高电压贯通型电容器制造技术

本发明专利技术提供一种高电压贯通型电容器，其在素体上形成有在相互对置的第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂以到达素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管的电阻率为树脂的电阻率以上。阻率以上。阻率以上。

【技术实现步骤摘要】
高电压贯通型电容器


[0001]本专利技术涉及高电压贯通型电容器。

技术介绍

[0002]已知的高电压贯通型电容器具备：具有相互对置的第一主面和第二主面的素体、贯通导体、接地配件、绝缘壳、绝缘罩、绝缘管、以及树脂(例如，参照日本特许第3803258号)。该高电压贯通型电容器具有配置于第一主面的第一电极和配置于第二主面的第二电极。在素体上形成有在第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分，并且与第一电极电连接。接地配件与第二电极电连接。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂填充于绝缘壳的内侧及绝缘罩的内侧。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个方式的目的在于，提供一种提高可靠性的高电压贯通型电容器。
[0004]一个方式的高电压贯通型电容器具备素体、第一电极、第二电极、贯通导体、接地配件、绝缘壳、绝缘罩、绝缘管、第一树脂、以及第二树脂。素体具有相互对置的第一主面和第二主面。在素体上形成有在第一主面和第二主面上开口的贯通孔。第一电极配置于第一主面。第二电极配置于第二主面。贯通导体具有比贯通孔的内径小的外径，并且与第一电极电连接。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。接地配件与第二电极电连接。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。第一树脂以覆盖素体的方式填充于绝缘壳的内侧。第二树脂以到达划分贯通孔的素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率。
[0005]本专利技术人等对提高可靠性的高电压贯通型电容器进行了调查研究。其结果是，本专利技术人等重新发现了以下事项。
[0006]形成于第二电极和贯通导体这两个导体间的电场的强度影响到高电压贯通型电容器的可靠性。以下，形成于第二电极和贯通导体之间的电场的强度有时被简称为“导体间电场强度”。在导体间电场强度高的高电压贯通型电容器中，容易产生绝缘破坏。绝缘破坏例如通过沿着划分贯通孔的素体内表面的放电而产生。因此，在采用了降低导体间电场强度的结构的高电压贯通型电容器中，难以产生绝缘破坏。即，采用了降低导体间电场强度的结构的高电压贯通型电容器可提高可靠性。
[0007]本专利技术人等对降低导体间电场强度的结构进行了调查研究。其结果是，本专利技术人等发现了绝缘管的电阻率和第二树脂的电阻率的关系会影响到导体间电场强度。即，绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率的结构使导体间电场强度降低。绝缘管的电阻率和第二树脂的电阻率之间的关系在以往并未考虑到。
[0008]在上述一个方式中，绝缘管具有第二树脂的电阻率以上的电阻率。因此，上述一个
方式可使导体间电场强度降低，提高可靠性。
[0009]本专利技术将从下文给出的详细描述和仅以说明的方式给出的附图得到更充分的理解，因此，不应被视为限制本专利技术。
[0010]本专利技术的进一步适用范围将从下文给出的详细描述中变得显而易见。然而，应当理解的是，虽然示出本专利技术的实施例，但详细的描述和具体实施方式仅通过说明的方式给出，这是因为在本专利技术的精神和范围内的各种变化和修改对于本领域技术人员来说将从该详细描述中变得显而易见。
附图说明
[0011]图1是表示一实施方式的高电压贯通型电容器的分解立体图。
[0012]图2是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的剖面结构的图。
[0013]图3是表示电阻率和电场强度的关系的图表。
[0014]图4是表示电场强度的模拟结果的一例的图。
[0015]图5是表示电场强度的模拟结果的另一例的图。
具体实施方式
