一种微波批量等离子晶圆去胶系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种微波批量等离子晶圆去胶系统，涉及半导体微加工技术领域，包括微波发生器和基座，所述微波发生器的一侧通过螺丝安装有隔离器，所述隔离器的一侧设置有环形水负载，所述基座的下方设置有工艺气体充入组件以及工艺气体真空发生装置；本实用新型专利技术通过等离子体通过微波电源及微波发生器产生微波，而激发工艺气体获得高密度等离子体。通过微波等离子源获得的批量等离子体远高于射频源激励产生的等离子体，且其通过自由基分子的化学作用蚀刻，无溅射效应，物理作用比较微弱，微波批量等离子体具有各向同性特点，呈电中性的自由基分子，自由基分子的等离子体无偏压，能够有效降低对产品的电性损坏。能够有效降低对产品的电性损坏。能够有效降低对产品的电性损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种微波批量等离子晶圆去胶系统


[0001]本技术涉及半导体微加工
，具体为一种微波批量等离子晶圆去胶系统。

技术介绍

[0002]本申请技术属于半导体微加工
，具体表现为晶圆表面清洗、光刻胶去除、光阻去除、聚合物去除等，属于半导体微加工设备的一种。
[0003]现有技术中常取用射频源激励工艺气体而获得等离子体，在等离子升温作用下，通过等离子物理溅射与化学作用，对产品表面进行处理，物理溅射作用会比较明显。射频等离子存在一定的偏压，有可能对产品有电性损坏。射频等离子作用下，等离子处理过程中产品表面温度很高，对一些较高要求的晶圆处理工艺无法满足。
[0004]在中国专利CN111900085A中公开了一种去胶方法，包括：采用等离子体去除晶圆上的光刻胶的过程中，控制晶圆在去胶设备的反应腔内进行升降运动，以调节所述反应腔内等离子体的分布情况，避免等离子体的分布相对集中对所述反应腔造成损伤。该去胶方法通过控制晶圆的升降对反应腔内的等离子体产生扰动作用，改变等离子体的分布情况，使等离子体最密集的部分在一个范围内变动，从而使等离子体对反应罩造成的破坏和腐蚀最大限度地在一个范围内分摊，避免等离子体的分布相对集中造成反应罩的固定位置发生损坏，进而延长所述反应罩的使用寿命并减少生产成本。
[0005]该装置通过扩散等离子分布降低其对反应罩的破坏和腐蚀，但该方式对产品的保护效果仍然不够高。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种微波批量等离子晶圆去胶系统，用以解决现有技术存在等离子体物理溅射而损伤产品，及射频等离子体存在偏压、等离子处温度过高造成处理过程中产品有电性损伤的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种微波批量等离子晶圆去胶系统，包括微波发生器和基座，所述微波发生器的一侧通过螺丝安装有隔离器，所述隔离器的一侧设置有环形水负载，所述基座的下方设置有工艺气体充入组件以及工艺气体真空发生装置，所述基座的上表面安装有铝合金外壳，所述铝合金外壳内设置有离子激励腔，所述隔离器与离子激励腔之间设置有三销钉阻抗匹配器，所述微波发生器分别与隔离器、环形水负载以及三销钉阻抗匹配器电性连接，所述离子激励腔远离三销钉阻抗匹配器的一端连接有断路器。
[0008]优选的，所述工艺气体充入组件包括工艺壳体，所述工艺壳体与基座固定连接，所述工艺壳体的顶部设置有工艺进气口，所述工艺壳体内设置有工艺腔体，所述工艺进气口与工艺腔体连通。
[0009]优选的，所述工艺气体充入组件还包括匀气盘，所述匀气盘安装在基座底部，所述
匀气盘位于工艺腔体内。
[0010]优选的，所述工艺气体真空发生装置包括抽真空管道和门阀，所述抽真空管道和门阀均安装在工艺壳体的外壁，所述工艺壳体一侧连接有真空计，所述抽真空管道、门阀和真空计均通过真空管路与工艺腔体连通。
[0011]优选的，所述工艺壳体内设置有供晶圆安装的晶圆卡盘，所述晶圆卡盘位于匀气盘的下方，所述工艺壳体的一侧开设有视窗。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013]1、本技术通过等离子体通过微波电源及微波发生器产生微波，而激发工艺气体获得高密度等离子体。通过微波等离子源获得的批量等离子体远高于射频源激励产生的等离子体，且其通过自由基分子的化学作用蚀刻，无溅射效应，物理作用比较微弱，从而提高对产品的保护效果。
