载板的研磨方法、载板及半导体晶片的研磨方法技术

本发明专利技术提供一种能够有效率地研磨使用于半导体晶片的两面研磨工序且制造后未使用的载板的正面和背面的方法。作为两面研磨装置中的研磨垫，使用在表面具有含研磨颗粒的层的研磨垫，所述含研磨颗粒的层埋入有粒径2μm以上的研磨颗粒，用两面研磨装置中的上平台与下平台夹持制造后未使用的研磨对象的载板，相对地旋转研磨对象的载板、上平台及下平台并供给研磨液，来研磨研磨对象的载板的两面。来研磨研磨对象的载板的两面。来研磨研磨对象的载板的两面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】载板的研磨方法、载板及半导体晶片的研磨方法


[0001]本专利技术涉及一种载板的研磨方法、载板及半导体晶片的研磨方法。

技术介绍

[0002]在作为半导体装置的基板使用的硅晶片等半导体晶片的制造中，为了实现更高的平坦度或表面粗糙度，用贴附有研磨垫的一对上平台及下平台夹持半导体晶片并供给研磨液，来进行同时研磨其两面的两面研磨工序。此时，半导体晶片保持在载板的晶片保持孔中。
[0003]作为上述载板，存在有不锈钢或钛等金属制(例如，参考专利文献1)、或树脂制(例如，参考专利文献2)，但所述任一的载板制造后未使用者其厚度均大于半导体晶片可研磨的厚度或者其平坦度低。因此，在配置于两面研磨装置并研磨半导体晶片之前的阶段，进行研磨载板正面和背面的处理。
[0004]例如，专利文献3中记载了下述方法：在配置于两面研磨装置并对晶片实施两面研磨处理之前的阶段，使用与用于两面研磨晶片的两面研磨装置不同的两面研磨装置，对载板进行2阶段两面研磨，其由使用含有研磨颗粒的浆料的1次研磨、以及使用不含有研磨颗粒的无机碱溶液的2次研磨所构成，由此防止在两面研磨工序中发生晶片损伤。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特许第5648623号说明书
[0008]专利文献2：日本特开2002
‑
254299号公报
[0009]专利文献3：日本特开2017
‑
104958号公报

