一种抗静电污染的晶圆清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种抗静电污染的晶圆清洗装置，包括：晶圆承载组件，其边缘布设若干沿圆周方向排列的用于对晶圆进行限位的夹持组件；夹持组件由导电材料制成，且与电源连接。通过将夹持组件采用导电材料，并与电源连接，在进行清洗时，接通电源，除去夹持组件和晶圆的静电荷，防止静电荷聚集，防止对晶圆的二次污染。防止对晶圆的二次污染。防止对晶圆的二次污染。

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电污染的晶圆清洗装置


[0001]本技术涉及晶圆清洗
，尤其涉及一种抗静电污染的晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]现有技术中，晶圆单片式清洗的过程中使用的诸如支撑组件等部件为非导电材料，例如聚偏氟乙烯(PVDF)、聚醚醚酮(PEEK)或者聚四氟乙烯(PTFE)，晶圆清洗过程中静电荷容易聚集在这些部件以及晶圆自身，使用诸如去离子水或者异丙醇等清洗剂也容易导致静电荷积聚，导致静电颗粒粘附在晶圆或者清洗平台上，造成晶圆污染，影响晶圆的清洗质量和品质。

技术实现思路

[0003]基于上述问题，本技术提供一种抗静电污染的晶圆清洗装置，旨在解决现有技术中静电积聚造成晶圆污染等技术问题。
[0004]一种抗静电污染的晶圆清洗装置，包括：
[0005]晶圆承载组件，其边缘布设若干沿圆周方向排列的用于对晶圆进行限位的夹持组件；
[0006]夹持组件由导电材料制成，且与电源连接。
[0007]进一步的，晶圆承载组件的边缘还布设若干沿圆周方向排列的支撑组件；
[0008]支撑组件由导电材料制成，且与电源连接；
[0009]由支撑组件排列形成的圆周的半径小于由夹持组件排列形成的圆周半径；
[0010]支撑组件包括支撑头部，支撑头部的顶端指向晶圆的下表面。
[0011]进一步的，支撑头部的顶端为弧面。
[0012]进一步的，支撑头部为流线型。
[0013]进一步的，夹持组件包括位于顶端的夹持头部；夹持头部用于对晶圆进行限位；
[0014]夹持头部为流线型。
[0015]进一步的，晶圆承载组件上端面设有导流槽；
[0016]导流槽被下压导流盖覆盖；
[0017]下压导流盖的下端面与导流槽的底部之间的间隙形成气流扩散通道，下压导流盖的外侧面与导流槽的侧壁之间的间隙形成第一环形间隙，第一环形间隙连通气流扩散通道；
[0018]导流槽的底部开设固定槽；
[0019]固定槽用于固定喷流管组件；
[0020]喷流管组件用于向气流扩散通道输入气流；
[0021]第一环形间隙沿朝向晶圆的边缘倾斜。
[0022]进一步的，下压导流盖的上端面的边缘设置若干沿圆周方向排布的第一气孔；
[0023]第一气孔连通第一环形间隙；
[0024]第一气孔朝向晶圆边缘的方向倾斜。
[0025]进一步的，下压导流盖上还设有凹槽；
[0026]凹槽的侧壁向外倾斜；
[0027]凹槽的底部的边缘开设有若干沿圆周方向排列的第二气孔；
[0028]第二气孔连通气流扩散通道；
[0029]第二气孔向外倾斜。
[0030]进一步的，晶圆承载组件还开设有与夹持组件一一对应的第三气孔；
[0031]第三气孔的进气端连通气流扩散通道，第三气孔的出气端靠近对应的夹持组件；
[0032]第三气孔中含出气端的一段沿朝向夹持组件的方向倾斜。
[0033]进一步的，导流槽的底部设置若干第一支撑顶栓；
[0034]第一支撑顶栓用于支撑下压导流盖的下端面；
[0035]通过调节第一支撑顶栓的相对高度控制下压导流盖的下端面与导流槽的底部之间的相对高度。
[0036]本技术的有益技术效果在于：通过将夹持晶圆的支撑组件采用导电材料，并与电源连接，在进行清洗时，接通电源，除去支撑组件和晶圆的静电荷，防止静电荷聚集，防止对晶圆的二次污染，
附图说明
[0037]图1为本技术一种抗静电污染的晶圆清洗装置的结构示意图；
[0038]图2为本技术一种抗静电污染的晶圆清洗装置的局部结构示意图；
[0039]图3为本技术一种抗静电污染的晶圆清洗装置的夹持组件夹持晶圆的结构示意图；
[0040]图4为本技术一种抗静电污染的晶圆清洗装置的夹持头部的流线型示意图；
