用于服务器的电路板错层HDI制作方法技术

技术编号:38581313 阅读:11 留言:0更新日期:2023-08-26 23:26
本发明专利技术提供了一种用于服务器的电路板错层HDI制作方法,包括:步骤1,分别制作L1

【技术实现步骤摘要】
用于服务器的电路板错层HDI制作方法


[0001]本专利技术涉及电路板制作领域,特别涉及一种用于服务器的电路板错层HDI制作方法。

技术介绍

[0002]随着5G、云计算、大数据和人工智能等技术应用加快,数字经济蓬勃发展,在数据流量处于高速增长阶段的情况下,如果效率不提升,则会造成拥堵,因此需要大量基础设施的支撑,服务器就是其中重要的设备之一。受惠5G、AI、LOT、高速运算等应用成长,全球服务器建量需求憎加,其中5G高频、高速、低延迟特性多项应用推升服务器成长。部分服务器主板为满足轻薄型化的要求,需要复杂的盲孔结构进行导通,例如盲孔结构为L1

L3、L1

L2、L2

L3、L4

L6、L4

L5、L5

L6时,业内常规制作方法为走两次层压、两次激光钻盲孔,两次盲孔电镀填平的方式制作实现铜层间对接导通,但此流程存在以下不足:各铜层介质距离局限在≤0.15mm。由于激光钻盲孔深度及孔径能力为≤0.15mm,无法实现各铜层介质距离>0.15mm制作。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种用于服务器的电路板错层HDI制作方法,以解决至少一个上述技术问题。
[0004]为解决上述问题,作为本专利技术的一个方面,提供了一种用于服务器的电路板错层HDI制作方法,包括:
[0005]步骤1,分别制作L1

L3层、L4

L6层,其中,L1

L3层具有L1

L2盲孔、L1

L3盲孔,L4

L6层具有L5

L6盲孔、L4

L6盲孔,L3

L4层不流动半固化片上铣有长宽尺寸比模块A、B模块长宽尺寸大0.1mm的槽;
[0006]步骤2,将L1

L3层、L4

L6层芯板棕化,然后在L3

L4层间通过叠放不流动性半固化片,用管位钉铆合好后,通过层压将层间粘合在一起形成含盲槽的L1

L6层主模块;
[0007]步骤3,外光成像;
[0008]步骤4,在酸性蚀刻液的作用下,将露出区域的铜面蚀掉,露出A、B模块区域线路焊盘图形和靶位图形;
[0009]步骤5,激光控深切割:分别从L1、L6层进行激光切割,槽宽0.1mm,深度公差
±
0.05mm,将A、B模块切割出来,将盲槽内L3、L4层线路焊盘和靶位图形露出来。
[0010]步骤6,打靶:将L1

L6层主模块和垂直翻转后的A、B模块在冲孔机上识别靶位图形打出靶孔;
[0011]步骤7,层压:将打靶后的主模块和垂直翻转后的A、B模块棕化,然后在盲槽内依次叠放流动性半固化片和垂直翻转后的A、B模块,通过层压将层间粘合在一起形成L1

L6层。
[0012]优选地,垂直翻转是指将A模块L4层垂直翻转成L6层、L6层垂直翻转成L4层、L5

L6盲孔结构垂直翻转成L4

L5结构,将B模块L1垂直翻转成L3、L3垂直翻转成L1、L1

L2盲孔结
构垂直翻转成L2

L3结构。
[0013]本专利技术在空旷槽内依次叠放流动性半固化片和垂直翻转后的A、B模块方式制作,使各铜层介质距离>0.15mm的错层HDI结构加工技术得到了极大提升,为批量生产奠定了技术基础。
附图说明
[0014]图1示意性地示出了激光控深切割效果图;
[0015]图2示意性地示出了层压演示平面图;
[0016]图3示意性地示出了L3

L4层不流动半固化片开槽的示意图;
[0017]图4示意性地示出了步骤2的示意图;
[0018]图5示意性地示出了步骤3的示意图;
[0019]图6示意性地示出了步骤4的示意图;
[0020]图7示意性地示出了步骤5的示意图;
[0021]图8示意性地示出了步骤6的示意图;
[0022]图9示意性地示出了步骤7的示意图。
具体实施方式
[0023]以下对本专利技术的实施例进行详细说明,但是本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0024]在图1中,L1、L2、L3、L4、L5、L6为铜层(L1与L2、L2与L3、L3与L4、L4与L5、L5与L6铜层间距离为介质,铜层介质距离>0.15mm);1为A模块,层次为L4

L6层,盲孔结构为L5

L6;2为B模块,层次为L1

L3层,盲孔结构为L1

L2;3为激光控深切割挖出A、B模块的主模块;4为不流动半固化片;5为靶位图形(设计在非单元区);6为盲孔。
[0025]在图2中,7为垂直翻转后的A模块,层次为L4

L6层,盲孔结构为L4

L5;8为垂直翻转后的B模块,层次为L1

L3层,盲孔结构为L2

L3;9为流动性半固化片;10为打靶孔后的主模块;11为靶孔;12为层压后的主模块;13为管位钉。
[0026]本专利技术提供了一种应用于服务器类的PCB板错层HDI结构及制作方法,用本专利技术在空旷槽内依次叠放流动性半固化片和垂直翻转后的A、B模块方式制作,使各铜层介质距离>0.15mm的错层HDI结构加工技术得到了极大提升,为批量生产奠定了技术基础。
[0027]目前,现有技术中行业较为通用制作方法:开料

内光成像1

内层蚀刻1

层压1

棕化减铜1

激光钻孔1

等离子1

电镀填孔1

内光成像1

内层蚀刻1

层压

棕化减铜

激光钻孔

等离子

电镀填孔

钻孔

沉铜

板镀

外光成像

图形电镀

外层蚀刻

阻焊/字符

沉金

铣板

正常后工序。
[0028]本专利技术是一种应用于服务器类的PCB板错层HDI结构及制作方法,由于L1

L2盲孔与L2

L3盲孔,L4

L5盲孔与L5

L6盲孔属错层HDI结构,无法同时走机械钻孔制作,需要先用铣槽挖空后的不流本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于服务器的电路板错层HDI制作方法,其特征在于,包括:步骤1,分别制作L1

L3层、L4

L6层,其中,L1

L3层具有L1

L2盲孔、L1

L3盲孔,L4

L6层具有L5

L6盲孔、L4

L6盲孔,L3

L4层不流动半固化片上铣有长宽尺寸比模块A、B模块长宽尺寸大0.1mm的槽;步骤2,将L1

L3层、L4

L6层芯板棕化,然后在L3

L4层间通过叠放不流动性半固化片,用管位钉铆合好后,通过层压将层间粘合在一起形成含盲槽的L1

L6层主模块;步骤3,外光成像;步骤4,在酸性蚀刻液的作用下,将露出区域的铜面蚀掉,露出A、B模块区域线路焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志明赵林飞
申请(专利权)人:深圳市迅捷兴科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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