MicroLED微显示芯片及其制造方法技术

本申请公开了MicroLED微显示芯片及其制造方法，MicroLED微显示芯片包括驱动基板、多个LED单元，每一LED单元被单独驱动；台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层彼此断开且电隔离；第一钝化层覆盖LED单元，暴露对应的第一触点，第二开孔暴露对应的LED单元的第二掺杂型半导体层；彼此断开且电隔离的金属反射罩，覆盖第一钝化层，金属反射罩与对应的LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接，金属反射罩通过第一开孔与对应的第一触点电性连接。本申请通过金属反射罩来调整LED发光角度，降低像素间光学串扰；金属反射罩连接到第一触点和第二掺杂型半导体层，能够降低LED像素电阻，减小了整体功耗。减小了整体功耗。减小了整体功耗。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED微显示芯片及其制造方法


[0001]本申请是属于MicroLED微显示芯片领域，特别是关于MicroLED微显示芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]MicroLED微显示芯片，是指由多个单像素元件高密度集成的微型LED阵列，阵列中的每个像素点都能自发光。MicroLED微显示芯片具有高亮度、高分辨率等优异性能。
[0003]随着MicroLED显示技术的出现，使得显示设备如增强现实（Augmented Reality，AR）显示设备、虚拟现实（Virtual Reality，VR）显示设备、近眼显示（Near
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Eye Display，NED）以及抬头显示（Head Up Display，HUD）设备等的微型化和高分辨率成为可能。
[0004]但是，在工作过程中，LED单元的像素电阻较高，导致MicroLED微显示芯片的整体功耗较大。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供MicroLED微显示芯片及其制备方法，降低LED单元的像素电阻。
>[0006]下面对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED微显示芯片，其特征在于，包括：驱动基板（10），所述驱动基板（10）包括多个第一触点（101）；多个LED单元（200），阵列排布于所述驱动基板（10）上且每一所述LED单元（200）能够独立地被驱动，所述第一触点（101）位于相邻的所述LED单元（200）之间；每一所述LED单元（200）具有台阶结构，所述LED单元（200）具有第一掺杂型半导体层（210）、第二掺杂型半导体层（220）和位于两者之间的有源层（230）；所述台阶结构至少使相邻的所述LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）彼此断开且电隔离；第一钝化层（240），覆盖所述LED单元（200），所述第一钝化层（240）包括第一开孔（1011）和第二开孔（1012），所述第一开孔（1011）暴露对应的所述第一触点（101），所述第二开孔（1012）暴露对应的所述LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）；多个金属反射罩（250），所述金属反射罩（250）覆盖在所述第一钝化层（240）上并包围对应所述LED单元（200）的台阶结构，相邻所述金属反射罩（250）彼此断开且电隔离；所述金属反射罩（250）与对应的所述LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）电性连接，所述金属反射罩（250）通过所述第一开孔（1011）与对应的所述第一触点（101）电性连接。2.根据权利要求1所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述金属反射罩（250）包括第三开孔（1013），所述第三开孔（1013）暴露对应的LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）；所述MicroLED微显示芯片还包括：电极层（270），所述电极层（270）设置于金属反射罩（250）上，用于将所述金属反射罩（250）与对应的所述LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）电性连接，所述电极层（270）通过所述第二开孔（1012）与第二掺杂型半导体层（220）接触并电性连接，所述电极层（270）通过所述第三开孔（1013）与所述金属反射罩（250）接触并电性连接。3.根据权利要求2所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述MicroLED微显示芯片还包括：第二钝化层（260）；所述第二钝化层（260）设于所述金属反射罩（250）和所述电极层（270）之间，所述第二钝化层（260）设有第四开孔（1014），所述第四开孔（1014）暴露对应的所述LED单元（200）的所述第二掺杂型半导体层（220）。4.根据权利要求3所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述第四开孔（1014）在垂直方向上的投影不小于所述第三开孔（1013）在垂直方向上的投影，并暴露所述第三开孔（1013）。5.根据权利要求2所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述第三开孔（1013）在垂直方向上的投影不小于所述第二开孔（1012）在垂直方向上的投影，并暴露所述第二开孔（1012）。6.根据权利要求5所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述第二开孔（1012）以及所述第三开孔（1013）形成台阶。7.根据权利要求4所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述第二开孔（1012）、所述第三开孔（1013）以及所述第四开孔（1014）形成台阶。
8.根据权利要求1所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述MicroLED微显示芯片还包括：键合层（60），所述键合层（60）设于所述驱动基板（10）和所述LED单元（200）之间，所述键合层（60）为金属材质或非金属材质。9.根据权利要求1所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述金属反射罩（250）采用金、银、铝、铜、钛中的任意一种或多种的组合。10.根据权利要求2所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，所述电极层（270）采用氧化铟锡、ZnO、AZO、ATO、FTO、SnO2中的一种或多种组成。11.根据权利要求1所述的MicroLED微显示芯片，其特征在于，相邻所述LED单元（200）的第一掺杂型半...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓楠，顾银冬，张盼盼，庄永漳，孙志鹏，张庆，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：