带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构制造技术

本发明专利技术公开带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包对应环形发光层的不发光区域设置，电极与环形发光层电性连接，并通过电极连接外部电源。本发明专利技术通过使用中心反光凸包和LED环形发光，实现LED芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。散布更加均匀。散布更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构


[0001]本专利技术涉及显示装置的背光部件
，尤其涉及带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构。

技术介绍

[0002]现有的LED芯片结构分为LED芯片正装结构、LED芯片倒装结构和OLED结构三种。现有的LED芯片的光源辐射一般均为朗伯分布，光强集中在正中，使得用作显示应用出现照射不均匀，需要增加二次透镜进行均光处理，并对于二次透镜正中心的表面处理要求极高，容易导致光损耗。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，通过使用中心反光凸包、LED环形发光的方法，实现LED芯片光辐射的非郎伯分布构型，让辐射光分布不集中在中心、散布更加均匀。同时可解决LED芯片的中心结温过高的问题，降低结温提高可靠性及寿命。
[0004]本专利技术采用的技术方案是：带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：其包括LED芯片衬底、反光层、环形发光层和反光凸包，环形发光层具有位于中心的不发光区域，反光凸包对应环形发光层的不发光区域设置，电极与环形发光层电性连接，并通过电极连接外部电源。2.根据权利要求1所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：LED芯片采用正装结构，由下至上依次层叠设置反光层、LED芯片衬底、环形发光层和反光凸包。3.根据权利要求2所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：电极设置在环形发光层上。4.根据权利要求1所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：LED芯片采用倒装结构，由下至上依次层叠设置反光层、环形发光层、LED芯片衬底和反光凸包。5.根据权利要求4所述的带中心反光凸包且环形发光LED芯片的非郎伯分布结构，其特征在于：反光层的底面设有散热基板，电极设置在散热基板上并与环形发光层电性连接。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴韦建，梁才权，叶帆，
申请(专利权)人：冠捷电子科技福建有限公司，
类型：发明
国别省市：