用于输入缓冲器功率节省的设备和方法技术

描述用于在输入缓冲器处节省功率的设备和方法。实例设备包含：输入缓冲器，其包括耦合到一对串联耦合的反相器的放大器；及去加重电路，其与所述一对串联耦合的反相器中的一个并联耦合到所述输入缓冲器。所述去加重电路包括并联耦合到电阻的多个晶体管。所述实例设备进一步包含输入缓冲器控制电路，所述输入缓冲器控制电路配置成基于延时设置而选择性地启用所述多个晶体管中的一个以调整所述一对反相器中的所述一个两端的增益。器中的所述一个两端的增益。器中的所述一个两端的增益。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于输入缓冲器功率节省的设备和方法

技术介绍

[0001]归因于半导体装置之间的通信的高速性质，许多半导体装置在发射器侧上采用预加重电路以基于沟道的预期效应而预失真信号以用于在沟道上传输，和/或在接收器侧上采用去加重电路以补偿沟道的预期效应。去加重电路可在经由半导体装置上的电路系统对信号进行解码之前将信号幅度降低到正常电平。在一些常规实施方案中，去加重电路系统可针对特定频率应用而设计和优化，从而使得难以或不可能将去加重电路重新用于其它频率应用。因此，可能需要具有在多于一个频率应用中控制或配置去加重电路系统的能力。

