本发明专利技术公开一种等离子体喷嘴部以及包括其的蒸镀装置，可以是，根据实施例的等离子体蒸镀装置包括沿着第一方向配置的多个等离子体喷嘴部和多个气体供应喷嘴部。可以是，所述等离子体喷嘴部的每一个包括：上壁和喷嘴壁，界定气体供应通道；中央壁，位于所述上壁之下，并在所述第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对而界定气体供应管，所述中央壁为绝缘体；等离子体电极，位于所述中央壁之下，并在第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对，并且连接于等离子体电源；以及侧壁，位于所述喷嘴壁的侧面，并与所述喷嘴壁一起界定气体排出管。并与所述喷嘴壁一起界定气体排出管。并与所述喷嘴壁一起界定气体排出管。
【技术实现步骤摘要】
等离子体喷嘴部以及包括其的蒸镀装置
[0001]本公开涉及等离子体喷嘴部以及包括其的蒸镀装置。
技术介绍
[0002]在等离子体蒸镀装置中，开发出在每个喷嘴中形成等离子体电极部的技术。
[0003]但是，由于在每个喷嘴中追加形成等离子体电极部而导致各喷嘴的宽度变大，由此在有限的空间中配置的喷嘴的数量可能减少。
[0004]当喷嘴的数减少时，利用等离子体蒸镀装置进行蒸镀的薄膜蒸镀速度降低，其带来生产率降低。
[0005]另外，当将等离子体电极部用作气体供应部时，发生在气体供应孔周边和内部蒸镀不必要的薄膜的污染，其可能成为引起装置的准确度以及蒸镀速度降低的原因。
技术实现思路
[0006]实施例用于提供立体图拓宽增加等离子体产生面积来提高蒸镀速度且防止在气体供应孔周边和孔内部发生污染的等离子体喷嘴部以及包括其的蒸镀装置。
[0007]但是，实施例所要解决的课题不限于上述的课题，可以在包括在实施例中的技术构思的范围中进行各种扩展。
[0008]可以是，根据实施例的等离子体喷嘴部包括：中央壁和喷嘴壁，在第一方向上彼此相对而界定气体供应管；以及等离子体电极，沿着与所述第一方向形成垂直的第二方向位于所述中央壁之下，并在所述第一方向上与所述喷嘴壁相对，并且连接于等离子体电源，所述喷嘴壁为绝缘体。
[0009]可以是，所述喷嘴壁包括：第一喷嘴壁和第二喷嘴壁，位于所述中央壁两侧；以及连接部，连接所述第一喷嘴壁和所述第二喷嘴壁。
[0010]可以是，所述中央壁位于所述连接部之下。
[0011]可以是，所述连接部包括多个气体供应孔。
[0012]可以是，沿着所述第一方向测定的所述中央壁的宽度比所述连接部的宽度宽。
[0013]可以是，所述喷嘴壁中的与所述中央壁相对的部分的宽度比所述喷嘴壁中的与所述等离子体电极相对的部分的宽度宽。
[0014]可以是，所述喷嘴壁的高度和所述等离子体电极的高度彼此不同。
[0015]可以是，根据实施例的等离子体蒸镀装置包括沿着第一方向配置的多个等离子体喷嘴部和多个气体供应喷嘴部。可以是，所述等离子体喷嘴部的每一个包括：上壁和喷嘴壁，界定气体供应通道；中央壁，位于所述上壁之下，并在所述第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对而界定气体供应管，所述中央壁为绝缘体；等离子体电极，位于所述中央壁之下，并在第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对，并且连接于等离子体电源；以及侧壁，位于所述喷嘴壁的侧面，并与所述喷嘴壁一起界定气体排出管。
[0016]可以是，所述多个气体供应喷嘴部的每一个包括：第一上壁和第一喷嘴壁，界定第
一气体供应通道；第一中央壁，位于所述第一上壁之下，并在所述第一方向上与所述第一喷嘴壁相对而界定气体供应管；以及第一侧壁，位于所述第一喷嘴壁的侧面，并与所述第一喷嘴壁一起界定气体排出管。
[0017]可以是，所述第一中央壁的长度与将所述中央壁的长度和所述等离子体电极的长度相加的长度相同。
[0018]可以是，所述多个等离子体喷嘴部和所述多个气体供应喷嘴部沿着所述第一方向交替配置。
[0019]可以是，所述多个等离子体喷嘴部沿着所述第一方向呈一列配置。可以是，所述多个气体供应喷嘴部沿着所述第一方向呈一列配置。可以是，所述多个等离子体喷嘴部沿着与所述第一方向形成直角的第三方向位于所述气体供应喷嘴部旁。
[0020]基于根据实施例的等离子体喷嘴部以及包括其的蒸镀装置，能够在不增加等离子体蒸镀装置的喷嘴面积的情况下拓宽增加等离子体产生面积来提高蒸镀速度且防止在气体供应孔周边和孔内部发生污染。
[0021]但是，实施例的效果不限于上述的效果，显而易见可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
附图说明
[0022]图1是根据一实施例的等离子体蒸镀装置的简要截面图。
[0023]图2是示出根据一实施例的等离子体蒸镀装置的气体供应部的一部分的立体图。
[0024]图3以及图4是示出根据一实施例的等离子体蒸镀装置的气体供应部的一部分的立体图。
