一种晶圆承载台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆承载台，包括支撑台体，以及位于所述支撑台体表面两侧的第一支撑槽、以及位于表面中心的第二支撑槽；两侧的所述第一支撑槽和所述第二支撑槽相对位置上设有水平阵列排布的多个V型插槽单元，相对设置的位于两侧和中心的V型插槽单元的槽内用于插设且呈3点支撑硅晶圆。本申请通过对收料口晶圆承载台改进，可以有效提高晶圆的清洗效果，减少晶圆在承载台的接触痕迹，提高双面抛光片在清洗后沉积LTO的外观品质；而且该承载台结构便于清洁维护，材质的耐磨特性会使晶圆承载台预期使用寿命延长；因此，本申请提供的晶圆承载台在晶圆槽式清洗设备中和整个晶圆清洗工艺中有较高的价值和技术改进的意义。清洗工艺中有较高的价值和技术改进的意义。清洗工艺中有较高的价值和技术改进的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆承载台


[0001]本技术属于晶圆加工
，具体涉及一种晶圆承载台。

技术介绍

[0002]在半导体晶圆加工制造过程中，对晶圆进行清洗是非常重要的一道工序，在经过切片、研磨、抛光、表面处理、外延等工艺后会粘附有微尘粒、有机物、无机物、金属离子等杂质，会影响到后一站工艺，清洗的主要目的是除去附着在晶圆表面上的有害污染物质，但同时也要求不对晶圆表面造成损伤。清洗的主要流程为：SC1
→
QDR(快排快冲槽)
→
SC2。由于槽式清洗设备手臂是夹爪式的，无法将晶圆直接放到盒子中，要经过收料口承载台中转才能将晶圆放置于盒子中。
[0003]在实际清洗过程中，晶圆和承载台接触后会有相对摩擦，有摩擦就会有接触痕迹，有微尘粒产生，双面抛光片在清洗后去沉积LTO后OM(光学显微镜)下会发现有边缘污染，和承载台接触位置对应，目检可见，此边缘污染可洗掉；
[0004]因此对承载台的外观和材质进行改造，减少晶圆和承载台的接触面积，减小其间摩擦系数，以此来减少接触痕迹；对于提高晶圆清洗品质有重要技术价值。

技术实现思路

[0005]本技术的目的就在于为解决现有技术的不足而提供一种晶圆承载台。
[0006]本技术的目的是以下述技术方案实现的：
[0007]一种晶圆承载台，包括支撑台体，以及位于所述支撑台体表面两侧的第一支撑槽、以及位于表面中心的第二支撑槽；
[0008]两侧的所述第一支撑槽和所述第二支撑槽相对位置上设有水平阵列排布的多个V型插槽单元，相对设置的位于两侧和中心的V型插槽单元的槽内用于插设且呈3点支撑硅晶圆。
[0009]优选的，所述第一支撑槽由外至内向下倾斜。
[0010]优选的，所述支撑台体上于所述第一支撑槽和所述第二支撑槽的空隙处设有多个贯穿其上、下表面的通气孔。
[0011]优选的，所述支撑台体底部还设有用于连接机台的安装孔。
[0012]优选的，所述承载台材质为聚醚醚酮材料。
[0013]优选的，所述V型插槽单元的槽底和槽顶边均设有圆角或倒角。
[0014]本申请通过对收料口晶圆承载台改进，可以有效提高晶圆的清洗效果，减少晶圆在承载台的接触痕迹，提高双面抛光片在清洗后沉积LTO的外观品质；而且该承载台结构便于清洁维护，材质的耐磨特性会使晶圆承载台预期使用寿命延长；因此，本申请提供的晶圆承载台在晶圆槽式清洗设备中和整个晶圆清洗工艺中有较高的价值和技术改进的意义。
附图说明
[0015]图1是本技术提供的晶圆承载台的俯视结构示意图；
[0016]图2是本技术提供的晶圆承载台的主视结构示意图；
[0017]图3是本技术提供的晶圆承载台的侧视结构示意图；
[0018]其中，1
‑
支撑台体；2
‑
第一支撑槽；3
‑
第二支撑槽；4
‑
通气孔；5
‑
安装孔。
具体实施方式
[0019]本技术提供了一种晶圆承载台，如图1～3所示，包括支撑台体1，以及位于支撑台体1表面两侧的第一支撑槽2、以及位于中心的第二支撑槽3；
[0020]第一支撑槽2和第二支撑槽2相对位置上设有水平阵列排布的多个V型插槽单元，相对设置的位于两侧和中心的V型插槽单元的槽内用于插设硅晶圆，因此，两侧和中心的V型插槽呈3点支撑硅晶圆，减少了晶圆和承载台的接触面积，减小了其间摩擦系数，因此减少了硅晶圆和承载台的接触痕迹，对于提高晶圆清洗品质有重要技术价值。
[0021]V型插槽单元数量优选设置为25个，可一次性的满足常规整盒晶圆的使用。
[0022]优选的，第一支撑槽由外至内向下倾斜。倾斜设置可模拟晶圆的受力点分布，使晶圆更好的卡在槽内，使晶圆更稳定地放置于槽内，不易倾斜。
[0023]优选的，支撑台体上于第一支撑槽和第二支撑槽的空隙处设有多个贯穿其上、下表面的通气孔4，可以减少承载台升降过程中带动的气流波动，减少微尘粒聚集在承载台，便于清洁。
[0024]优选的，支撑台体1底部还设有用于连接机台的安装孔5，便于从机台上拆装更换和调整位置。
[0025]优选的，承载台材质为聚醚醚酮(PEEK)材料，聚醚醚酮(PEEK)材料具有3个杰出的特性：1.低摩擦系数；2.可长时间高负载；3.可高压及高速下工作；动摩擦系数低，可以有效减小接触摩擦损耗，减少摩擦产生的微尘粒数；洛氏硬度较硬，耐磨性能高。
[0026]优选的，V型插槽单元的槽底和槽顶边均设有圆角或倒角，使其表面光滑圆润，晶圆进出槽内时不会对晶圆表面造成刮伤。
[0027]本申请通过对收料口晶圆承载台改进，可以有效提高晶圆的清洗效果，减少晶圆在承载台的接触痕迹，提高双面抛光片在清洗后沉积LTO的外观品质；而且该承载台结构便于清洁维护，材质的耐磨特性会使晶圆承载台预期使用寿命延长；因此，本申请提供的晶圆承载台在晶圆槽式清洗设备中和整个晶圆清洗工艺中有较高的价值和技术改进的意义。
[0028]尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载台，其特征在于，包括支撑台体，以及位于所述支撑台体表面两侧的第一支撑槽、以及位于表面中心的第二支撑槽；两侧的所述第一支撑槽和所述第二支撑槽相对位置上设有水平阵列排布的多个V型插槽单元，相对设置的位于两侧和中心的V型插槽单元的槽内用于插设且呈3点支撑硅晶圆。2.如权利要求1所述的晶圆承载台，其特征在于，所述第一支撑槽由外至内向下倾斜。3.如权利要求1所述的晶圆承...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴泓明，钟佑生，陈志刚，詹闵翔，唐少辉，耿帆，
申请(专利权)人：郑州合晶硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：