芯片测试方法技术

本公开提供了一种芯片测试方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：针对待测试芯片执行至少一组芯片测试；在每次命令时序测试中，执行如下步骤：在第一目标行和第二目标行写入第一测试写入数据；向待测试芯片依次发送第一激活命令和第一自动预充电读取命令；间隔本次命令时序测试所对应的待调整时长之后，向待测试芯片依次发送第二激活命令和第一读取命令，得到第二目标行的第一测试读取数据；基于第一测试读取数据和第一测试写入数据，确定第二目标行在本次命令时序测试的第一读写测试结果；基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP。根据本公开实施例，能够对芯片自动预充电行为进行准确检测。电行为进行准确检测。电行为进行准确检测。

【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种芯片测试方法。

技术介绍

[0002]在半导体技术的发展中，为了提高指令总线使用效率，在芯片中引入了自动预充电(Auto Precharge)行为。具体地，通过将自动预充电行为搭配读写命令使用，无需发送额外的预充电(Precharge)命令，芯片会在设定好的时序后自动启动充电行为。
[0003]然而，由于自动预充电行为是在芯片内部自动进行的，无法向外部呈现，缺少一种能够对芯片自动预充电行为进行准确检测的技术方案。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种芯片测试方法，至少在一定程度上克服由于相关技术中无法对对芯片自动预充电行为进行准确检测的技术问题。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开的一个方面，提供了一种芯片测试方法，包括：
[0008]针对待测试芯片执行至少一组芯片测试，其中，每组芯片测试包括多次命令时序测试，每组芯片测试对应于一个预设读取到预充电时间tRTP，每次命令时序测试对应于一个待调整时长；
[0009]其中，在每次命令时序测试中，执行如下步骤：
[0010]在第一目标行和第二目标行写入相同的第一测试写入数据，第一目标行和第二目标行属于待测试芯片的同一存储体；
[0011]向待测试芯片依次发送第一激活命令和第一自动预充电读取命令，以对第一目标行执行读取操作；
[0012]自第一自动预充电读取命令开始、间隔本次命令时序测试所对应的待调整时长之后，向待测试芯片依次发送第二激活命令和第一读取命令，得到第二目标行的第一测试读取数据；
[0013]基于第一测试读取数据和第一测试写入数据，确定第二目标行在本次命令时序测试的第一读写测试结果；
[0014]基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP。
[0015]在一个实施例中，每组芯片测试中多次命令时序测试各自对应的待调整时长依次变化；
[0016]基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片
测试对应的实际tRTP，包括：
[0017]针对每组芯片测试，在本组芯片测试的多次命令时序测试各自对应的待调整时长中，确定满足第一预设选择条件的第一基准调整时长；
[0018]将第一基准调整时长确定为本组芯片测试对应的实际tRTP。
[0019]在一个实施例中，第一读写测试结果为表征读写失败的第一测试结果标识，或者表征读写成功的第二测试结果标识；
[0020]基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP，包括：
[0021]基于至少一组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，生成第一shmoo测试图，其中，第一shmoo测试图包括至少一个图像序列，每个图像序列对应一组芯片测试，每个图像序列包括多个图像单元，每个图像单元对应一次命令时序测试，每个图像单元具有可视化标识，可视化标识为第一测试结果标识或者第二测试结果标识；
[0022]基于第一shmoo测试图，选择满足第一预设选择条件的第一基准调整时长；
[0023]将第一基准调整时长确定为本组芯片测试对应的实际tRTP。
[0024]在一个实施例中，第一读写测试结果为表征读写失败的第一测试结果标识，或者表征读写成功的第二测试结果标识；
[0025]第一预设选择条件为：
[0026]对应于第一测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最大值；或者，
[0027]对应于第二测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最小值。
[0028]在一个实施例中，在每次命令时序测试中，还包括如下步骤：
[0029]在第三目标行和第四目标行分别写入第二测试写入数据和第三测试写入数据，第二测试写入数据和第三测试写入数据不同，第三目标行和第四目标行属于待测试芯片的同一存储体；
[0030]向待测试芯片依次发送第三激活命令和第二自动预充电读取命令，以对第三目标行执行读取操作；
[0031]自第二自动预充电读取命令开始、间隔本次命令时序测试所对应的待调整时长之后，向待测试芯片依次发送第四激活命令和第二读取命令，得到第四目标行的第二测试读取数据；
[0032]基于第二测试读取数据和第三测试写入数据，确定第四目标行在本次命令时序测试中的第二读写测试结果，第二读写测试结果为表征读写失败的第三测试结果标识，或者表征读写成功的第四测试结果标识；
[0033]以及，方法还包括：
