反应腔室及氧化设备制造技术

本公开提供了一种反应腔室及氧化设备，具体包括腔室本体和导流管。腔室本体的内部设有载片台，载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，反应区域的顶面不低于晶圆的顶面。腔室本体的侧壁设有开孔。导流管设于腔室本体的内部，导流管包括管体，管体的进气口与开孔连通，管体的出气口朝向反应区域延伸设置，出气口用于将等离子体输送至反应区域的顶面。根据本公开的方案，由于在开孔和载片台之间设置了导流管，因此可以使通过开孔进入腔室本体的内部的等离子体，经由导流管的输送会聚至晶圆的顶面，避免等离子体向晶圆顶面以外的区域扩散，提高了晶圆顶面的等离子体浓度，从而提升了晶圆的顶面生成二氧化硅的生长速率及所生成二氧化硅的质量。氧化硅的质量。氧化硅的质量。

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及氧化设备


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种反应腔室及氧化设备。

技术介绍

[0002]在晶圆进行氧化工艺时，氧气和氢气的混合气体(微波等离子)通过微波等离子体源，解离成富含氧自由基的等离子体，等离子体进入反应腔在晶圆表面生成二氧化硅。氧自由基的浓度和在晶圆表面的分布情况，对二氧化硅的生长速率有直接的影响。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种反应腔室及氧化设备。
[0004]根据本公开的一方面，提供了一种反应腔室，包括腔室本体和导流管。
[0005]腔室本体的内部设有载片台，载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，反应区域的顶面不低于晶圆的顶面。腔室本体的侧壁设有开孔，开孔用于向腔室本体的内部输送等离子体；
[0006]导流管设于腔室本体的内部，导流管包括管体，管体的一端的进气口与开孔连通，管体的另一端的出气口朝向反应区域延伸设置，出气口用于将等离子体输送至反应区域的顶面，以使等离子体与晶圆的顶面发生反应。
[0007]根据本公开的另一方面，提供了一种氧化设备，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体，内部设有载片台，所述载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，所述反应区域的顶面不低于所述晶圆的顶面，所述腔室本体的侧壁设有开孔，所述开孔用于向所述腔室本体的内部输送等离子体；导流管，设于所述腔室本体的内部，所述导流管包括管体，所述管体的一端的进气口与所述开孔连通，所述管体的另一端的出气口朝向所述反应区域延伸设置，所述出气口用于将所述等离子体输送至所述反应区域的顶面，以使所述等离子体与所述晶圆的顶面发生反应。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述出气口的下边缘位于所述反应区域的顶面以上，所述出气口的端面位于所述反应区域的边缘的外侧。3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，沿所述腔室本体的高度方向，所述出气口的下边缘与所述反应区域的顶面之间的垂直距离为2mm至5mm；沿所述腔室本体的宽度方向，所述出气口的端面与所述反应区域的外缘之间的水平距离为2mm至5mm。4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述管体为柔性的可伸缩管体；和/或，所述出气口与所述管体可转动地连接。5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述导流管的材质为石英材质。6.根据权利要求1至5任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述开孔的中轴线与所述载片台的中轴线相交，且所述开孔的中轴线与所述出气口的端面的中轴线平行，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冀建民，李海卫，苏文学，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：