一种PECVD沉积腔室制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种PECVD沉积腔室，包括沉积腔室本体，所述沉积腔室本体的上侧壁板内侧安装有第一电极，所述沉积腔室本体的下侧壁板上设置有一对伸缩装置，一对所述伸缩装置上设置有伸缩杆，所述伸缩杆上安装有第二电极，所述第二电极上安装有载具，所述第二电极的两侧均固定连接有第二连接耳，所述载具的两侧均固定连接有第三连接耳，所述第二连接耳和第三连接耳上设置有第二螺钉。本实用新型专利技术将载具通过螺钉固定于电极的连接耳上，当载具需要进行更换和清洗时，拆下螺钉即可将载具拆卸，从而可将载具拿出进行清洗和更换，使得载具上薄膜的清理方便；将下侧的电极通过伸缩机构进行支撑，通过伸缩结构对电极之间的距离进行调节。节。节。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD沉积腔室


[0001]本技术属于PECVD
，具体涉及一种PECVD沉积腔室。

技术介绍

[0002]PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积，即PECVD。
[0003]采用PECVD沉积腔室对基片进行薄膜沉积时，载具上也会沉积薄膜，最终会在载具上沉积较多的薄膜，影响后续基片的薄膜沉积，现有的沉积腔室内的载具不易清洗和更换，使得载具上的薄膜处理比较麻烦；并且沉积腔室内电极安装后电极之间的距离不可调节。
[0004]因此，针对上述技术问题，有必要提供一种PECVD沉积腔室。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种PECVD沉积腔室，以解决上述的问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术一实施例提供的技术方案如下：
[0007]一种PECVD沉积腔室，包括沉积腔室本体，所述沉积腔室本体的上侧壁板内侧安装有第一电极，所述沉积腔室本体的下侧壁板上设置有一对伸缩装置，一对所述伸缩装置上设置有伸缩杆，所述伸缩杆上安装有第二电极，所述第二电极上安装有载具，所述第二电极的两侧均固定连接有第二连接耳，所述载具的两侧均固定连接有第三连接耳，所述第二连接耳和第三连接耳上设置有第二螺钉，所述第二电极和载具通过第二螺钉进行固定，所述沉积腔室本体的前侧壁上铰接有密封门。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述第一电极的两侧壁上均固定连接有第一连接耳，所述第一连接耳和沉积腔室本体的上侧壁上设置有第一螺钉。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述沉积腔室本体的下侧壁板上固定连接有一对套接筒，所述伸缩装置套接于套接筒内。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述伸缩杆的上端固定连接有支撑板，所述第二电极安装于支撑板上。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述载具上设置有防护板，所述防护板用于对基片的防护。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述沉积腔室本体的两侧壁上设置有进气管，所述进气管上安装有阀门。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述沉积腔室本体的前侧壁上开设有槽体，所述密封门的内侧壁上固定连接有与槽体相匹配的卡接板。
[0014]与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0015]本技术将载具通过螺钉固定于电极的连接耳上，当载具需要进行更换和清洗
时，拆下螺钉即可将载具拆卸，从而可将载具拿出进行清洗和更换，使得载具上薄膜的清理方便；将下侧的电极通过伸缩机构进行支撑，通过伸缩结构对电极之间的距离进行调节。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的正视图；
[0018]图2为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的立体图；
[0019]图3为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的爆炸图；
