一种形成栅极的方法及半导体器件技术

本申请实施例公开了一种形成栅极的方法及半导体器件，涉及半导体领域。解决了光刻胶形成的图形结构与预期尺寸存在较大误差，降低最终形成的T形结构的栅极的质量的问题。具体方案为：在外延结构远离衬底的一侧依序形成第一光刻胶层以及第二光刻胶层；在第二光刻胶层上形成第一开口以及在第一光刻胶层上形成第二开口；第一开口大于第二开口，第二开口位于第一开口在第一光刻胶层上的正投影区域内；对第一光刻胶层曝光显影，在第一光刻胶层上形成第三开口；第三开口覆盖第二开口，且第三开口小于第一开口；在第一开口和第三开口内填充金属形成栅极。属形成栅极。属形成栅极。属形成栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁开明，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：