一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；凹部，设置在所述侧墙结构两侧的所述衬底内以及所述栅极结构上；掺杂层，设置在所述凹部上，或所述凹部暴露的所述衬底和所述栅极结构内；补偿层，设置在所述掺杂层上；以及源极和漏极，设置在所述栅极结构两侧的所述补偿层内。通过本发明专利技术提供的一种半导体器件及其制作方法，可减少半导体器件的漏电，提高半导体器件的性能。提高半导体器件的性能。提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管（Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOS）是半导体制造中的最基本器件，广泛适用于各种集成电路中，且根据载流子以及制作时的掺杂类型不同，分为NMOS晶体管和PMOS晶体管。在半导体器件的制作过程中，通过制备金属硅化物降低MOS晶体管的电阻，但由于金属层的扩散，容易导致在源极和漏极和栅极结构之间形成漏电通道，增大MOS晶体管的漏电，甚至会导致MOS晶体管失效。同时，在制作过程中，衬底的损伤可能进一步加剧漏电通道的形成。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，通过本专利技术提供的一种半导体器件及其制作方法，能够减少半导体器件的漏电，可以提高半导体器件的性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；凹部，设置在所述侧墙结构两侧的所述衬底内以及所述栅极结构上；掺杂层，设置在所述凹部上，或所述凹部暴露的所述衬底和所述栅极结构内；补偿层，设置在所述掺杂层上；以及源极和漏极，设置在所述栅极结构两侧的所述补偿层内。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述侧墙结构两侧的所述衬底内，所述补偿层与所述衬底齐平；和/或，在所述栅极结构上，所述补偿层与所述侧墙结构齐平。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂层包括第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述凹部的底部，以及所述凹部暴露的所述衬底上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为所述凹部深度的40%~60%。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂层包括第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述凹部暴露的所述衬底和所述栅极结构内。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述源极和所述漏极的深度小于所述第二掺杂层的深度，在所述源极和/或所述漏极的底部以及靠近所述栅极结构一侧的侧壁，所述第二掺杂层设置在所述源极和/或所述漏极与所述衬底之间。7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述补偿层为硅外延层，且所述补偿层的厚度或所述补偿层和所述第一掺杂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴，黄普嵩，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：