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本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法，包括：（１）在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；（２）在氮化镓外延层表面生长ＳｉＯ２薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜；（３）在ＳｉＯ２薄膜或者ＳｉＮｘ薄膜上涂敷光刻胶，制作光刻图形；（４）刻蚀光...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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