一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管技术

本申请实施例提供一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管，涉及集成电路技术领域，可以简化集成电路的制作过程，降低生产成本。该集成电路包括衬底以及设置在衬底上的FinFET；还包括GAAFET和/或forksheet FET；FinFET包括第一沟道层；第一沟道层包括层叠交替的第一半导体层和第二半导体层；第一半导体层的材料和第二半导体层的材料不相同；GAAFET和/或forksheet FET包括第二沟道层；第二沟道层包括层叠交替的第三半导体层和控制层；控制层包括栅极延伸部和设置在栅极延伸部侧面的第一栅介质层；栅极延伸部和第二栅极接触；其中，多层第一半导体层和多层第三半导体层一一对应，多层第一半导体层中的一层和多层第三半导体层中与其对应的一层属于同一图案层。层中与其对应的一层属于同一图案层。层中与其对应的一层属于同一图案层。层中与其对应的一层属于同一图案层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张日清，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：