一种固定装置及等离子体设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种固定装置及等离子体设备，涉及半导体设备技术领域，能够减少固定件被电弧刻蚀而产生的颗粒污染物。该固定装置应用于工艺腔，该工艺腔具有安装孔；固定装置包括固定件以及用于保护所述固定件的保护件，固定件安装于工艺腔的安装孔内；保护件设置在固定件的顶部。本发明专利技术提供的一种固定装置及等离子体设备用于半导体器件、半导体芯片制造。半导体芯片制造。半导体芯片制造。

【技术实现步骤摘要】
一种固定装置及等离子体设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备，尤其涉及一种固定装置及等离子体设备。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，利用等离子体进行薄膜淀积、刻蚀时，通常在等离子体工艺腔中进行。该等离子体工艺腔具有多个用于固定各种设备的固定件。
[0003]当等离子体工艺腔中充满等离子体时，容易发生电弧放电现象。此时，等离子体工艺腔中的固定件容易被电弧刻蚀，产生颗粒污染物。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种固定装置及等离子体设备，以减少固定件被电弧刻蚀而产生的颗粒污染物。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供一种固定装置。该固定装置应用于工艺腔，该工艺腔具有安装孔；固定装置包括固定件以及用于保护所述固定件的保护件，固定件安装于工艺腔的安装孔内；保护件设置在固定件的顶部。
[0006]与现有技术相比，本专利技术提供的固定装置，在固定件的顶部设置保护件，可以通过保护件保护安装孔中的固定件，避免固定件暴露于工艺腔中。当工艺腔中具有等离子体时，保护件可以阻止安装孔中的固定件与工艺腔中的等离子体接触，从而可以避免等离子体中产生的电弧刻蚀固定件。此时，在保护件的保护下，可以避免固定件被电弧刻蚀产生颗粒污染物，从而能够提高工艺腔的清洁度，提高半导体工艺质量。另外，在保护件的保护下，能够减少等离子体产生的电弧对固定件的损伤，从而延长固定件使用寿命，降低成本。
[0007]本专利技术还提供一种等离子体设备。该等离子体设备包括上述的固定装置。r/>[0008]与现有技术相比，本专利技术提供的等离子体设备的有益效果与上述技术方案所述固定装置的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
[0009]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0010]图1为本专利技术实施例固定装置安装示意图；
[0011]图2为本专利技术实施例固定件安装示意图；
[0012]图3为本专利技术实施例固定件被电弧刻蚀后状态示意图；
[0013]图4为本专利技术实施例固定件凸出安装孔时保护件的设置示意图；
[0014]图5为本专利技术实施例固定件与安装孔平齐时保护件的设置示意图；
[0015]图6为本专利技术实施例固定件与保护件均位于安装孔的示意图；
[0016]图7为本专利技术实施例保护件位于安装孔的大孔部的第一种状态示意图；
[0017]图8为本专利技术实施例保护件位于安装孔的大孔部的第二种状态示意图；
[0018]图9为本专利技术实施例保护件位于安装孔的大孔部的第三种状态示意图。
[0019]图1
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图9中，10
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固定装置，11
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固定件，111
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柱状体，112
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螺帽，12
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保护件，20
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安装孔，201
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凹槽，202
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间隙，30
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喷淋头。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在附图中示出本专利技术实施例的各种示意图，这些图并非按比例绘制。其中，为了清楚明白的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0022]以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0023]此外，本专利技术中，“上”、“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义，应当能理解到，这些方向性术语是相对概念，它们用于相对的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位变化而相应地发生变化。
[0024]现有技术中，等离子体工艺腔中，通常会有多个固定装置。如图1所示，该固定装置10可以安装在工艺腔所具有的安装孔20中，用于固定工艺腔中的部件。这些部件可以为用于喷射气体、液体等各种物质的喷淋头30。气体可以为吹扫气体、工艺气体等。液体可以为化学液体、清洗液等液体。等离子体工艺腔可以是进行等离子体刻蚀的工艺腔，也可以是进行等离子体清洗的工艺腔，还可以是进行等离子体辅助化学气相淀积的工艺腔。当等离子体工艺腔是进行等离子体刻蚀的工艺腔，那么喷淋头可以是向等离子体工艺腔中喷淋刻蚀气体的喷淋头。当等离子体工艺腔是进行等离子体清洗的工艺腔，那么喷淋头可以是向等离子体工艺腔中喷淋清洁气体的喷淋头。
[0025]图2示例出固定装置10的结构示意图。如图2所示该固定装置10包括固定件11，固定件11安装于工艺腔具有的安装孔20内。该固定件11可以用于固定喷淋头30。如图3所示，当等离子体工艺腔中充满等离子体时，等离子体容易因电荷分布不均匀发生电弧放电现象。此时，固定件11暴露于工艺腔的部分容易被等离子体产生的电弧所刻蚀，从而产生颗粒污染物。
[0026]为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种固定装置。如图4～9所示，该固定装置应用于工艺腔，工艺腔具有安装孔。固定装置包括固定件11和用于保护固定件11的保护件12，固定件11安装于工艺腔具有的安装孔20内；保护件12设置在固定件11的顶部。
[0027]本专利技术实施例提供的固定装置10保护件12设在固定件11的顶部。也就是说，在固定件11的裸露面设置保护件12。这种结构的固定装置10，可以通过保护件12保护安装孔20
中的固定件11，避免固定件11暴露于工艺腔中。当工艺腔中充满等离子体时，保护件12可以阻止安装孔20中的固定件11与工艺腔中的等离子体接触，从而可以避免等离子体中产生的电弧刻蚀固定件11。此时，在保护件12的保护下，可以避免固定件11被电弧刻蚀产生颗粒污染物，从而能够提高工艺腔的清洁度，提高半导体工艺质量。另外，在保护件12的保护下，能够减少等离子体产生的电弧对固定件11的损伤，从而延长固定件11使用寿命，降低成本。
[0028]上述固定件11从形状来说，可以为柱状结构，也可以为帽形结构，但不仅限于此。该固定件11从连接方式来说，可以为螺纹固定件或可实现其它固定方式的固定件11。当固定件11为柱状结构时，固定件11为柱状固定件。该柱状固定件可以设置外螺纹，与安装孔20实现螺纹连接。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固定装置，其特征在于，应用于工艺腔，所述工艺腔具有安装孔；所述固定装置包括：固定件，所述固定件安装于所述工艺腔具有的所述安装孔内；以及用于保护所述固定件的保护件，所述保护件设置在所述固定件的顶部。2.根据权利要求1所述的固定装置，其特征在于，所述固定件的顶部和所述保护件均位于所述安装孔内，所述保护件的顶面与所述安装孔的孔口平齐。3.根据权利要求1所述的固定装置，其特征在于，当所述安装孔包括大孔部和小孔部，所述小孔部开设在所述大孔部的底部；所述固定件设在所述小孔部，所述保护件设在所述大孔部。4.根据权利要求3所述的固定装置，其特征在于，所述固定件的上部位于所述大孔部内。5.根据权利要求4所述的固定装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐官基，白国斌，高建峰，刘卫兵，刘金彪，孔真真，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：