[0014]2、微波批量等离子体具有各向同性特点，呈电中性的自由基分子，自由基分子的等离子体无偏压，能够有效降低对产品的电性损坏。
[0015]3、微波等离子源获得的远程等离子体处理产品表面温度低，能够适用于晶圆处理的低温工艺，扩大去胶的适用范围。
附图说明
[0016]图1是本技术的轴测图；
[0017]图2是本实用工艺气体真空发生装置的结构示意图；
[0018]图3是本实用微波发生器的侧视图；
[0019]图4是本实用微波发生器的俯视图。
[0020]图中：1、微波发生器；2、基座；3、隔离器；4、环形水负载；5、铝合金外壳；6、离子激励腔；7、三销钉阻抗匹配器；8、工艺气体充入组件；9、工艺气体真空发生装置；10、断路器；801、工艺壳体；802、工艺进气口；803、工艺腔体；804、匀气盘；901、抽真空管道；902、门阀；903、真空计；904、晶圆卡盘；905、视窗。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：一种微波批量等离子晶圆去胶系统，包括微波发生器1和基座2，微波发生器1的一侧通过螺丝安装有隔离器3，隔离器3的一侧设置有环形水负载4，基座2的下方设置有工艺气体充入组件8以及工艺气体真空发生装置9，基座2的上表面安装有铝合金外壳5，铝合金外壳5内设置有离子激励腔6，隔离器3与离子激励腔6之间设置有三销钉阻抗匹配器7，微波发生器1分别与隔离器3、环形水负载4以及三销钉阻抗匹配器7电性连接，离子激励腔6远离三销钉阻抗匹配器7的一端连接有断路器10。
[0023]微波发生器1接收到微波电源的高频电信号时，微波发生器1通过系统控制会把微
波电源的高频电信号转化为微波，微波产生后通过波导传输，经过环形隔离器3、三销钉阻抗匹配器7到离子激励腔6。环形水负载4起到保护微波发生器1及吸收反射回来的微波的作用，防止反射回来的微波损坏微波发生器1。当微波反射回来的时候，此时环形水负载4会把反射回来的微波进行吸收。
[0024]三销钉阻抗匹配器7起到调节波导传输的阻抗的作用，通过手动调节三销钉进入阻抗匹配器的距离进而调节波导阻抗使微波传输至离子激励腔6里时形成共振，从而激发工艺气体产生等离子体。
[0025]离子激励腔6通过石英管连接大气侧波导及真空腔体。当微波经波导传输穿过石英管，微波在真空腔体内形成共振，从而工艺气体经过此共振区域受到激励而产生等离子体。
[0026]工艺气体充入组件8包括工艺壳体801，工艺壳体801与基座2固定连接，工艺壳体801的顶部设置有工艺进气口802，工艺壳体801内设置有工艺腔体803，工艺进气口802与工艺腔体803连通。
[0027]通过设置工艺进气口802，使不同的工艺气体汇集在一起后通过工艺进气口802进入到离子激励腔6，提供离子激励腔6产生等离子体所需要的工艺气体。
[0028]工艺气体充入组件8还包括匀气盘804，匀气盘804安装在基座2底部，匀气盘804位于工艺腔体803内。
[0029]通过设置匀气盘804，使微波源产生的批量等离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波批量等离子晶圆去胶系统，其特征在于：包括微波发生器(1)和基座(2)，所述微波发生器(1)的一侧通过螺丝安装有隔离器(3)，所述隔离器(3)的一侧设置有环形水负载(4)，所述基座(2)的下方设置有工艺气体充入组件(8)以及工艺气体真空发生装置(9)，所述基座(2)的上表面安装有铝合金外壳(5)，所述铝合金外壳(5)内设置有离子激励腔(6)，所述隔离器(3)与离子激励腔(6)之间设置有三销钉阻抗匹配器(7)，所述微波发生器(1)分别与隔离器(3)、环形水负载(4)以及三销钉阻抗匹配器(7)电性连接，所述离子激励腔(6)远离三销钉阻抗匹配器(7)的一端连接有断路器(10)。2.根据权利要求1所述的一种微波批量等离子晶圆去胶系统，其特征在于：所述工艺气体充入组件(8)包括工艺壳体(801)，所述工艺壳体(801)与基座(2)固定连接，所述工艺壳体(801)的顶部设置有工艺进气口(802)，所述工艺壳体(801)内设置有工艺腔体(803)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏宜鹏，
申请(专利权)人：东莞市晟鼎精密仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：