一种半导体光放大装置制造方法及图纸

本申请公开了一种半导体光放大装置，涉及半导体光放大器领域。本申请包括相对设置的第一半导体光芯片与第二半导体光芯片；所述第二半导体光芯片与第一半导体光芯片的光路相通；所述第一半导体光芯片用于通电后输出第一ASE光，所述第二半导体光芯片用于通电后接收所述第一ASE光并对所述第一ASE光进行增益放大后输出，通过调节第一半导体光芯片与第二半导体光芯片上的电流提升装置实际输出的光功率。光芯片上的电流提升装置实际输出的光功率。光芯片上的电流提升装置实际输出的光功率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光放大装置


[0001]本申请涉及半导体光放大器领域，具体而言，涉及一种半导体光放大装置。

技术介绍

[0002]目前现有SOA(Semiconductor Optical Amplifier)厂商采用单半导体光放大芯片在通电后自发辐射输出ASE光，半导体光放大芯片的输出光功率随着电流的增加而增加，通过控制半导体光放大芯片上的电流大小实现输出光的功率调节，但是半导体光放大芯片存在电流上限，当电流达到阈值电流之后继续增大电流有可能会对芯片造成损伤，这种通过加大电流的方式达到芯片承受的电流阈值上限时，输出的光功率基本只能达到15dBm，且由于光路插损及耦合损失，加上ASE光的光谱性能表现差，单半导体光放大芯片的光输出远远不能满足实际的光功率需求。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种半导体光放大装置，能够通过调节第一半导体光芯片与第二半导体光芯片上的电流提升装置实际输出的光功率。
[0004]本技术是这样实现的：
[0005]本技术提供一种半导体光放大装置，包括相对设置的第一半导体光芯片与第二半导体光芯片，所述第二半导体光芯片与第一半导体光芯片的光路相通；
[0006]所述第一半导体光芯片用于通电后输出第一ASE光，所述第二半导体光芯片用于通电后接收所述第一ASE光并对所述第一ASE光进行增益放大输出。
[0007]可选的，所述半导体光放大装置还包括：第一隔离器，所述第一隔离器设于第一半导体光芯片与第二半导体光芯片之间，所述第一隔离器分别与第一半导体光芯片和第二半导体光芯片的光路相通。
[0008]可选的，所述半导体光放大装置还包括：第二隔离器，所述第二隔离器设于第二半导体光芯片远离第一半导体光芯片的一侧，所述第二隔离器与第二半导体光芯片的光路相通。
[0009]可选的，所述半导体光放大装置还包括：滤波器，所述滤波器设于第一隔离器与第二半导体光芯片之间，所述滤波器分别与第一隔离器和第二半导体光芯片的光路相通。
[0010]可选的，所述滤波器为增益平坦滤波器。
[0011]可选的，所述半导体光放大装置还包括：第一透镜，所述第一透镜设于所述第一半导体光芯片与第一隔离器之间，所述第一透镜分别与第一半导体光芯片和第一隔离器的光路相通，所述第一透镜用于将第一半导体光芯片输出的光路进行汇聚。
[0012]可选的，所述半导体光放大装置还包括：第二透镜，所述第二透镜设于所述第二半导体光芯片与滤波器之间，所述第二透镜分别与第二半导体光芯片和滤波器的光路相通，所述第二透镜用于将滤波器输出的光路进行汇聚。
[0013]可选的，所述半导体光放大装置还包括：第三透镜，所述第三透镜设于第二隔离器
与第二半导体光芯片之间，所述第三透镜分别与第二隔离器和第二半导体光芯片的光路相通，所述第三透镜用于将第二半导体光芯片输出的光路进行汇聚。
[0014]可选的，通过所述第一半导体光芯片、第一透镜、第一隔离器、滤波器、第二透镜、第二半导体光芯片、第三透镜与第二隔离器设计的光路在同一直线上。
[0015]可选的，所述第三透镜为准直透镜。
[0016]本技术提供的半导体光放大装置，通过相对设置的第一半导体光芯片与第二半导体光芯片，保证所述第二半导体光芯片与第一半导体光芯片的光路传播相通，第一半导体光芯片通电后输出第一ASE光进入第二半导体光芯片，第二半导体光芯片输出的光路包括两部分：第二半导体光芯片通电后接收第一ASE光后对第一ASE光增益放大形成的增益光路以及第二半导体光芯片通电后自发辐射产生的第二ASE光。本实施例的装置结构简单，易于组装，尺寸较小，成本较低，通过控制第一半导体光芯片与第二半导体光芯片上的电流，即能够提升并控制装置实际输出的光功率。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0018]图1为本申请实施例半导体光放大装置的结构示意图之一；
[0019]图2为本申请实施例的第二半导体光芯片在恒定工作电流下输入光功率与输出光功率的曲线图；
[0020]图3为本申请实施例半导体光放大装置的结构示意图之二；
[0021]图4为本申请实施例半导体光放大装置的结构示意图之三；
[0022]图5为本申请实施例半导体光放大装置的结构示意图之四。
[0023]图标：1
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第一半导体光芯片，2
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第一透镜，3
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第一隔离器，4
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滤波器，5
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第二透镜，6
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第二半导体光芯片，7
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第三透镜，8
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第二隔离器。
具体实施方式
[0024]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0025]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“输入”、“输出”等指示的方位或位置关系
为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]本实施例附图中箭头的方向表示光路传播的方向。
[0029]请参照图1，本实施例提供一种半导体光放大装置，包括相对设置的第一半导体光芯片1与第二半导体光芯片6；第二半导体光芯片6与第一半导体光芯片1的光路相通；第一半导体光芯片1用于通电后输出第一ASE光，第二半导体光芯片6用于通电后接收第一ASE光并对第一ASE光进行增益放大后输出。
[0030]本实施例中，包括相对设置的第一半导体光芯片1与第二半导体光芯片6，第二半导体光芯片6与第一半导体光芯片1的光路传播相通，第一半导体光芯片1通电后输出第一ASE光进入第二半导体光芯片6，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光放大装置，其特征在于，包括相对设置的第一半导体光芯片(1)与第二半导体光芯片(6)，所述第二半导体光芯片(6)与第一半导体光芯片(1)的光路相通；所述第一半导体光芯片(1)用于通电后输出第一ASE光，所述第二半导体光芯片(6)用于通电后接收所述第一ASE光并对所述第一ASE光进行增益放大后输出。2.根据权利要求1所述的半导体光放大装置，其特征在于，所述半导体光放大装置还包括：第一隔离器(3)，所述第一隔离器(3)设于第一半导体光芯片(1)与第二半导体光芯片(6)之间，所述第一隔离器(3)分别与第一半导体光芯片(1)和第二半导体光芯片(6)的光路相通。3.根据权利要求2所述的半导体光放大装置，其特征在于，所述半导体光放大装置还包括：第二隔离器(8)，所述第二隔离器(8)设于第二半导体光芯片(6)远离第一半导体光芯片(1)的一侧，所述第二隔离器(8)与第二半导体光芯片(6)的光路相通。4.根据权利要求3所述的半导体光放大装置，其特征在于，所述半导体光放大装置还包括：滤波器(4)，所述滤波器(4)设于第一隔离器(3)与第二半导体光芯片(6)之间，所述滤波器(4)分别与第一隔离器(3)和第二半导体光芯片(6)的光路相通。5.根据权利要求4所述的半导体光放大装置，其特征在于，所述滤波器(4)为增益平坦滤波器。6.根据权利要求5所述的半导体光放大装置，其特征在于，所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁远辉，胡礼初，李军，
申请(专利权)人：昂纳科技深圳集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：