用于减少鳍塌陷和晶体管泄漏的鳍图案化制造技术

至少一个鳍结构可以被创建在硅衬底上。接下来，所述至少一个鳍结构的宽度可以通过应用自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小。自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小。自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少鳍塌陷和晶体管泄漏的鳍图案化


[0001]本公开涉及半导体器件。更具体地，本公开涉及用于减少鳍塌陷和晶体管泄漏的鳍图案化。

技术介绍

[0002]对计算和存储容量的不断增长的需求推动了集成电路(IC)设计的器件密度的增加。半导体制造行业通过减小特征大小来增加IC设计的器件密度。

技术实现思路

[0003]本文描述的一些实施例可以在硅衬底上创建至少一个鳍结构。具体地，鳍式硬掩模图案可以被形成在硅衬底上，其中鳍式硬掩模图案上的每个特征可以包括被布置在硅衬底上的热氧化物层(例如通过在硅衬底上生长热氧化物层)、被布置在热氧化物层上的氮化硅层以及被布置在氮化硅层上的氧化物层。接下来，鳍蚀刻过程可以被用于在硅衬底上创建至少一个鳍结构。然后，实施例可以通过应用自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小至少一个鳍结构的宽度。具体地，在自限制鳍蚀刻过程的每次迭代中，自限制吸收过程可以被应用于至少一个鳍结构，然后自限制移除过程可以被应用于至少一个鳍结构。
[0004]在一些实施例中，将自限制吸收过程应用于至少一个鳍结构可以包括：将至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：在硅衬底上创建至少一个鳍结构；以及通过应用自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小所述至少一个鳍结构的宽度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述自限制鳍蚀刻过程的每次迭代包括：将自限制吸收过程应用于所述至少一个鳍结构；以及将自限制移除过程应用于所述至少一个鳍结构。3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述自限制吸收过程应用于所述至少一个鳍结构包括：将所述至少一个鳍结构暴露于化学物质，所述化学物质仅结合至所述至少一个鳍结构的最外原子层。4.根据权利要求2所述的方法，其中将所述自限制移除过程应用于所述至少一个鳍结构包括：移除所述至少一个鳍结构的最外原子层，而不移除所述最外原子层下方的另一原子层。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：创建围绕所述至少一个鳍结构的栅极结构。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个鳍结构是鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的一部分。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个鳍结构是全环绕栅极(GAA)器件的一部分。8.一种用于创建三维器件的方法，包括：在硅衬底上形成鳍式硬掩模图案；使用鳍蚀刻过程在所述硅衬底上创建至少一个鳍结构；以及通过应用自限制鳍蚀刻过程的一次或多次迭代来减小所述至少一个鳍结构的宽度。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述自限制鳍蚀刻过程的每次迭代包括：将自限制吸收过程应用于所述至少一个鳍结构；以及将自限制移除过程应用于所述至少一个鳍结构。10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述自限制吸收过程应用于所述至少一个鳍结构包括：将所述至少一个鳍结构暴露于化学物质，所述化学物质仅结合至所述至少一个鳍结构的最...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：