带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构制造技术

本发明专利技术公开带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包对应环形发光层的不发光区域设置，电极与环形发光层电性连接，并通过电极连接外部电源。本发明专利技术通过使用中心反光凸包和LED环形发光，实现LED芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。散布更加均匀。散布更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构


[0001]本专利技术涉及显示装置的背光部件
，尤其涉及带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构。

技术介绍

[0002]现有的LED芯片结构分为LED芯片正装结构、LED芯片倒装结构和OLED结构三种。现有的LED芯片的光源辐射一般均为朗伯分布，光强集中在正中，使得用作显示应用出现照射不均匀，需要增加二次透镜进行均光处理，并对于二次透镜正中心的表面处理要求极高，容易导致光损耗。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，通过使用中心反光凸包、LED环形发光的方法，实现LED芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。同时可解决LED芯片的中心结温过高的问题，降低结温提高可靠性及寿命。
[0004]本专利技术采用的技术方案是：带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包对应环形发光层的不发光区域设置，电极与环形发光层电性连接，并通过电极连接外部电源。
[0005]进一步地，LED芯片采用正装结构，由下至上依次层叠设置反光层、LED芯片衬底、环形发光层和反光凸包。
[0006]进一步地，电极设置在环形发光层上。
[0007]进一步地，LED芯片采用倒装结构，由下至上依次层叠设置反光层、环形发光层、LED芯片衬底和反光凸包。
[0008]进一步地，反光层的底面设有散热基板，电极设置在散热基板上并与环形发光层电性连接。
[0009]进一步地，环形发光层的发光区域的表面设有荧光层。
[0010]进一步地，反光凸包为是任意形状，反光凸包采用反光、透光、反光与透光相结合结构中的任意一种。
[0011]进一步地，环形发光层的内圈为圆形或者方形或其它任意形状；环形发光层的外圈为圆形或者方形或其它任意形状。
[0012]进一步地，反光凸包采用金属材质或者合金材质或者非金属材质成型。
[0013]进一步地，反光凸包采用在芯片表面涂覆低温合金浆体，烘烤后液态合金自然汇聚成微滴，冷却后自然形成的方法。也可以采用滴落
‑
凝固工艺制作成型，或者采用硅刻工艺制造+镀膜反光层制作成型。
[0014]本专利技术采用以上技术方案，通过使用中心反光凸包、LED环形发光的方法，实现LED
芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。
附图说明
[0015]以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明；图1为本专利技术LED芯片正装时的结构示意图；图2为本专利技术LED芯片倒装时的结构示意图。
[0016]附图标记：1
‑
反光层，2
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LED芯片衬底，3
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环形发光层，4
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电极，5
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中心不发光区域，6
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位于中心不发光区域上的反光凸包，7
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散热基板。
实施方式
[0017]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0018]如图1或2所示，本专利技术公开了带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其包括反光层1、LED芯片衬底2、环形发光层3和反光凸包6，环形发光层3具有位于中心的不发光区域5，反光凸包6对应环形发光层3的不发光区域5设置，电极4与环形发光层3电性连接，并通过电极4连接外部电源。
[0019]进一步地，如图1所示，LED芯片采用正装结构，由下至上依次层叠设置反光层1、LED芯片衬底2、环形发光层3和反光凸包6。
[0020]进一步地，电极4设置在环形发光层3上。
[0021]进一步地，如图2所示，LED芯片采用倒装结构，由下至上依次层叠设置反光层1、环形发光层3、LED芯片衬底2和反光凸包6。
[0022]进一步地，反光层1的底面设有散热基板7，电极4设置在散热基板7上并与环形发光层3电性连接。
[0023]进一步地，环形发光层3的发光区域的表面设有荧光层（图中未表示）。
[0024]进一步地，反光凸包6为是任意形状，反光凸包6采用反光、透光、反光与透光相结合结构中的任意一种。
[0025]进一步地，环形发光层3的内圈为圆形或者方形或其它任意形状；环形发光层3的外圈为圆形或者方形或其它任意形状。
[0026]进一步地，反光凸包6采用金属材质或者合金材质或者非金属材质成型。
[0027]进一步地，反光凸包6采用在芯片表面涂覆低温合金浆体，烘烤后液态合金自然汇聚成微滴，冷却后自然形成的方法。也可以采用滴落
‑
凝固工艺制作成型，或者采用硅刻工艺制造+镀膜反光层1制作成型。
[0028]具体地，本专利技术带中心反光凸包6及LED环形发光的LED芯片非郎伯分布结构，按照现有的LED正装/LED倒装/OLED设计流程进行设计。在设计发光层的掩膜Mask图时，正中心合适面积的圆形留空白，不设计发光功能。按照现有的LED正装/LED倒装/OLED设计流程进行生产。LED芯片生产结束后，使用合适的材质，金属或非金属材质，使用滴落
‑
固化或其它方法，制作反光凸包6。根据需要，在环形发光区域上增加荧光层。
[0029]本专利技术采用以上技术方案，通过使用中心反光凸包6、LED环形发光的方法，实现LED芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。
[0030]显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包对应环形发光层的不发光区域设置，电极与环形发光层电性连接，并通过电极连接外部电源。2.根据权利要求1所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：LED芯片采用正装结构，由下至上依次层叠设置反光层、LED芯片衬底、环形发光层和反光凸包。3.根据权利要求2所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：电极设置在环形发光层上。4.根据权利要求1所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：LED芯片采用倒装结构，由下至上依次层叠设置反光层、环形发光层、LED芯片衬底和反光凸包。5.根据权利要求4所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：反光层的底面设有散热基板，电极设置在散热基板上并与环形发光层电性连接。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴韦建，梁才权，叶帆，
申请(专利权)人：冠捷电子科技福建有限公司，
类型：发明
国别省市：