[0016]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术的实施方式。在以下的描述中，对相同的元件或具有相同功能的元件标注相同的符号，且省略重复的说明。
[0017]参照图1及图2对本实施方式的高电压贯通型电容器HC1的结构进行说明。图1是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的分解立体图。图2是表示本实施方式的高电压贯通型电容器的剖面结构的图。
[0018]高电压贯通型电容器HC1具备素体10、电极11、电极12、接地配件20、多个贯通导体30、40、多个电极连接体31、41、多个绝缘管37、47、绝缘壳50、绝缘罩60、树脂70、以及树脂80。在本实施方式中，高电压贯通型电容器HC1具备两个贯通导体30、40、两个电极连接体31、41、以及两个绝缘管37、47。
[0019]素体10具有相互对置的主面10a和主面10b。在本实施方式中，主面10a和主面10b在第一方向D1上相互对置。主面10a及主面10b规定了素体10的第一方向D1上的两端面。素体10具有侧壁面10c。侧壁面10c以将主面10a及主面10b彼此连结的方式沿第一方向D1延伸。在从第一方向D1观察时，侧壁面10c划分素体10的外周。在本说明书中，从主面10b朝向主面10a的方向为上方向。主面10a位于比主面10b靠上方。例如，在主面10a构成第一主面的情况下，主面10b构成第二主面。
[0020]素体10例如含有绝缘材料。素体10例如含有陶瓷。陶瓷例如包含BaTiО3、BaZrO3、CaTiO3、或MgTiO3。素体10也可以含有添加于陶瓷的添加物。添加物例如包含Si、Mg、Zr、Zn、Y、V、Al或Mn。
[0021]电极11配置在主面10a上。电极12配置在主面10b上。电极11和电极12在第一方向D1上相互对置。素体10位于电极11和电极12之间。因此，在素体10位于电极11和电极12之间的状态下，电极11和电极12在第一方向D1上相互间接地对置。电极11具有一对导体13、14。导体13、14配置在主面10a上。导体13、14在主面10a上相互分离。在本实施方式中，导体13、14在与第一方向D1交叉的第二方向D2上相互分离。导体13与电极12在第一方向D1上相互对
置。导体14与电极12在第一方向D1上相互对置。例如，在电极11构成第一电极的情况下，电极12构成第二电极。
[0022]电极11及电极12含有导电性金属材料。导电性金属材料例如包含Ag。电极11及电极12也可以含有导电性金属材料并含有磁性材料。磁性材料例如包含Fe、Co、Ni、Cu或Sr。磁性材料例如也可以包含选自由Fe、Co、Ni、Cu及Sr构成的组中的至少两种元素。电极11及电极12例如通过将赋予主面10a及主面10b的导电性膏烧结而形成。用于形成电极11及电极12的导电性膏含有上述导电性金属材料。
[0023]如图1及图2所示，在素体10上形成有多个贯通孔15、16。在本实施方式中，在素体10上形成有两个贯通孔15、16。素体10具有划分贯通孔15的内表面15a和划分贯通孔16的内表面16a。贯通孔15在主面10a和主面10b上开口。贯通孔15从主面10a贯通到主面10b。贯通孔16在主面10a和主面10b上开口。贯通孔16从主面10a贯通到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电压贯通型电容器，其具备：素体，其具有相互对置的第一主面和第二主面，并且形成有在所述第一主面和所述第二主面上开口的贯通孔；第一电极，其配置于所述第一主面；第二电极，其配置于所述第二主面；贯通导体，其具有比所述贯通孔的内径小的外径，并且与所述第一电极电连接，具有位于所述贯通孔内的第一部分和从所述第二主面突出的第二部分；接地配件，其与所述第二电极电连接；绝缘壳，其以包围所述素体的方式配置；绝缘罩，其以包围所述第二部分的方式配置；绝缘管，其覆盖所述第一部分；第一树脂，其以覆盖所述素体的方式填充于所述绝缘壳的内侧；第二树脂，其以到达划分所述贯通孔的所述素体的内表面和所述绝缘管之间的空间的方式填充于所述绝缘罩的内侧，所述绝缘管具有所述第二树脂的电阻率以上的电阻率。2.根据权利要求1所述的高电压贯通型电容器，其中，所述绝缘管的电阻率为1
×
109Ω

【专利技术属性】
技术研发人员：加茂雄大，龟桥健一，田中寿，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：