Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质，包括：对于Package的同一层：获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；根据封装Bump区域的S参数模型、SolderBall区域的S参数模型以及Q2D截面模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。本发明专利技术可以快速解决整个Package所有走线通道S参数模型抽取问题，同时保证得到的S参数和全波三维软件一次性抽取准确性完全一样，提高工程应用的准确性和效率。提高工程应用的准确性和效率。提高工程应用的准确性和效率。

【技术实现步骤摘要】
Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术属于芯片
，具体涉及一种Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]为获取芯片封装内部各走线通道的损耗数据，芯片厂商通常的做法是通过单位长度的损耗，按长度比例估算出Package内所有走线的损耗数据，这种方法只能得到一个损耗值，而表征系统性能的其它数据，如反射、阻抗等并不能体现出来，所以不能准确的表征Package的性能，另外Package内部的走线通道包含了Bump区域，走线加上下到Solder Ball的过孔三部分组成，随着SERDES速率的越来越高，芯片或者封装厂商如何向客户提供准确的包含各种长度走线的通道S参数的需求越来越大。
[0003]如图1所示是一个典型的Package走线通道，通道包括Part1的Bump出线区域，Part2的纯走线区域和Part3的下到Solder Ball的过孔区域，在进行Package设计时，一般是通过Bump打孔下到内部走线层，然后走线走到对应的Solder Ball区域，再打孔下到Solder Ball上，如何获取整个Package所有线长的走线通道S参数呢，显然一个个抽取是不可能的，目前业界也有软件可以一次性抽取整个package所有走线的S参数的软件，但得到的结果并不准确，一是软件算法本身的问题，二是一次性抽取模型巨大，无法在如此大的模型下保证网格密度，从而导致结果不准确。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种Package内部走线通道S参数获取方法、装置、设备及存储介质，以改善上述问题。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]一种Package内部走线通道S参数获取方法，其包括：
[0007]对于Package的同一层：
[0008]获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；
[0009]通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；
[0010]根据封装Bump区域的S参数模型、Solder Ball区域的S参数模型以及Q2D走线模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。
[0011]8、优选地，封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型通过三维仿真软件HFSS建模得到；其中，具体地：
[0012]利用HFSS软件对封装Bump区域和solder ball区域进行3D建模，并给模型赋予材料属性，通过添加激励，利用HFSS即求解出相应的S参数模型。
[0013]优选地，对于Q2D走线模型，通过RLCG矩阵表征得到该层所有走线长度的纯走线部分的S参数。
[0014]优选地，通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型，具体为：
[0015]根据封装走线线宽、间距、介质及离上下参考地的距离信息，利用Q2D构建走线截面结构，得到纯走线区域的Q2D走线模型。
[0016]本专利技术实施例还提供了一种Package内部走线通道S参数获取装置，其包括：
[0017]S参数模型获取单元，用于获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；
[0018]Q2D走线模型获取单元，用于通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；
[0019]S参数获取单元，用于根据封装Bump区域的S参数模型、Solder Ball区域的S参数模型以及Q2D走线模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。
[0020]优选地，封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型通过三维仿真软件HFSS建模得到。
[0021]优选地，对于Q2D走线模型，通过RLCG矩阵表征得到该层所有走线长度的纯走线部分的S参数。
[0022]优选地，S参数获取单元具体用于：
[0023]本专利技术实施例还提供了一种Package内部走线通道S参数获取设备，其包括存储器以及处理器，所述存储器内存储有计算机程序，所述计算机程序能够被所述处理器执行，以实现如上述的Package内部走线通道S参数获取方法。
[0024]本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，所述计算机程序能够被所述处理器执行，以实现如上述的Package内部走线通道S参数获取方法。
[0025]综上所述，本实施例基于HFSS+Q2D快速准确获取Package所有走线通道S参数，可以快速解决整个Package所有走线通道S参数模型抽取问题，同时保证得到的S参数和全波三维软件一次性抽取准确性完全一样，提高工程应用的准确性和效率。
[0026]此外，应当理解的是，本实施例不光适用于Package上的所有走线通道的获取，也适用PCB上的所有走线通道的获取。
附图说明
[0027]图1为现有的Package走线通道的结构示意图。
[0028]图2为本专利技术第一实施例提供的Package内部走线通道S参数获取方法的流程图。
[0029]图3(a)和图3(b)为在不同参数下，现有的Package走线通道全模型与本实施例的频域传输特性对比图。
[0030]图4(a)和图4(b)为在不同参数下，现有的Package走线通道全模型与本实施例的相位和阻抗特性对比图。
[0031]图5(a)和图5(b)为在不同参数下，现有的Package走线通道全模型与本实施例的串扰对比图。
[0032]图6为本专利技术第二实施例提供的Package内部走线通道S参数获取装置的结构图。
具体实施方式
[0033]下面结合具体实施例和附图对本专利技术方案作进一步的阐述。
[0034]请参阅图2，本专利技术第一实施例提供了一种Package内部走线通道S参数获取方法，其可由Package内部走线通道S参数获取设备(以下简称获取设备)来执行，特别的，由所述获取设备内的一个或者多个处理器来执行，以实现如下方法：
[0035]对于Package的同一层：
[0036]S101，获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型。
[0037]在本实施例中，所述获取设备可为个人计算机、工作站、服务器等具有运算处理能力的设备，其安装有操作系统以及相应的应用软件，以实现本实施例所述的方法及流程。
[0038]具体的，在本实施例中，同层的封装Bump区域和Solder Ball区域的结构类似，因此只需采用三维仿真软件HFSS建模得到S参数模型，再进行一次抽取即可。
[0039]其中，具体地：利用HFSS软件对封装Bump区域和solder ball区域进行3D建模，并给模型赋予材料属性，通过添加激励，利用HFSS即求解出相应的S参数模型。
[0040]S102，通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型。
[0041]其中，具体地，根据封装走线线宽、间距、介质及离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，包括：对于Package的同一层：获取封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型；通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型；根据封装Bump区域的S参数模型、Solder Ball区域的S参数模型以及Q2D走线模型，级联获取Package内部所有走线通道的S参数。2.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，封装Bump区域和Solder Ball区域的S参数模型通过三维仿真软件HFSS建模得到；其中，具体地：利用HFSS软件对封装Bump区域和solder ball区域进行3D建模，并给模型赋予材料属性，通过添加激励，利用HFSS即求解出相应的S参数模型。3.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，对于Q2D走线模型，通过RLCG矩阵表征得到该层所有走线长度的纯走线部分的S参数。4.根据权利要求1所述的Package内部走线通道S参数获取方法，其特征在于，通过Q2D获取纯走线区域的Q2D走线模型，具体为：根据封装走线线宽、间距、介质及离上下参考地的距离信息，利用Q2D构建走线截面结构，得到纯走线区域的Q2D走线模型。5.一种Package内部走线通道S参数获取装置，其特征在于，包括：S参数模型...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹小华，魏松斌，
申请(专利权)人：杭州云合智网技术有限公司，
类型：发明
国别省市：