[0041]图5为本技术一种抗静电污染的晶圆清洗装置的支撑头部的流线型示意图；其中，
[0042]1‑
晶圆承载组件；
[0043]101
‑
夹持组件；
[0044]1011
‑
夹持头部；
[0045]102
‑
支撑组件；
[0046]1021
‑
支撑头部；
[0047]103
‑
导流槽；
[0048]104
‑
气流扩散通道；
[0049]105
‑
第一环形间隙；
[0050]106
‑
喷流管组件；
[0051]1061
‑
喷流孔；
[0052]1062
‑
通孔；
[0053]107
‑
第三气孔；
[0054]108
‑
第一支撑顶栓；
[0055]109
‑
第二支撑顶栓；
[0056]2‑
下压导流盖；
[0057]201
‑
第一气孔；
[0058]202
‑
凹槽；
[0059]203
‑
第二气孔。
[0060]3‑
晶圆。
具体实施方式
[0061]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0062]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0063]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。
[0064]参见图1
‑
2，本技术提供一种抗静电污染的晶圆清洗装置，包括：
[0065]晶圆承载组件(1)，其边缘布设若干沿圆周方向排列的用于对晶圆(3)进行限位的夹持组件(101)；
[0066]夹持组件(101)由导电材料制成，且与电源连接。
[0067]在使用清洗剂对晶圆(3)进行清洗时，使每个夹持组件(101)接通电源。
[0068]在进行清洗时，夹持组件(101)接通电源，夹持组件(101)接触夹持晶圆(3)的同时将静电荷移除，除去夹持组件(101)和晶圆(3)的静电荷，防止静电荷聚集，防止对晶圆(3)的二次污染。此外，在夹持组件(101)接触夹持晶圆(3)后，开始接通电电源，除去初始静电荷，然后旋转晶圆(3)对晶圆(3)进行清洗。进一步的，清洗过程中移除静电荷，形成了在清洗过程和非清洗过程均能保持静电荷消失的状态，防止静电导致颗粒粘附在夹持组件(101)和晶圆(3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，包括：晶圆承载组件，其边缘布设若干沿圆周方向排列的用于对晶圆进行限位的夹持组件；所述夹持组件由导电材料制成，且与电源连接。2.如权利要求1所述的一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆承载组件的边缘还布设若干沿圆周方向排列的支撑组件；所述支撑组件由导电材料制成，且与所述电源连接；由所述支撑组件排列形成的圆周的半径小于由所述夹持组件排列形成的圆周的半径；所述支撑组件包括支撑头部，所述支撑头部的顶端指向所述晶圆的下表面。3.如权利要求2所述的一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑头部的顶端为弧面。4.如权利要求2所述的一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑头部为流线型。5.如权利要求1所述的一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，所述夹持组件包括位于顶端的夹持头部；所述夹持头部用于对所述晶圆进行限位；所述夹持头部为流线型。6.如权利要求1所述的一种抗静电污染的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆承载组件上端面设有导流槽；所述导流槽被下压导流盖覆盖；所述下压导流盖的下端面与所述导流槽的底部之间的间隙形成气流扩散通道，所述下压导流盖的外侧面与所述导流槽的侧壁之间的间隙形成第一环形间隙，所述第一环形间隙连通所述气流扩散通道；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖仁红，唐宝国，周乾，卢证凯，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：