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本申请实施例提供一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管，涉及集成电路技术领域，可以简化集成电路的制作过程，降低生产成本。该集成电路包括衬底以及设置在衬底上的FinFET；还包括GAAFET和/或forksheet FET；FinFET包括第...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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