【技术实现步骤摘要】
一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法
[0001]本专利技术涉及精密器件相关领域，尤其涉及一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法。
技术介绍
[0002]原子层沉积技术(ALD)是一项基于自终止表面反应的薄膜沉积技术，具备沉积薄膜均匀性好、高保形性、膜厚精确可控等优势，在光电、半导体和纳米技术等领域得到广泛应用，而随着精密器件制备工艺的不断发展，高性能的多层膜器件对其沉积薄膜的膜厚控制精度，尤其是较厚的多层膜控制精度要求越来越严格，如原子层沉积切片法制备的X射线菲涅尔透镜，多层膜反射镜等制备应用中，单层膜厚的较小误差往往会积累为多层膜厚的极大误差，引起器件性能降低甚至失效。
[0003]但在实现本申请中专利技术技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：
[0004]现有技术对原子层沉积多层膜膜厚控制方法的研究相对较少，导致控制精度不高，存在无法获得理想的多层膜膜厚控制精度的技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请通过提供一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，其特征在于，所述方法包括：S100：在反应腔室中放置样品和陪片；S200：通过第一工艺参数进行所述反应腔室多层膜所需生长材料的原子层沉积，获得多层膜样品；S300：对所述多层膜样品进行电镜成像，获得膜层生长数据；S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率；S500：判断所述平均生长速率是否满足第一生长速率变化趋势；S600：当所述平均生长速率不满足所述第一生长速率变化趋势时，进行所述平均生长速率中的误差数据排除，基于排除误差数据后的膜层生长数据，重复S400
‑
S600，直至所述平均生长速率满足第一生长速率变化趋势停止；S700：将所述平均生长速率作为下一阶段薄膜材料的初始生长速率；S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100
‑
S700；S900：获得高模厚控制精度的多层膜器件。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法S200还包括：对所述反应腔室通入惰性气体吹扫1
‑
300s，将所述反应腔室抽真空，真空度抽取到5
×
10
‑3‑9×
10
‑3Torr以下；待所述反应腔室、基底、管路及反应源加热并稳定在设定温度后，向所述反应腔室内交替通入前驱体源0.01
‑
5.00s，进行多层膜所需生长材料的原子层沉积，获得多层膜样品，并将上述工艺参数记录为所述第一工艺参数。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法S300还包括：等待所述多层膜样品冷却到室温后取出；对所述多层膜样品电镜成像，进行逐层膜厚测量，并进行平均计算，获得生长材料的生长速率；将所述生长速率作为起始速率，依据所设计的每层膜膜层厚度，计算获得薄膜生长所需要的cycles样表...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹家宝，何萌，卢维尔，谭明生，夏洋，刘涛，冷兴龙，屈芙蓉，赵丽莉，李楠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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