一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，包括：（１）在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；（２）在氮化镓外延层表面生长ＳｉＯ２薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜；（３）在ＳｉＯ２薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；（４）刻蚀光刻胶窗口下的ＳｉＯ２或者ＳｉＮｘ薄膜，去胶后得到图形化的ＳｉＯ２或者ＳｉＮｘ薄膜；（５）步骤（４）得到的ＳｉＯ２或者ＳｉＮｘ薄膜上外延生长Ｐ型氮化镓；（６）腐蚀ＳｉＯ２或者ＳｉＮｘ薄膜获得凸凹起伏的表面。本发明专利技术克服了图形化蓝宝石衬底上的氮化镓ＬＥＤ外延层表面形貌难以做得粗糙的问题，避免了干法刻蚀对外延层损伤，提高了ＬＥＤ的出光效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种在氮化镓基发光二极管外延层制作织状结构表面或者表面粗化的方法。
技术介绍
氮化镓基发光二极管的基本结构是在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓发光外延层， 然后在外延层的上表面制作正/负金属电极，注入电流使之将电能转换成光能。蓝宝石衬 底是目前发光二极管产业化使用最多的氮化镓外延衬底，由于蓝宝石和氮化镓的晶格常数 不匹配和热膨胀系数的差异极大，外延生长时氮化镓薄膜的缺陷密度很高，降低了 LED发 光效率。用图形化蓝宝石衬底(patterned sa卯hire substrates,简称PSS)作为生长衬底是降低氮化镓外延层缺陷密度的一种有效方法，采用图形化蓝宝石衬底的氮化镓外延层晶体质量明显提高，外延层表面光滑平整，缺陷密度明显减少，发光效率大为改善。 由于氮化镓的折射率为2.4，比通常的材料高，一般平面LED光受临界角限制不能出射，光取出效率不高。目前较多的做法是通过改变LED表面结构和外形得到高效率的LED,改变LED表面形貌的方法是表面粗糙化。 对于普通蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层，氮化镓与蓝宝石晶格不匹配形成的位 错线会随着外延层生长一直沿伸到外延层表面，生长P本文档来自技高网...

【技术保护点】
氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，其特征在于包括：（１）在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；（２）在氮化镓外延层表面生长ＳｉＯ↓［２］薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜；（３）在ＳｉＯ↓［２］薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；（４）刻蚀光刻胶窗口下的ＳｉＯ↓［２］或者ＳｉＮｘ薄膜，将光刻图形转移到ＳｉＯ↓［２］或者ＳｉＮｘ薄膜上，去胶后得到图形化的ＳｉＯ↓［２］或者ＳｉＮｘ薄膜；（５）步骤（４）得到的ＳｉＯ↓［２］或者ＳｉＮｘ薄膜上外延生长Ｐ型氮化镓；（６）腐蚀ＳｉＯ↓［２］或者ＳｉＮｘ薄膜获得凸凹起伏的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田洪涛，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]