易清洗石墨舟及其清洗方法技术

本发明专利技术涉及PECVD镀膜技术领域，尤其涉及一种易清洗石墨舟及其清洗方法。所述的石墨舟包括本体；以及，设置在所述本体内表面的涂层；所述涂层为有机硅材料，所述有机硅材料含有Si

【技术实现步骤摘要】
易清洗石墨舟及其清洗方法


[0001]本专利技术涉及PECVD镀膜
，尤其涉及一种易清洗石墨舟及其清洗方法。

技术介绍

[0002]目前TOPCon电池已大规模量产，其中PECVD镀膜工艺能够实现原位掺杂、成本低、产能大、清洗绕镀简单，工艺精简等一系列优点，有望成为TOPCon电池工艺的主流。
[0003]在PECVD的使用中，主要利用石墨舟作为工装载具，其作用是乘载硅片，且在工艺过程中通电并促使等离子体辉光放电，产生工艺反应。反应中，石墨舟上也会被沉积上反应产生的薄膜，并且在重复使用中，薄膜沉积越来越厚，最后影响了石墨舟的导电性能，进入影响了沉积薄膜的工艺质量。故石墨舟到了一定的使用寿命，需要安排进行清洗，去除表面沉积的各种副产品薄膜。
[0004]目前清洗石墨舟的常规工艺是使用浓度较高的酸碱溶液清洗石墨舟，然后用DI(去离子水)漂洗石墨舟，最后在烘箱中将石墨舟烘干，整个清洗过程时间长、成本高且很难将石墨舟表面的副产品薄膜完全清洗干净。而石墨舟清洗不干净将影响沉积薄膜的工艺质量，从而降低电池的转换效率及良品率。
[0005]现有技术CN 106024681 A中公开了一种用于饱和石墨舟的叠层膜，所述叠层膜由下至上依次包括第一氮化硅层、氧化硅层和第二氮化硅层；所述第一氮化硅层沉积在所述石墨舟上；该叠层膜能够有效节约镀膜后的石墨舟的清洗时间，节省HF用量，降低成本。但该方案实际上仅适用于副产品薄膜为氮化硅的情况，而当副产品薄膜为氧化硅、掺杂多晶硅时，清洗效果将大幅度降低，无法将石墨舟表面清洗干净，从而引起舟打火，硅片薄膜、方阻不均匀等一系列现象，无法将石墨舟表面清洗干净，因此本领域在清洗石墨舟时仍存在进一步改善空间。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种易清洗石墨舟及清洗方法，用以解决上述技术缺陷，实现一种清洗更容易、清洗时间更短的石墨舟及其清洗方法。
[0007]本专利技术提供一种石墨舟，包括：
[0008]1)本体；以及，
[0009]2)设置在所述本体内表面的一层涂层；所述涂层为有机硅材料，所述有机硅材料含有Si
‑
C键、Si
‑
H键、Si
‑
OH键和Si
‑
O键中的一种或几种。
[0010]根据本专利技术提供的一种石墨舟，所述有机硅材料为有机硅树脂。
[0011]根据本专利技术提供的一种石墨舟，所述有机硅材料选自甲基硅树脂、苯基硅树脂和甲基苯基硅树脂中的一种或多种。
[0012]根据本专利技术提供的一种石墨舟，所述有机硅材料的熔点为500摄氏度以上。
[0013]根据本专利技术提供的一种石墨舟，所述涂层的厚度为0.01～5微米。
[0014]根据本专利技术提供的一种石墨舟，所述涂层的制备方法包括：将含有有机硅材料的
混合浆料包覆在本体内表面，其中所述混合浆料中有机硅材料的质量分数为15～60％。
[0015]本专利技术进一步提供上述石墨舟在PECVD镀膜中的应用。
[0016]本专利技术还提供一种清洗石墨舟的方法，上述的石墨舟经过至少1次PECVD镀膜后，放于清洗液中浸泡。
[0017]根据本专利技术提供的一种清洗石墨舟的方法，所述清洗液为无机碱溶液、无机酸溶液和丙酮中的一种或几种；优选地，所述清洗液为无机碱溶液。
[0018]根据本专利技术提供的一种清洗石墨舟的方法，所述清洗液的浓度为5～35％。
[0019]基于上述技术方案，本专利技术的有益效果在于：
[0020]本专利技术提供的一种易清洗石墨舟及清洗方法，通过在其内表面设置涂层，包覆该涂层的石墨舟经至少一次镀膜后，副产品薄膜脱落更快更简单，大大减少了清洗时间，清洗更容易更干净。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]本专利技术提供的一种石墨舟，包括：1)本体；以及，
