根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法技术

本发明专利技术提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，提供至少一晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光；之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片；根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个切割段的形貌偏差值；以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；随机形成多组光刻工艺条件的测试参数，利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值；选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明专利技术通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述，通过模型预测最佳工艺条件，节约了时间。时间。时间。

【技术实现步骤摘要】
根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺中光刻胶显影后形貌将直接影响到硅片上图形的质量，进而影响最终器件的性能，在图形尺寸不断缩小的情况下，保持较好的形貌变得尤为重要。在特色工艺更小的节点中(CIS，CMOS图像传感器),厚胶的应用也对光刻胶形貌提出更高的要求。
[0003]CIS器件中部分工艺采用两次曝光工艺(double
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exposure),当前需要光刻工程师通过调整曝光剂量和焦距：Dose1/Focus1,Dose2/Focus2来调整光刻胶形貌，而四个变量让工艺研发及量产难度急剧提升。
[0004]现有的方法是工程师根据经验盲猜，ADI(显影后检测)量测后确认形貌，需要反复反馈迭代(n次)进行形貌修正，周期长，人力成本高，且浪费大量晶圆。除了增加研发成本外，在量产阶段，光刻胶批次变更，光刻机PM(复机)等外界因素均会导致形貌变化，需要重新调整。
>[0005]为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供至少一晶圆，在所述晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光，所述光刻工艺条件包括曝光剂量和焦距；之后获取每个所述曝光区域上的光刻胶形貌图片；步骤二、根据所述光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割所述光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个所述切割段的形貌偏差值，所述形貌偏差值为所述切割段与目标图形的差值；步骤三、以所述光刻工艺条件的参数及其对应的所述形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；步骤四、随机形成多组所述光刻工艺条件的测试参数，利用所述机器学习模型得到每组所述测试参数的所述形貌偏差值；步骤五、选择符合判定值的所述形貌偏差值对应的所述测试参数作为最终光刻工艺条件。2.根据权利要求1所述的根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，其特征在于：步骤一中的所述在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光的次数为两次。3.根据权利要求1所述的根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，其特征在于：步骤一中利用扫描电子显微镜获取所述光刻胶形貌图片。4.根据权利要求1所述的根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，其特征在于：步骤一中每个所述曝光区域上的所述光刻胶形貌图片的规格一致。5.根据权利要求4所述的根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑鸿柱，郭纹辰，张利东，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：