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本公开提供了一种反应腔室及氧化设备，具体包括腔室本体和导流管。腔室本体的内部设有载片台，载片台形成有用于容置晶圆的反应区域，反应区域的顶面不低于晶圆的顶面。腔室本体的侧壁设有开孔。导流管设于腔室本体的内部，导流管包括管体，管体的进气口与开孔...
该专利属于北京屹唐半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京屹唐半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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