【技术实现步骤摘要】
芯片框架的设计文件的生成方法及装置、设备和介质
[0001]本公开涉及半导体
,具体而言,涉及一种芯片框架的设计文件的生成方法、芯片框架的设计文件的生成装置、电子设备以及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]集成电路(integrated circuit,IC)是一种将电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)是一种半导体存储器,RAM可以分为动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)和静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)等。
[0003]在DRAM电路设计阶段,需要在芯片的芯片框架(frame)上放置各种各样的芯片标记(mark)以满足电路设计、工艺以及后续测试的需求,目前mark的设计和放置是以人为肉眼检查为主,手动将mark放置于frame上。
[0004]需要说明的是,在上述
技术介绍
部 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片框架的设计文件的生成方法,其特征在于,包括:建立标记图形库和工艺条件库,所述标记图形库中包括若干预设标记图形,所述工艺条件库中包括若干预设工艺条件,且所述预设工艺条件与所述预设标记图形具有对应关系;获取芯片的设计规格和设计需求以及芯片布线层的工艺条件,根据所述芯片的设计规格和设计需求以及所述芯片布线层的工艺条件的结合,从所述标记图形库和所述工艺条件库中确定在所述芯片的芯片框架内待放置的芯片标记的初始设计方案;对所述初始设计方案进行检查,确定符合预设条件的设计方案并生成所述芯片框架的目标设计文件。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:所述标记图形库中包含多个标记图形种类,且每个所述标记图形种类对应多个所述预设标记图形。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述芯片的设计规格和设计需求以及所述芯片布线层的工艺条件的结合,从所述标记图形库和所述工艺条件库中确定在所述芯片的芯片框架内待放置的芯片标记的初始设计方案,包括:根据所述芯片的设计规格和设计需求,从所述标记图形库中选取多个预设标记图形作为待放置图形;基于所述待放置图形与所述芯片布线层的工艺条件生成待放置的所述芯片标记;根据所述芯片的设计规格和设计需求生成在所述芯片的芯片框架内放置所述芯片标记的初始设计方案。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据所述芯片的设计规格和设计需求,从所述标记图形库中选取多个预设标记图形作为待放置图形,包括:根据所述设计规格确定所述芯片的框架尺寸信息与工艺最小线宽;根据所述框架尺寸信息与所述工艺最小线宽,从所述标记图形库中选取满足所述设计需求的标记图形种类;从满足所述设计需求的标记图形种类中选取所述预设标记图形,作为所述待放置图形。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:响应于图形添加请求,根据所述设计规格与设计需求从所述标记图形库中确定新增标记图形;将所述新增标记图形添加至所述待放置图形中;响应于图形删除请求,从所述待放置图形中移除已选标记图形;所述已选标记图形包含于所述图形删除请求中。6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述芯片布线层的工艺条件包括一般工艺与双重曝光工艺;基于所述待放置图形与所述芯片布线层的工艺条件生成待放置的所述芯片标记,包括:当所述工艺条件为一般工艺时,对所述待放置图形进行标准标记输出处理,以生成标准型的所述芯片标记;当所述工艺条件为双重曝光工艺或多重曝光工艺时,对所述待放置图形进行阵列标记
输出处理,以生成阵列型的所述芯片标记。7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据所述芯片的设计规格和设计需求生成在所述芯片的芯片框架内放置所述芯片标记的初始设计方案,包括:根据所述芯片的设计规格和设计需求,对所述芯片标记进行标记排版处理,以生成放置所述芯片标记的初始排列方案;对多个所述初始排列方案进行排序处理,得到方案排序结果;基于所述方案排序结果生成所述初始设计方案。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,基于所述方案排序结果生成所述初始设计方案,包括:基于所述方案排序结果选取第一数量的初始排列方案,作为候选排列方案;获取所述候选排列方案的候选方案信息;根据所述候选方案信息将待放置的所述芯片标记放置于所述芯片框架中,以生成所述初始设计方案。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,根据所述候选方案信息将待放置的所述芯片标记放置于所述芯片框架中,以生成所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘文奇,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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