一种转运装置排气系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种转运装置排气系统，涉及半导体材料生产设备技术领域，主要结构包括运转室和装载室；运转室的一侧与立式成膜装置的反应室的一侧之间设置有第一阀门；运转室的另一侧与装载室的一侧之间设置有第二阀门；运转室内设置有第一搬运机构，第一搬运机构用于反应室和装载室之间的物品搬运；还包括进气组件和排气组件。本实用新型专利技术中的转运装置排气系统，多个腔室依照腔室内部气压环境可分为负压区域和常压区域。负压区域内主要由运转室、暂存室和进出室组成。其中暂存室和进出室数量与相连的反应室数量保持一致。设置适应腔室组成的排气系统使负压区域腔室分别与各自排气管路相连，每个腔室均可单独抽至负压状态且保持压力稳定。压力稳定。压力稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种转运装置排气系统


[0001]本技术涉及半导体材料生产设备
，特别是涉及一种转运装置排气系统。

技术介绍

[0002]公开号为CN115747956A的专利文献中，公开了一种应用于立式成膜设备的热场，涉及半导体生产设备
，包括进气室、反应室和基座；进气室底部设有反应室，且进气室与反应室相连通；基座位于反应室内下部，且基座位于进气室正下方；基座顶部用于承托晶片；基座内设有基座热场，基座热场用于对晶片加热；反应室底部设置有排气口；反应室内设置有套筒，套筒与反应室的侧壁之间设置有上部热场。通过上部热场对原料气体进行加热，通过基座热场对晶片的外圈和内圈进行加热，配合辐射温度计和温度控制模块，使晶片表面温度差处于合理范围内，避免由于内外圈温差使晶片发生形变甚至可能导致晶片破损影响成膜质量，并且，能够缩短晶片装载恢复至反应温度所需时间，以提高生产效率。工艺冷却段通入氩气置换腔体内部的氢气，置换完成后保持工艺压强氩气气氛加快冷却速率。
[0003]因此，亟需一种转运装置排气系统，提前调整搬运装置内部气压与反应室一致以降低两个腔室间气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转运装置排气系统，其特征在于，包括运转室和装载室；所述运转室的一侧与立式成膜装置的反应室的一侧之间设置有第一阀门；所述运转室的另一侧与所述装载室的一侧之间设置有第二阀门；所述运转室内设置有第一搬运机构，所述第一搬运机构用于所述反应室和所述装载室之间的物品搬运；还包括进气组件和排气组件；所述进气组件用于向所述运转室和所述装载室内供气；所述排气组件用于所述运转室和所述装载室的抽真空。2.根据权利要求1所述的转运装置排气系统，其特征在于，所述运转室的一侧还设置有暂存室，所述暂存室与所述运转室之间设置有第三阀门。3.根据权利要求2所述的转运装置排气系统，其特征在于，所述暂存室与所述进气组件和所述排气组件均连通，所述进气组件用于向所述暂存室内供气；所述排气组件用于所述暂存室的抽真空。4.根据权利要求1所述的转运装置排气系统，其特征在于，所述进气组件包括气源、进气控制阀和流量计；所述进气控制阀的一端与所述气源...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：