应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法技术

本发明专利技术涉及一种应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法，属于半导体设备技术领域，温度控制组件包括自上而下依次相贴合地层叠设置的冷却板、第一石墨片、电加热板、第二石墨片、绝缘导热板、射频线圈和导热棉；导热棉的下表面与陶瓷圆顶的顶部相贴合；冷却板内部设置有冷却水管道。本方案实现了快速、均匀的温度控制，保证了半导体设备陶瓷圆顶温度控制高效、稳定，从而有效提升半导体表面沉积等工艺的效率和质量，并且体积较小，节省空间，便于使用。便于使用。便于使用。

【技术实现步骤摘要】
应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法


[0001]本专利技术属于半导体设备
，具体地涉及一种应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件及方法。

技术介绍

[0002]目前广泛采用的一些半导体设备工艺中，以HDP(High Density Plasma，高密度等离子体)沉积反应为例，其是在HDP设备的腔体(chamber)和陶瓷圆顶(ceramic dome)之间的真空腔室内完成，陶瓷圆顶需将温度控制在例如100℃以上的某一温度，陶瓷圆顶上方需要有射频线圈，从而通过电磁感应使腔室内通入的气体电离产生等离子体。
[0003]现有的温度控制结构例如申请公开号为CN103681300A的中国专利技术专利中所提及的，利用离子轰击或者在陶瓷圆顶外围设置加热装置等，此类现有结构具有如下问题：1、由于陶瓷圆顶导热性不佳，温度控制结构传热较慢、且均匀性不佳；2、温度控制结构的体积难以减小，占用较大空间；3、温度控制结构的外围还需要设置罩体加以阻隔，防止产生的较高温度影响其他部件，也会增加空间占用。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件，其特征在于，包括自上而下依次相贴合地层叠设置的冷却板(1)、第一石墨片(2)、电加热板(3)、第二石墨片(4)、绝缘导热板(5)、射频线圈(6)和导热棉(7)；所述导热棉(7)的下表面与所述陶瓷圆顶的顶部相贴合；所述冷却板(1)内部设置有冷却水管道。2.如权利要求1所述的应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件，其特征在于，所述冷却板(1)的所述冷却水管道连接有容器和泵；所述电加热板(3)的输入端和输出端通过电路连接有电源；所述射频线圈(6)的输入端和输出端通过电路连接有射频电源和射频匹配器。3.如权利要求1所述的应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件，其特征在于，所述温度控制组件在所述射频线圈(6)上方的部分均开设有上下贯通的导线通孔，所述射频线圈(6)的输入端导线和输出端导线穿过所述导线通孔延伸至所述温度控制组件上方。4.如权利要求1所述的应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件，其特征在于，所述第一石墨片(2)的厚度大于所述第二石墨片(4)的厚度。5.如权利要求4所述的应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部的温度控制组件，其特征在于，所述第一石墨片(2)的厚度为1.5mm，所述第二石墨片(4)的厚度为0.25mm。6.如权利要求1所述的应用于半导体设备陶瓷圆顶顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏宇，李伟阳，张建，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：