[0025]图5是示出根据一实施例的等离子体蒸镀装置的气体供应部的一部分的截面图。
[0026]图6是示出根据一实施例的等离子体蒸镀装置的气体供应部的一部分的立体图。
[0027]图7是示出图6的一部分的立体图。
[0028]图8是示出根据另一实施例的等离子体蒸镀装置的气体供应部的一部分的立体图。
[0029](附图标记说明)
[0030]1000：等离子体蒸镀装置
[0031]10：下支承台
[0032]20：上盖
[0033]110：基板
[0034]200、300：气体供应部
[0035]200a：第一喷嘴部
[0036]200b：第二喷嘴部
[0037]E1a、E1b：喷嘴壁
[0038]E2：等离子体电极
[0039]IN：中央壁
[0040]SHa、SHb：气体供应管
[0041]OHa、OHb：气体排出管
[0042]SP：气体供应通道
[0043]SW：侧壁
[0044]UW：上壁
具体实施方式
[0045]以下，以所附的附图作为参考，针对本专利技术的多个实施例进行详细说明，以使在本专利技术所属的
中具有通常知识的人能够容易地实施。本专利技术可以以各种不同的形式实现，不限于在此说明的实施例。
[0046]为了明确地说明本专利技术，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书全文，针对相同或相似的构成要件，标注相同的附图标记。
[0047]另外，所附的附图只是用于使得容易理解本说明书中公开的实施例，本说明书中公开的技术构思不限于所附的附图，应理解为包括包含在本专利技术的构思以及技术范围中的所有变更、等同物乃至替代物。
[0048]另外，为了便于说明，附图中出现的各结构的尺寸以及厚度任意地示出，因此本专利技术不是必须限于图示。在附图中，为了明确地呈现多个层以及区域，放大厚度而示出。而且，在附图中，为了便于说明，夸张地示出一部分层以及区域的厚度。
[0049]另外，当说到层、膜、区域、板等部分“在”另一部分“之上”或“上”时，不仅包括其“直接在”另一部分“之上”的情况，还包括在其中间有又另一部分的情况。相反地，当说到某部分“直接在”另一部分“之上”时，表示在中间没有其它部分。另外，存在于成为基准的部分“之上”或“上”是位于成为基准的部分之上或之下，不意指必须位于向重力相反方向侧的“之上”或“上”。
[0050]另外，在说明书全文中，当说到某部分“包括”某构成要件时，在没有特别相反的记载的情况下，其不是将其它构成要件除外，意指可以还包括其它构成要件。
[0051]另外，在说明书全文中，当说到“平面上”时，其意指从上看对象部分的时候，当说到“截面上”时，其意指从旁边看垂直截取对象部分的截面。
[0052]另外本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体喷嘴部，其中，包括：中央壁和喷嘴壁，在第一方向上彼此相对而界定气体供应管；以及等离子体电极，沿着与所述第一方向形成垂直的第二方向位于所述中央壁之下，并在所述第一方向上与所述喷嘴壁相对，并且连接于等离子体电源，所述喷嘴壁为绝缘体。2.根据权利要求1所述的等离子体喷嘴部，其中，所述喷嘴壁包括：第一喷嘴壁和第二喷嘴壁，位于所述中央壁两侧；以及连接部，连接所述第一喷嘴壁和所述第二喷嘴壁。3.根据权利要求2所述的等离子体喷嘴部，其中，所述中央壁位于所述连接部之下。4.根据权利要求3所述的等离子体喷嘴部，其中，所述连接部包括多个气体供应孔。5.根据权利要求4所述的等离子体喷嘴部，其中，沿着所述第一方向测定的所述中央壁的宽度比所述连接部的宽度宽。6.根据权利要求1所述的等离子体喷嘴部，其中，所述喷嘴壁中的与所述中央壁相对的部分的宽度比所述喷嘴壁中的与所述等离子体电极相对的部分的宽度宽。7.根据权利要求6所述的等离子体喷嘴部，其中，所述喷嘴壁的高度和所述等离子体电极的高度彼此不同。8.一种等离子体蒸镀装置，其中，包括沿着第一方向配置的多个等离子体喷嘴部和多个气体供应喷嘴部，所述等离子体喷嘴部的每一个包括：上壁和喷嘴壁，界定气体供应通道；中央壁，位于所述上壁之下，并在所述第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对而界定气体供应管，所述中央壁为绝缘体；等离子体电极，位于所述中央壁之下，并在第一方向上与所述喷嘴壁的一部分相对，并且连接于等离子体电源；以及侧壁，位于所述喷嘴壁的侧面，并与所述喷嘴壁一起界定气体排出管。9.根据权利要求8所述的等离子体蒸镀装置，其中，所述喷嘴壁包括：第一喷嘴壁和第二喷嘴壁，位于所述中央壁两侧；以及连接部，连接所述第一喷嘴壁和所述第二喷嘴壁。10.根据权利要求9所述的等离子体蒸镀装置，其中，所述中央...
【专利技术属性】
技术研发人员：张喆旼，金定坤，许明洙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。