[0023]2)设置在所述本体内表面的涂层；所述涂层为有机硅材料，所述有机硅材料含有Si
‑
C键、Si
‑
H键、Si
‑
OH键和Si
‑
O键中的一种或几种。
[0024]目前在优化石墨舟的清洗方法时，仍是基于对镀膜副产品氧化硅、非晶硅等分别进行常规酸洗和碱洗，优化方向往往是酸碱的选择以及浓度的选择等，而本申请发现在石墨舟本体内表面设有上述涂层，正常进行PECVD镀膜工艺后，清洗更容易、更干净且清洗时间更短。
[0025]根据本专利技术的一个优选实施例，所述有机硅材料为有机硅树脂。
[0026]根据本专利技术的一个优选实施例，所述涂层材料为甲基硅树脂、苯基硅树脂和甲基苯基硅树脂中的一种时，能够进一步降低清洗难度，若使用酸碱溶液作为清洗液，仅在较低浓度下浸泡一段时间石墨舟本体表面的薄膜就很容易脱落，且同时能够保证清洗干净。
[0027]根据本专利技术的一个优选实施例，所述有机硅材料的熔点为500摄氏度以上。
[0028]根据本专利技术的一个优选实施例，所述涂层的厚度为0.01～5微米。
[0029]在具体实施中，本领域技术人员能够根据实际情况，选择本领域常规的涂层包覆方式，如化学沉积、等离子沉积、浸泡、喷涂或涂覆等，并根据具体的涂层包覆方式选择包覆参数，在此不进行限定。
[0030]根据本专利技术的一个优选实施例，所述涂层的制备方法包括：将含有有机硅材料的混合浆料包覆在本体内表面，其中所述混合浆料中有机硅材料的质量分数为15～60％。
[0031]本专利技术中，所述混合浆料中除有机硅材料外，还含有对有机硅材料具有一定溶解度的有机溶剂，如甲苯、环己酮、无水乙醇、丙醇、丁醇和二丁酯等。
[0032]根据本专利技术的一个优选实施例，涂层包覆方式为涂覆、浸泡、喷涂或涂覆。
[0033]本专利技术进一步提供上述石墨舟在PECVD镀膜中的应用。
[0034]本专利技术还提供一种清洗石墨舟的方法，包括：上述的石墨舟经过至少1次PECVD镀膜后，放于清洗液中浸泡。
[0035]在本专利技术中，所述镀膜后石墨舟表面会产生的副产品薄膜包括：如掺杂非晶硅、本征非晶硅、氮化硅、氧化硅等。
[0036]根据本专利技术的一个优选实施例，所述清洗液为无机碱溶液、无机酸溶液和丙酮中的一种或几种；优选地，所述清洗液为无机碱溶液。
[0037]根据本专利技术的一个优选实施例，所述无机碱溶液为氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液中的一种或两种；所述无机酸溶液为氢氟酸和盐酸溶液中的一种或两种。
[0038]本专利技术中，所述清洗液在对镀膜后石墨舟进行浸泡时，作用的是所述涂层而非镀膜后涂层上的副产品。
[0039]根据本专利技术的一个优选实施例，当所述清洗液为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨舟，其特征在于，包括：1)本体；以及，2)设置在所述本体内表面的一层涂层；所述涂层为有机硅材料，所述有机硅材料含有Si
‑
C键、Si
‑
H键、Si
‑
OH键和Si
‑
O键中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的石墨舟，其特征在于，所述有机硅材料为有机硅树脂。3.根据权利要求1或2所述的石墨舟，其特征在于，所述有机硅材料选自甲基硅树脂、苯基硅树脂和甲基苯基硅树脂中的一种或多种。4.根据权利要求1～3任一项所述的石墨舟，其特征在于，所述有机硅材料的熔点为500摄氏度以上。5.根据权利要求1～3任一项所述的石墨舟，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王治业，赵本祥，郑波，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：