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的技术问题
[0011]对于由专利文献3所记载的方法制造后未使用的载板实施两面研磨处理时，与研磨硅晶片的情况相比，研磨速率为1/10以下，有需要大量时间才能到达可用于晶片的两面研磨的厚度的问题。
[0012]本专利技术鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供一种能够有效率地研磨使用于半导体晶片的两面研磨装置且制造后未使用的载板的正面和背面的方法。
[0013]用于解决技术问题的方案
[0014]解决上述技术问题的本专利技术如下所述。
[0015][1]一种载板的研磨方法，其为研磨两面研磨装置中的载板的方法，所述两面研磨装置具备：具备保持半导体晶片的晶片保持孔的所述载板；以及以夹持所述载板的方式相向配置且在表面设置有研磨垫的上平台及下平台，通过相对地旋转所述载板、所述上平台及所述下平台并供给研磨液，来将保持于所述晶片保持孔的半导体晶片的正面和背面同时进行化学机械研磨，其特征在于，
[0016]作为所述两面研磨装置中的所述研磨垫，使用在表面具有含研磨颗粒的层的研磨垫，所述含研磨颗粒的层埋入有粒径2μ m以上的研磨颗粒，
[0017]用所述两面研磨装置中的所述上平台与所述下平台夹持制造后未使用的研磨对象的载板，相对地旋转所述研磨对象的载板、所述上平台及所述下平台并供给研磨液，来研磨所述研磨对象的载板的两面。
[0018][2]根据前述[1]所述的载板的研磨方法，其中，所述研磨颗粒的材料为氧化铝或金刚石。
[0019][3]根据前述[1]或[2]所述的载板的研磨方法，其中，研磨液为浆料、水或含有表面活性剂的水溶液。
[0020][4]根据前述[1]至[3]中任一个所述的载板的研磨方法，其中，所述研磨垫在所述含研磨颗粒的层的正下方，还具有未埋入有所述研磨颗粒的不含研磨颗粒的层。
[0021][5]一种载板，其特征在于，平坦度为2μ m以下。
[0022][6]一种半导体晶片的研磨方法，其特征在于，将研磨对象的半导体晶片填充至由前述[1]至[4]中任一个所述的载板的研磨方法所研磨的载板或前述[5]所述的载板的晶片保持孔中，并夹持于两面研磨装置的上平台与下平台之间，相对地旋转所述载板、所述上平台及所述下平台并供给研磨液，来研磨所述研磨对象的半导体晶片的正面和背面。
[0023][7]根据前述[6]所述的半导体晶片的研磨方法，其中，所述半导体晶片为硅晶片。
[0024]专利技术效果
[0025]根据本专利技术，能够有效率地研磨使用于半导体晶片的两面研磨装置且制造后未使用的载板的正面和背面。
附图说明
[0026]图1是针对专利技术例6，显示研磨后的载板的位置与厚度的关系的图，(a)是测定部位，(b)是各测定位置的载板的厚度。
[0027]图2是显示使用经实施现有例及专利技术例的研磨处理的载板实施两面研磨处理的硅晶片的GBIR的图。
具体实施方式
[0028](载板的研磨方法)
[0029]以下，参考附图，针对本专利技术的实施方式进行说明。本专利技术的载板的研磨方法为研磨两面研磨装置中的载板的方法，所述两面研磨装置具备：具备保持半导体晶片的晶片保持孔的载板；以及以夹持载板的方式相向配置且在表面设置有研磨垫的上平台及下平台，通过相对地旋转载板、上平台及下平台并供给研磨液，来将保持于晶片保持孔的半导体晶片的正面和背面同时进行化学机械研磨。在此，其特征在于，作为两面研磨装置中的研磨垫，使用在表面具有含研磨颗粒的层的研磨垫，所述含研磨颗粒的层埋入有粒径2μ m以上的研磨颗粒，用两面研磨装置中的上平台与下平台夹持制造后未使用的研磨对象的载板，相对地旋转研磨对象的载板、上平台及下平台并供给研磨液，来研磨研磨对象的载板的两面。
[0030]如上所述，两面研磨装置中的载板在制造后未使用的阶段，研磨至能够进行半导
体晶片的两面研磨的厚度。然而，本专利技术人判断出根据专利文献3所记载的方法进行载板的研磨时，在研磨上需要大量时间。
[0031]所以，本专利技术人针对能够更有效率地研磨载板的方法深入研究。其结果想到，在使用两面研磨装置研磨制造后未使用的研磨对象的载板时，作为安装至上平台及下平台的研磨垫，使用在表面具有固定研磨颗粒层的研磨垫，所述固定研磨颗粒层埋入有固定研磨颗粒。
[0032]然而，如后述实施例所示，判断出即使仅使用在表面具有固定研磨颗粒层的研磨垫研磨载板，也有无法提高研磨速率的情况。所以，本专利技术人进一步研究的结果，发现通过将固定研磨颗粒的粒径设为2μm以上，能提高研磨速率，从而完成本专利技术。以下，针对各要件进行说明。
[0033]首先，研磨对象的载板为制造后未使用的载板，在两面研磨装置中具有保持半导体晶片的保持孔。保持孔的数量可设为1以上的适当数量。
[0034]作为研磨对象的载板，可使用具备具有保持半导体晶片的保持孔的金属部、以及沿着划定上述保持孔的内壁配置的环状树脂部的载板、或者可使用全体由树脂部构成的载板。上述金属部可以由不锈钢(Steel Special Use Stainless，SUS)或钛等金属构成。并且，上述树脂部可以由环氧树脂、苯酚、聚酰亚胺等树脂或者由树脂中含有玻璃纤维、碳纤维、芳族聚酰胺纤维等强化纤维的纤维强化塑料等构成。
[0035]作为保持于载板的保持孔中进行研磨的半导体晶片，可为硅或锗、砷化镓等。半导体晶片的直径并未特别限定，可为150mm以上，例如可为1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种载板的研磨方法，其为研磨两面研磨装置中的载板的方法，所述两面研磨装置具备：具备保持半导体晶片的晶片保持孔的所述载板；以及以夹持所述载板的方式相向配置且在表面设置有研磨垫的上平台及下平台，通过相对地旋转所述载板、所述上平台及所述下平台并供给研磨液，来将保持于所述晶片保持孔的半导体晶片的正面和背面同时进行化学机械研磨，其特征在于，作为所述两面研磨装置中的所述研磨垫，使用在表面具有含研磨颗粒的层的研磨垫，所述含研磨颗粒的层埋入有粒径2μm以上的研磨颗粒，用所述两面研磨装置中的所述上平台与所述下平台夹持制造后未使用的研磨对象的载板，相对地旋转所述研磨对象的载板、所述上平台及所述下平台并供给研磨液，来研磨所述研磨对象的载板的两面。2.根据权利要求1所述的载板的研磨方法，其特征在于，所述研磨颗粒的材料为氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：御厨俊介，田久保伸弥，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：