[0034]基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第二读写测试结果，确定每组芯片测试对应的第一时延值，其中，第一时延值表示第二读写测试结果由第三测试结果标识转变为第四测试结果标识的待调整时长的临界值；
[0035]基于至少一组芯片测试各自对应的实际tRTP以及第一时延值，确定待测试芯片的tRP。
[0036]在一个实施例中，基于至少一组芯片测试各自对应的实际tRTP以及第一时延值，
确定待测试芯片的预充电有效时间tRP，包括：
[0037]基于至少一组芯片测试各自对应的实际tRTP，确定基准tRTP；
[0038]基于至少一组芯片测试各自对应的第一时延值，确定基准时延值；
[0039]根据基准时延值与基准tRTP的差值，确定tRP。
[0040]在一个实施例中，基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第二读写测试结果，确定每组芯片测试对应的第一时延值，包括：
[0041]针对每组芯片测试，在本组芯片测试的多次命令时序测试各自对应的待调整时长中，确定满足第二预设选择条件的第二基准调整时长；
[0042]将第二基准调整时长确定为本组芯片测试对应的第一时延值。
[0043]在一个实施例中，第二预设选择条件包括：
[0044]对应于第三测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最大值；或者，
[0045]对应于第四测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最小值。
[0046]在一个实施例中，基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第二读写测试结果，确定每组芯片测试对应的第一时延值，包括：
[0047]基于至少一组芯片测试中多次命令时序测试各自的第二读写测试结果，生成第二shmoo测试图，其中，第二shmoo测试图包括至少一个图像序列，每个图像序列对应一组芯片测试，每个图像序列包括多个图像单元，每个图像单元对应一次命令时序测试，每个图像单元具有可视化标识，可视化标识为第三测试结果标识或者第四测试结果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：针对待测试芯片执行至少一组芯片测试，其中，每组芯片测试包括多次命令时序测试，所述每组芯片测试对应于一个预设读取到预充电时间tRTP，每次命令时序测试对应于一个待调整时长；其中，在每次命令时序测试中，执行如下步骤：在第一目标行和第二目标行写入相同的第一测试写入数据，所述第一目标行和第二目标行属于所述待测试芯片的同一存储体；向所述待测试芯片依次发送第一激活命令和第一自动预充电读取命令，以对所述第一目标行执行读取操作；自所述第一自动预充电读取命令开始、间隔本次命令时序测试所对应的待调整时长之后，向所述待测试芯片依次发送第二激活命令和第一读取命令，得到所述第二目标行的第一测试读取数据；基于所述第一测试读取数据和所述第一测试写入数据，确定所述第二目标行在本次命令时序测试的第一读写测试结果；基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每组芯片测试中多次命令时序测试各自对应的待调整时长依次变化；所述基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP，包括：针对每组芯片测试，在本组芯片测试的多次命令时序测试各自对应的待调整时长中，确定满足第一预设选择条件的第一基准调整时长；将所述第一基准调整时长确定为所述本组芯片测试对应的实际tRTP。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一读写测试结果为表征读写失败的第一测试结果标识，或者表征读写成功的第二测试结果标识；所述基于每组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，确定每组芯片测试对应的实际tRTP，包括：基于所述至少一组芯片测试中多次命令时序测试各自的第一读写测试结果，生成第一shmoo测试图，其中，所述第一shmoo测试图包括至少一个图像序列，每个图像序列对应一组芯片测试，每个图像序列包括多个图像单元，每个图像单元对应一次命令时序测试，每个图像单元具有可视化标识，所述可视化标识为所述第一测试结果标识或者所述第二测试结果标识；基于所述第一shmoo测试图，选择满足第一预设选择条件的第一基准调整时长；将所述第一基准调整时长确定为本组芯片测试对应的实际tRTP。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第一读写测试结果为表征读写失败的第一测试结果标识，或者表征读写成功的第二测试结果标识；所述第一预设选择条件为：对应于所述第一测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最大值；或者，
对应于所述第二测试结果标识的命令时序测试各自对应的待调整时长中的最小值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述每次命令时序测试中，还包括如下步骤：在第三目标行和第四目标行分别写入第二测试写入数据和第三测试写入数据，所述第二测试写入数据和所述第三测试写入数据不同，所述第三目标行和第四目标行属于所述待测试芯片的同一存储体；向所述待测试芯片依次发送第三激活命令和第二自动预充电读取命令，以对所述第三目标行执行读取操作；自所述第二自动预充电读取命令开始、间隔本次命令时序测试所对应的待调整时长之后，向所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：