一种新型静电吸盘及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种新型静电吸盘，包括：陶瓷机体；设置在所述陶瓷机体表面的多个陶瓷盘。本发明专利技术提供的新型静电吸盘可以通过把多个小尺寸吸盘同时集成到一个大的陶瓷盘面上，可以一次性多个吸盘同时对产品进行刻蚀加工。本发明专利技术提供的新型陶瓷静电吸盘能够同时吸附多个硅片，对多个吸片同时加工，对整体陶瓷盘的平面度要求较高，可以在一个腔体内一次性加工多个硅片，提升了加工效率。提升了加工效率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型静电吸盘及其制备方法


[0001]本专利技术属于静电吸盘
，尤其涉及一种新型陶瓷静电吸盘及其制备方法。

技术介绍

[0002]静电吸盘(ESC)广泛应用于半导体晶片刻蚀、光学等领域，不同材料制作的陶瓷盘对ESC产品具有很强的针对性。随着生产技术的发展，对高端芯片要求越来越高，对陶瓷盘的各种性能指标也越发严格。同时静电吸盘在使用过程中会不断被等离子轰击及磨损，因此每隔一段时间就要更换新的陶瓷盘。
[0003]现有的静电吸盘有4寸、6寸、8寸、12寸等各种类型的静电吸盘，在等离子刻蚀时只能进行单个产品的加工，整体的加工效率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种新型静电吸盘及其制备方法，本专利技术提供的新型静电吸盘可以一次性采用多个静电吸盘对多个产品同时进行刻蚀加工。
[0005]本专利技术提供了一种新型静电吸盘，包括：
[0006]陶瓷机体；
[0007]设置在所述陶瓷机体表面的多个陶瓷盘。
[0008]优选的，所述陶瓷机体的直径为380～420mm；
[0009]所述陶瓷盘的直径为120～130mm。
[0010]优选的，所述陶瓷机体的表面平面度为0.15～0.2mm。
[0011]优选的，所述陶瓷盘的表面平面度为0.01～0.015mm。
[0012]优选的，所述陶瓷盘包括：
[0013]底部陶瓷板；
[0014]顶部陶瓷板；
[0015]设置在底部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的钨电极。
[0016]优选的，所述底部陶瓷板和顶部陶瓷板的成分包括：氧化铝。
[0017]本专利技术提供了一种新型静电吸盘的制备方法，包括：
[0018]在大型陶瓷机体上通过去余量，形成多个陶瓷盘，再进行共烧成型，最后进行加工，得到新型静电吸盘。
[0019]优选的，所述大型陶瓷机体包括：
[0020]底部陶瓷板；
[0021]顶部陶瓷板；
[0022]设置在顶部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的钨电极。
[0023]优选的，所述去除余量选自激光切割的方式。
[0024]优选的，所述共烧成型的温度选自1500～1600℃。
[0025]本专利技术提供的新型静电吸盘可以通过把多个小尺寸吸盘同时集成到一个大的陶
瓷盘面上，可以一次性多个吸盘同时对产品进行刻蚀加工。本专利技术提供的新型陶瓷静电吸盘能够同时吸附多个硅片，对多个吸片同时加工，对整体陶瓷盘的平面度要求较高，可以在一个腔体内一次性加工多个硅片，提升了加工效率。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例制备的新型静电吸盘的图片。
具体实施方式
[0027]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]本专利技术提供了一种新型静电吸盘，包括：
[0029]陶瓷机体；
[0030]设置在所述陶瓷机体表面的多个陶瓷盘。
[0031]在本专利技术的实施例中，陶瓷机体的形状可以为圆盘状，陶瓷机体的直径可以为10～20寸，也可以为12～18寸，也可以为14～16寸，还可以为15寸；陶瓷机体的直径也可以选自380～420mm，如390mm、400mm、410mm；陶瓷机体的厚度可以选自3～5mm，如4mm；在本专利技术的实施例中，陶瓷盘在陶瓷机体上是凸出陶瓷机体存在的，陶瓷机体的厚度不包括陶瓷盘的厚度，仅仅是指陶瓷盘下方的陶瓷机体的厚度，此处的陶瓷机体的厚度可以为陶瓷盘底部陶瓷板的厚度。
[0032]在本专利技术的实施例中，陶瓷机体的成分包括氧化铝；陶瓷机体可以选自氧化铝质量含量为96％的氧化铝陶瓷。