技术实现思路

[0002]本文中描述实例设备。实例设备可包含：输入缓冲器，其耦合到端子且配置成接收输入信号且提供具有增益的输出信号；及去加重电路，其耦合到所述缓冲器且配置成基于延时设置而选择性地调整所述输入缓冲器的所述增益。另外或替代地，所述去加重电路可配置成当所述延时设置处于第一值时将所述输入缓冲器的所述增益调整第一量，且当所述延时设置为第二值时将所述输入缓冲器的所述增益调整第二量。另外或替代地，所述去加重电路可包含与所述输入缓冲器的一部分并联耦合的多个传输门，其中所述去加重电路配置成基于启用所述多个传输门中的一或多个而调整所述输入缓冲器的所述增益。在一些实例中，所述多个传输门是经由控制信号启用的晶体管。另外或替代地，所述去加重电路可进一步配置成基于所述输入缓冲器是否为单端差分输入缓冲器而选择性地调整所述输入缓冲器的所述增益。另外或替代地，所述实例设备可进一步包含输入缓冲器控制电路，所述输入缓冲器控制电路配置成使得所述去加重电路基于所述延时设置及所述输入缓冲器是配置为单端输入缓冲器还是差分输入缓冲器而调整所述输入缓冲器的所述增益。另外或替代地，所述输入缓冲器控制电路可配置成接收指示所述延时设置的模式寄存器设置，且使得所述去加重电路基于所述接收到的模式寄存器设置而调整所述输入缓冲器的所述增益。另外或替代地，所述输入缓冲器可包含放大器，其中通过限制所述放大器的电流消耗来进一步控制所述输入缓冲器的所述增益。
[0003]另一实例设备可包含：输入缓冲器，其包括耦合到一对串联耦合的反相器的放大器；去加重电路，其与所述一对串联耦合的反相器中的一个并联耦合到所述输入缓冲器，所述去加重电路包括并联耦合到电阻的多个晶体管；及输入缓冲器控制电路，其配置成基于延时设置而选择性地启用所述多个晶体管中的一个以调整所述一对反相器中的所述一个两端的增益。在一些实例中，所述多个晶体管中的至少两个可具有不同的沟道宽度。另外或替代地，当启用所述晶体管时，所述一对串联耦合的反相器中的所述一个两端的增益可减小。另外或替代地，所述输入缓冲器控制电路可配置成基于所述延时设置而通过限制所述放大器的电流消耗来调整所述放大器的增益。
[0004]本文中描述实例方法。实例方法可包含：在半导体装置的输入缓冲器控制电路处接收延时设置；基于所述延时设置而经由耦合到输入缓冲器的去加重电路设置所述半导体装置的输入缓冲器的增益的一部分；及基于所述延时设置而启用所述输入缓冲器。另外或
替代地，所述方法可进一步包含：响应于所述延时设置具有第一值而将所述增益的所述部分设置为第一量；及响应于所述延时设置具有第二值而将所述增益的所述部分设置为第二量。另外或替代地，所述方法可进一步包含通过启用所述去加重电路的传输门来设置所述增益的所述部分。在一些实例中，所述传输门是晶体管。另外或替代地，所述方法可进一步包含基于所述输入缓冲器是配置成单端操作还是差分操作而基于经由所述去加重电路设置所述输入缓冲器的所述增益的所述部分。另外或替代地，所述方法可进一步包含将所述输入缓冲器的所述增益的所述部分设置为在所述延时小于阈值时比在所述延时大于所述阈值时更高。另外或替代地，所述方法可进一步包含从所述半导体装置的模式寄存器接收所述延时设置。另外或替代地，所述方法可进一步包含通过限制所述输入缓冲器的放大器的电流消耗来进一步控制所述输入缓冲器的所述增益。在一些实例中，所述延时设置包含读取延时。在一些实例中，所述延时设置包含写入延时。在一些实例中，所述延时设置包含附加延时。在一些实例中，所述延时设置包含读取延时、写入延时或附加延时的任何组合。
附图说明
[0005]图1为根据本公开的实施例的设备的框图。
[0006]图2为根据本公开的实施例的命令/地址输入电路的部分的示范性框图。
[0007]图3为根据本公开的实施例的输入缓冲器控制电路的示范性示意图。
[0008]图4为根据本公开的实施例的输入缓冲器的示范性示意图。
[0009]图5为根据本公开的实施例的输入缓冲器控制电路的示范性示意图。
[0010]图6为根据本公开的实施例的输入缓冲器的示范性示意图。
具体实施方式
[0011]本公开描述具有能够控制去加重强度的可配置去加重电路的可配置输入缓冲器上的功率节省的实例。具有可配置去加重电路的输入缓冲器可包含与反相器串联连接的放大器。去加重电路可与反相器并联耦合。放大器可连接到沟道，且可配置成接收含有用例如数据、命令、地址、其它控制信号等信息编码的信号。在一些实例中，放大器可为单端放大器，所述单端放大器配置成将所接收信号的幅度与参考信号进行比较，以便将放大的输出信号提供到可配置去加重电路和反相器。在其它实例中，放大器可为差分放大器，所述差分放大器配置成比较两个差分信号的幅度，以便将放大的输出信号提供到可配置去加重电路和反相器。
[0012]在一些实例中，可经由提供到放大器的限流启用信号来控制放大器的增益。从放大器的输出实现的增益量还可由可配置去加重电路控制。在一些实例中，可配置去加重电路可调整耦合到放大器的输出节点的反相器两端的电阻，以便调整反相器两端的增益。去加重电路可包含从放大器的输出节点到反相器的输出节点与反相器并联耦合的两个或更多个梯级传输门电路的梯形电路。梯形电路的一或多个梯级上的晶体管可被选择性地启用以充当额外传输门，以调整反相器两端的电阻。去加重电路两端的电阻越低(例如，所启用的梯形电路的传输门越多)，反相器两端的增益越低。相反，去加重电路两端的电阻越高(例如，所启用的梯形电路的传输门越少)，反相器两端的增益越高。通过在放大器的输出处增加反相器两端的增益，可减少由输入缓冲器消耗的电流量。输入缓冲器可基于数据频率而
选择增益。对于较高频率，由去加重电路提供的增益可减小。对于较低频率，由去加重电路提供的增益可增加。
[0013]下文阐述某些细节以提供对本公开的实例的充分理解。然而，所属领域的技术人员将清楚，可在没有这些特定细节的情况下实践本公开的实例。此外，本文中所描述的本公开的特定实例不应解释为将本公开的范围限于这些特定实例。在其它情况下，尚未详细展示众所周知的电路、控制信号、时序协议和软件操作，以便避免不必要地混淆本公开的实例。另外，例如“耦合(couples和coupled)”的术语意味着两个组件可直接或间接电耦合。间接耦合可暗指两个组件通过一或多个中间组件耦合。
[0014]图1为根据本公开的实施例的设备的框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：输入缓冲器，其耦合到端子且配置成接收输入信号且提供具有增益的输出信号；及去加重电路，其耦合到所述缓冲器且配置成基于延时设置而选择性地调整所述输入缓冲器的所述增益。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述去加重电路配置成当所述延时设置处于第一值时将所述输入缓冲器的所述增益调整第一量，且当所述延时设置为第二值时将所述输入缓冲器的所述增益调整第二量。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述去加重电路包括与所述输入缓冲器的一部分并联耦合的多个传输门，其中所述去加重电路配置成基于启用所述多个传输门中的一或多个而调整所述输入缓冲器的所述增益。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个传输门是经由控制信号启用的晶体管。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述去加重电路进一步配置成基于所述输入缓冲器是否为单端差分输入缓冲器而选择性地调整所述输入缓冲器的所述增益。6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括输入缓冲器控制电路，所述输入缓冲器控制电路配置成使得所述去加重电路基于所述延时设置及所述输入缓冲器是配置为单端输入缓冲器还是差分输入缓冲器而调整所述输入缓冲器的所述增益。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述输入缓冲器控制电路配置成接收指示所述延时设置的模式寄存器设置，且使得所述去加重电路基于所述接收到的模式寄存器设置而调整所述输入缓冲器的所述增益。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述输入缓冲器包括放大器，其中通过限制所述放大器的电流消耗来进一步控制所述输入缓冲器的所述增益。9.一种设备，其包括：输入缓冲器，其包括耦合到一对串联耦合的反相器的放大器；去加重电路，其与所述一对串联耦合的反相器中的一个并联耦合到所述输入缓冲器，所述去加重电路包括并联耦合到电阻的多个晶体管；及输入缓冲器控制电路，其配置成基于延时设置而选择性地启用所述多个晶体管中的一个以调整所述一对反相器中的所述一个两端的增益。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下彰，浅木謙治，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：