆厂去进行芯片的生产和制造。
[0003]芯片的电源规划为集成电路于实体设计当中的一个重要步骤，为整个芯片提供均匀的供电网路，主要交由后端设计工程师来完成。芯片的电源规划会影响芯片整体的功耗，性能表现，以及功能是否正确。电源规划的总体步骤包括全局电源网络的连接、电源/地Pad规划、电源环的设计和电源条的设计。如果做电源规划的工程师经验不够丰富，电源规划不够完善，就容易出现电压降效应，电迁移效应，电源短路或者开路等问题，引起芯片性能不足等问题，严重则会导致芯片无法工作。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，包括：获取芯片每层金属的电阻率信息；基于电阻率信息得到每一层金属线的方块电阻值，将每一层金属线的方块电阻值与该金属线长进行乘法运算，得到每段金属线的电阻值；通过每段金属线的电阻值得到第一层金属的中心点的工作电压值；第一层金属的中心点的工作电压值与输入工作电压进行多次比较，可得出该芯片电源规划的最优解。2.根据权利要求1所述的一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，获取芯片每层金属的电阻率信息：通过芯片的Itf文件与Nxtgrd文件得到每层金属的电阻率信息，该信息以方块电阻的形式呈现；Itf文件为一种互联技术格式的文件，用于描述工艺信息且生成TLUPlus文件，TLUPlus是存储RC系数的二进制表格式；Nxtgrd文件由itf文件转换得到，为一种中间格式文件，包含了电容模型并记录每层金属线的电阻电容信息；Itf文件包含不同宽度值与金属线截面厚度值所对应的不同层金属线的方块电阻值。3.根据权利要求2所述的一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，将每一层金属线的方块电阻值与该金属线长进行乘法运算，得到每段金属线的电阻值：通过电源线宽度与截面厚度在Itf文件中查表得到每一层电源线的方块电阻值，将该值与该金属线长进行乘法运算，得到每段金属线的电阻值。4.根据权利要求3所述的一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，金属线长：在时序和功耗的约束条件下，将硬件描述语言转化为门级网表文件，综合得到的门级网表文件包含了所有标准库单元的面积信息，再通过与版图设计时预估的面积利用率做除法运算得到芯片核心区域的面积；该芯片核心区域的长宽通过核心区域面积与长宽比例推导而来；金属线长为一个完整电源排布的电源线的水平走线总长，即该芯片核心区域的长度值，电源线的竖直走线总长为该芯片核心区域的宽度值；面积利用率为标准库单元和硬核以及阻塞区域的面积之和，与芯片核心面积之比。5.根据权利要求1所述的一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，通过每段金属线的电阻值得到第一层金属的中心点的工作电压值：由节点电压法，支路电流法计算第一层金属的中心点的工作电压值，即第一层金属的中心电压VIR。6.根据权利要求1所述的一种基于PI分析的芯片电源规划方法，其特征在于，第一层金属的中心点的工作电压值与输入工作电压进行多次比较，可得出该芯片电源规划的最优解：顶层的金属走向方向是水平走线，依据芯片核心区域的面积大小和绕线方向，在最高两层金属进行电源线的排布；若得出的第一层金属的中心电压VIR等于输入工作电压的95...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁昊健，张予馨，
申请(专利权)人：叩持西安电子信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：