[0020]图4为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的一状态立体图一；
[0021]图5为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的一状态立体图二；
[0022]图6为本技术一实施例中一种PECVD沉积腔室的剖面图。
[0023]图中：1.沉积腔室本体、2.第一电极、3.第一连接耳、4.第一螺钉、5.第二电极、6.载具、7.防护板、8.第二连接耳、9.第三连接耳、10.第二螺钉、11.伸缩装置、12.伸缩杆、13.支撑板、14.套接筒、15.进气管、16.阀门、17.密封门、18.槽体、19.卡接板。
具体实施方式
[0024]以下将结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细描述。但该等实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0025]本技术一实施例公开的一种PECVD沉积腔室，参图1～图6所示，包括沉积腔室本体1，基片在使用前需要进行薄膜沉积，为了实现对基片进行薄膜沉积，通过沉积腔室本体1就可以实现对基片的薄膜沉积。
[0026]参图3～图6所示，沉积腔室本体1的上侧壁板内侧安装有第一电极2，沉积腔室本体1的下侧壁板上设置有一对伸缩装置11，一对伸缩装置11上设置有伸缩杆12，伸缩杆12上安装有第二电极5。第一电极2和第二电极5均设置于沉积腔室本体1的内部，第一电极2和第二电极5用于施加电源，当在第一电极2和第二电极5上施加电源后，第一电极2和第二电极5之间会形成等离子体。通过在等离子体内施加工艺气源，便可对沉积腔室本体1内的基片进行薄膜沉积。
[0027]参图3、图4和图6所示，第一电极2的两侧壁上均固定连接有第一连接耳3，第一连接耳3和沉积腔室本体1的上侧壁上设置有第一螺钉4。为了便于对第一电极2的安装，通过在第一电极2的两侧壁上固定连接第一连接耳3，在第一连接耳3和沉积腔室本体1的上侧壁板内侧均开设有螺纹孔，第一螺钉4通过螺纹孔螺纹连接于第一连接耳3和沉积腔室本体1上。在第一螺钉4的作用下，就可以将第一连接耳3固定连接于沉积腔室本体1上，即通过第一螺钉4将第一电极2固定连接于沉积腔室本体1上，需要拆装第一电极2时，只需要将第一螺钉4拆除和安装即可完成对第一电极2的拆装。
[0028]参图3和图6所示，沉积腔室本体1的下侧壁板上固定连接有一对套接筒14，伸缩装
置11套接于套接筒14内。为了便于对伸缩装置11的安装，通过在沉积腔室本体1的下侧壁板内固定连接套接筒14，使用时将伸缩装置11的下端套接于套接筒14内，套接筒14便可限制伸缩装置11的移动，使得伸缩装置11使用时稳定。
[0029]参图3和图6所示，伸缩杆12的上端固定连接有支撑板13，第二电极5安装于支撑板13上。在伸缩装置11上设置有伸缩杆12，在伸缩装置11的作用下可以使得伸缩杆12上下移动。由于伸缩杆12的上端固定连接有支撑板13，因此支撑板13会在伸缩杆12的作用下上下移动。而由于第二电极5安装于支撑板13上，因此在支撑板13的作用下使得第二电极5可以上下移动。
[0030]优选的，伸缩装置11可以选用液压或电动伸缩装置，便于控制伸缩杆12的伸缩即可。设置有一对伸缩装置11的作用是使得一对支撑板13对第二电极5进行支撑，以便使得第二电极5使用时稳定。支撑板13与第二电极5之间可以通过螺钉或粘贴等方式进行安装，确保支撑板13和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD沉积腔室，包括沉积腔室本体，其特征在于，所述沉积腔室本体的上侧壁板内侧安装有第一电极，所述沉积腔室本体的下侧壁板上设置有一对伸缩装置，一对所述伸缩装置上设置有伸缩杆，所述伸缩杆上安装有第二电极，所述第二电极上安装有载具，所述第二电极的两侧均固定连接有第二连接耳，所述载具的两侧均固定连接有第三连接耳，所述第二连接耳和第三连接耳上设置有第二螺钉，所述第二电极和载具通过第二螺钉进行固定，所述沉积腔室本体的前侧壁上铰接有密封门。2.根据权利要求1所述的一种PECVD沉积腔室，其特征在于，所述第一电极的两侧壁上均固定连接有第一连接耳，所述第一连接耳和沉积腔室本体的上侧壁上设置有第一螺钉。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎静，
申请(专利权)人：江苏实为半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：