【技术实现步骤摘要】
一种防溢胶的固化系统及方法
[0001]本专利技术涉及IGBT封装
,尤其涉及一种防溢胶的固化系统及方法。
技术介绍
[0002]绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是第三代电力电子器件中最具先进性的功率半导体器件,具有高频率、高电压、大电流等优点,是柔性交直流输电、新能源发电、电能质量治理等领域的核心器件,目前已在相关行业得到广泛应用。在现有的IGBT模块的封装过程,有部分成品模块需要用到密封胶进行基板与外壳的粘连密封。密封胶作为半导体封装的关键材料,主要起到基板和外壳和粘接作用,同时借助硅凝胶,实现隔绝外部湿气环境对模块的影响。
[0003]近年来,随着半导体封装的发展,半导体封装的要求越来越高,对于半导体器件产品的要求越来越严格,特别值得关注的是产品的吸湿等级要求;需要保证产品同电气绝缘保护层之间在严苛的吸湿条件下正常的运作。外壳与基板之间的结合主要依靠密封胶的粘接,粘接的效果会直接影响模块的可靠性。
[0004]传统的密封胶固化方式为 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种固化系统,其特征在于,包括:预固化装置,用于装载待固化产品(6),并至少能够执行对所述待固化产品(6)的预固化加热;气体保护装置,用于向所述预固化装置提供保护所述待固化产品(6)的保护气体;冷却装置,用于冷却经所述预固化加热的待固化产品(6);烘干装置,用于对经所述预固化加热的待固化产品(6)执行二次固化加热;其中,所述预固化加热和/或二次固化加热是在具有不同注入状态的保护气体的交替或连续注入下执行的。2.一种固化系统,其特征在于,包括:预固化装置,用于装载待固化产品(6),并能够执行对所述待固化产品(6)的预固化加热、冷却及二次固化加热;气体保护装置,用于向所述预固化装置提供保护所述待固化产品(6)的保护气体;其中,所述预固化加热和/或二次固化加热是在具有不同注入状态的保护气体的交替或连续注入下执行的。3.根据权利要求1或2所述的固化系统,其特征在于,所述预固化装置包括:加热基板(7),用于执行对所述待固化产品(6)的固化加热;压膜基板(1),相对所述加热基板(7)设置,并能够活动地同所述加热基板(7)机械耦合以用于密封所述预固化模块(6)。4.根据权利要求1或2所述的固化系统,其特征在于,所述加热基板(7)构造有用于容置并固定所述待固化产品(6)的限位框(5),所述压膜基板(1)以与所述限位框(5)对应的方式构造有卡合部,其中,所述限位框(5)和卡合部在所述加热基板(7)和压膜基板(1)机械耦合之时,形成可留存所述保护气体的固化区域。5.根据权利要求1或2所述的固化系统,其特征在于,所述加热基板(7)具有可操作的加热丝,所述加热丝具有沿所述加热基板(7)外围向中心线性或非线性减小的宽度。6.根据权利要求1或2所述的固化系统,其特征在于,在所述待固化产品(6)的预固化加热和/或二次固化加热过程中,所述气体保护装置以如下方式提供保护气体:在第一注入时段内,以第一流量供给具有第一温度的保护气体;在第二注入时段内,以第二流量供...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡强,曾嘉庆,谢建彬,马悦,李润,王洪波,
申请(专利权)人:成都高投芯未半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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