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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底；栅极结构，设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；凹部，设置在所述侧墙结构两侧的所述衬底内以及所述栅极结构上；掺杂层，设置在所述凹部上，或所...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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