[0033]在本专利技术的实施例中，陶瓷机体的表面平面度可以选自0.15～0.2mm，如0.16mm、0.18mm；尤其是陶瓷机体与陶瓷盘接触的表面的平面度需要达到0.15～0.2mm或≤0.15mm。
[0034]在本专利技术的实施例中，陶瓷盘的形状可以圆盘状，陶瓷盘的直径小于陶瓷机体的直径，可以在一个陶瓷机体表面设置多个陶瓷盘，陶瓷盘的直径可以为2寸、4寸、6寸、8寸、12寸等；陶瓷盘的直径可以选自120～130mm，如125mm；可以设置多个直径相同的陶瓷盘，也可以设置多个不同直径的陶瓷盘，本领域技术人员可根据实际需要设置多个陶瓷盘，陶瓷盘的设置个数可以为4～6个，也可以为5个；陶瓷盘的厚度可以选自3～5mm，如4mm；多个陶瓷盘的厚度相同。
[0035]在本专利技术的实施例中，陶瓷盘的结构可以包括：
[0036]底部陶瓷板；
[0037]顶部陶瓷板；
[0038]设置在底部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的钨电极。
[0039]在本专利技术的实施例中，底部陶瓷板的成分可以包括氧化铝；底部陶瓷板的厚度可以选自4～6mm，如5mm；此处陶瓷盘的底部陶瓷板可以采用陶瓷机体作为其底部陶瓷板；钨电极的厚度可以选自0.1～0.15mm，如0.12mm、0.13mm；顶部陶瓷板的成分可以包括氧化铝；顶部陶瓷板的厚度可以选自0.3～0.4mm，如0.35mm；多个陶瓷盘的结构相同。
[0040]在本专利技术的实施例中，多个陶瓷盘具有平行度要求，需要在同一水平度内，陶瓷盘的平行度可以≤0.1mm，以更好的对硅晶片进行抓取。
[0041]在本专利技术的实施例中，陶瓷盘的表面平面度可以选自0.1～0.15mm，如0.12mm、0.13mm。
[0042]本专利技术提供了一种新型静电吸盘的制备方法，包括：
[0043]在大型陶瓷机体上通过去除一定余量，形成多个陶瓷盘，再进行共烧成型，最后进行加工，得到新型静电吸盘。
[0044]在本专利技术的实施例中，大型陶瓷机体包括：
[0045]底部陶瓷板；
[0046]顶部陶瓷板；
[0047]设置在顶部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的钨电极。
[0048]在本专利技术的实施例中，大型陶瓷机体和上述技术方案所述的陶瓷盘的结构一致，在此不再赘述，陶瓷盘是由大型陶瓷机体通过去除余量形成的；由于陶瓷盘设置在大型陶瓷机体表面，可以采用大型陶瓷机体的底部陶瓷板作为陶瓷盘的底部陶瓷板，大型陶瓷机体的底部陶瓷板的厚度与陶瓷盘底部陶瓷板的厚度可以相同，大型陶瓷机体的底部陶瓷板厚度可以选自4～6mm，如5mm。
[0049]在本专利技术的实施例中，大型陶瓷机体的制备方法包括：
[0050]将生坯单片叠层形成底部陶瓷板，在底部陶瓷板表面印刷钨电极，在钨电极表面叠层生坯片形成顶部陶瓷板，再进行压制，得到大型陶瓷机体。
[0051]在本专利技术的实施例中，生坯单片的厚度可以选自0.4～0.5mm，如0.45mm；底部陶瓷板可以采用6～8层生坯单片叠层形成，如7层。
[0052]在本专利技术的实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型静电吸盘，包括：陶瓷机体；设置在所述陶瓷机体表面的多个陶瓷盘。2.根据权利要求1所述的新型静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷机体的直径为380～420mm；所述陶瓷盘的直径为120～130mm。3.根据权利要求1所述的新型静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷机体的表面平面度为0.15～0.2mm。4.根据权利要求1所述的新型静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷盘的表面平面度为0.01～0.015mm。5.根据权利要求1所述的新型静电吸盘，其特征在于，所述陶瓷盘包括：底部陶瓷板；顶部陶瓷板；设置在底部陶瓷板和顶部陶瓷板之间的钨电极。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：马俊峰，朱顺存，任蔚康，张伟泉，
申请(专利权)人：浙江新纳陶瓷新材有限公司，
类型：发明
国别省市：