异质结双极晶体管结构及其形成方法技术

一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中结构包括：基底；位于基底上的集电层、基层和若干发射层；位于发射层上的发射电极；位于部分集电层上的介质层，介质层至少位于基层的一侧；基电极，包括端部、若干指部和若干连接部，若干指部通过若干连接部与端部连接，若干指部与暴露出的基层电连接，连接部位于介质层上，端部位于介质层上；位于集电层上的若干集电极。基电极的端部位于集电层上方，可以有效减小基层的面积，进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积，减小形成的寄生电容，提升器件结构的性能。另外，由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分，能够有效提升器件结构的利用效率。用效率。用效率。

【技术实现步骤摘要】
异质结双极晶体管结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着社会的发展以及现代通信对高频带下高性能和低成本的RF组件的需求，传统的硅材料器件无法满足这些性能上新的要求。由于异质结双极晶体管(Hetero
‑
junction Bipolar Transistor，简称HBT)的高频性能大大优于硅双极晶体管，而与硅工艺的兼容性又使其具有硅的低价格，因此砷化镓技术获得了长足的进展，砷化镓HBT技术已成为RF集成电路市场的主流技术之一，并对现代通信技术的发展产生了深远的影响。
[0003]然而，现有的异质结双极晶体管结构仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，提高器件的利用效率及减少寄生电容。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种异质结双极晶体管结构，包括：基底；位于所述基底上的集电层、位于部分所述集电层上的基层、以及位于所述基层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结双极晶体管结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的集电层、位于部分所述集电层上的基层、以及位于所述基层上的若干发射层，若干所述发射层沿第一方向平行排布，所述第一方向平行于所述基底的表面；位于所述发射层上的发射电极；位于部分所述集电层上的介质层，所述介质层至少位于所述基层的一侧，所述介质层暴露出所述集电层的部分表面；基电极，所述基电极包括端部、若干指部和若干连接部，若干所述指部通过若干所述连接部与所述端部连接，若干所述指部分别与所述基层电连接，所述连接部位于所述介质层上，所述端部位于所述介质层上，所述介质层用于将所述基电极和所述集电层进行电性隔离；位于暴露出的所述集电层上的若干集电极，所述集电极与所述集电层电连接。2.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射电极采用单层金属结构或多层金属结构。3.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，位于所述集电层内的隔离区，所述隔离区内具有注入的粒子。4.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：位于所述发射层表面、所述基层部分顶部表面、和所述发射电极部分表面的第一钝化层，所述第一钝化层暴露出所述发射电极的部分顶部表面、以及相邻所述发射层之间的所述基层的部分顶部表面。5.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述介质层的顶部表面高于或齐平于所述基层的顶部表面。6.如权利要求5所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，当所述介质层的顶部表面高于所述顶部表面时，所述介质层覆盖所述基层的部分顶部表面。7.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述介质层包围所述基层。8.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述介质层的材料包括：聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶和聚酰亚胺中的一种或多种。9.如权利要求4所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，还包括：位于所述介质层的表面、所述第一钝化层表面、所述基电极的部分表面、以及所述集电极的部分表面上的第二钝化层，所述第二钝化层暴露出所述发射电极的部分顶部表面、所述基电极的端部的部分顶部表面、所述集电极的部分顶部表面；互连金属层，所述互连金属层分别与暴露出的所述发射电极的表面、暴露出的所述基电极的端部的表面、以及暴露出的所述集电极的表面电连接。10.如权利要求9所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述互连金属层包括相互分立的第一互连部、第二互连部和第三互连部，所述第一互连部与暴露出的所述发射电极的表面电连接，所述第二互连部与暴露出的所述基电极的端部的表面电连接，所述第三互连部与暴露出的所述集电极的表面电连接。11.如权利要求1所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述集电层内掺杂有第一离子；所述基层内掺杂有第二离子，所述第一离子的电学类型和所述第二离子的电学类型不同，所述第二离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度。
12.如权利要求11所述异质结双极晶体管结构，其特征在于，所述发射层内掺杂有第三离子，所述第三离子的电学类型与所述第二离子的电学类型不同，所述第三离子的电学类型与所述第一离子的电学类型相同，所述第三离子的掺杂浓度大于所述第一离子的掺杂浓度，且所述第三离子的掺杂浓度小于所述第二离子的掺杂浓度。13.一种异质结双极晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的初始集电层、位于所述初始集电层上的初始基层、以及位于所述初始基层上的初始发射层；在所述初始发射层上形成若干发射电极，若干所述发射电极覆盖所述初始发射层的部分顶部表面，若干所述发射电极沿第一方向平行排布，所述第一方向平行于所述基底的表面；以若干所述发射电极为掩膜刻蚀所述初始发射层，直至暴露出所述初始基层的顶部表面为止，以使所述初始发射层形成若干发射层；在所述初始基层、若干所述发射层和若干所述发射电极的表面形成第一钝化材料层；在所述初始基层上选定保留区，若干所述发射层和若干所述发射电极位于所述保留区上...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹道华，高谷信一郎，刘昱玮，姜清华，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：