半桥驱动器的电流检测电路及半桥驱动装置制造方法及图纸

本申请涉及一种半桥驱动器的电流检测电路及半桥驱动装置，通过电流采样检测模块采集半桥驱动器的输出电压，然后根据镜像模块镜像得到目标电流，最后对镜像模块的镜像电流进行镜像输出，该方式通过采集并根据半桥驱动器的输出电压镜像并输出目标电流，无需采用高精度电阻进行电流至采样电压的转换，检测要求低。检测要求低。检测要求低。

【技术实现步骤摘要】
半桥驱动器的电流检测电路及半桥驱动装置


[0001]本申请涉及电流检测
，特别是涉及一种半桥驱动器的电流检测电路及半桥驱动装置。

技术介绍

[0002]半桥驱动器包括串联的上管QH、下管QL以及分别用于驱动上管QH和下管QL的驱动器DH和驱动器DL，驱动器DH和驱动器DL分别在驱动信号VC1和VC2的指示下驱动上下管，如图1所示，其中上管QH的漏极用于接收参考电压VCC，下管QL的源极与地端连接，上管QH的源极与下管QL的漏极共连接以作为半桥驱动器的输出端，从而驱动外部负载。
[0003]待测电流存在于半桥驱动器的导电回路中，难以进行直接检测，因此，通常需要在下管QL的源极与地端之间设置采样电阻，以使得采样电阻与上管DH的源极连接的一端产生可用于表征待测电流的电流采样电压，然而为实现待测电流的精准检测，要求采样电阻具备较高的精度，检测要求较高，片内难以集成。

技术实现思路

[0004]本申请涉及一种检测要求较低的半桥驱动器的电流检测电路及半桥驱动装置，无需设置高精度的采样电阻即可实现半桥驱动器电流的精准检测。
[0005]一种半桥驱动器的电流检测电路，包括：电流采样检测模块，与所述半桥驱动器的输出端连接；镜像模块，与所述电流采样检测模块连接；所述电流采样检测模块用于：采集所述半桥驱动器的输出电压，并根据所述输出电压控制所述镜像模块镜像得到目标电流，其中，所述目标电流的电流值与所述半桥驱动器的待测电流的电流值一一对应；镜像并输出所述目标电流。
[0006]在一个实施例中，所述输出电压包括所述半桥驱动器下管导通时输出的第一电压；所述目标电流包括第一电流；所述电流采样检测模块包括第一采样检测单元，与所述半桥驱动器的输出端连接；所述镜像模块包括晶体管Q1，所述晶体管Q1的栅极用于接收第一导通电压，所述晶体管Q1的漏极与所述第一采样检测单元连接，所述晶体管Q1的源极与地端连接；所述第一采样检测单元用于：采集所述第一电压，并根据所述第一电压控制所述晶体管Q1的漏极电压维持为第一目标电压，以使所述晶体管Q1镜像得到所述第一电流，其中所述第一目标电压与所述第一电流一一对应；镜像所述第一电流并进行输出。
[0007]在一个实施例中，所述第一采样检测单元包括第一开关、第一电流源I
A
、第二电流源I
B
、第一补偿电流源Io1、第一运算放大器、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4，其中第一运算放大器包括晶体管Q5和晶体管Q6；所述第一开关的第一端与所述半桥驱动器的输出端连接；所述第一电流源I
A
的正极、所述第二电流源I
B
的正极、所述晶体管Q3的源极和所述晶体管Q4的源极共连接，用于接收电源电压VDD；所述第一电流源I
A
的负极、所述晶体管Q5的漏极和栅极以及所述晶体管Q6的栅极共连接；所述晶体管Q5的源极与所述晶体管Q2的源极共连接，并与所述晶体管Q1的漏极连接；所述第二电流源I
B
的负极、所述晶体管Q6的漏极和所述晶体管Q2的栅极共连接；所述晶体管Q6的源极与所述第一开关的第二端连接；所述晶体管Q3的栅极和漏极、所述晶体管Q4的栅极、所述晶体管Q2的漏极和所述第一补偿电流源Io1的正极共连接；所述第一补偿电流源Io1与所述地端连接；所述第一补偿电流源Io1的电流与流过所述晶体管Q6的电流相等；所述第一电流源I
A
和所述第二电流源I
B
的电流相等；所述晶体管Q4用于镜像输出所述流过所述晶体管Q3的电流。
[0008]在一个实施例中，所述第一电流的电流值与所述待测电流的电流值呈第一预设比例。
[0009]在一个实施例中，所述晶体管Q1的栅极与所述半桥驱动器的下管的栅极共连接，用于共同接收驱动器DL输出的栅极导通电压，作为所述第一导通电压；所述晶体管Q1的宽长比与所述半桥驱动器的下管的宽长比呈所述第一预设比例。
[0010]在一个实施例中，所述输出电压包括所述半桥驱动器上管导通时输出的第二电压；所述目标电流包括第二电流；所述电流采样检测模块包括第二采样检测单元，与所述半桥驱动器的输出端连接；所述镜像模块包括晶体管M1，所述晶体管M1的栅极用于接收第二导通电压，所述晶体管M1的漏极与所述上管的漏极共连接，用于接收参考电压VCC，所述晶体管M1的源极与所述第二采样检测单元连接；所述第二采样检测单元用于：采集所述第二电压，并根据所述第二电压控制所述晶体管M1的源极电压维持为第二目标电压，以使所述晶体管M1镜像得到所述第二电流，其中所述第二目标电压与所述第二电流一一对应；镜像所述第二电流并进行输出。
[0011]在一个实施例中，所述第二采样检测单元包括第二开关、第三电流源I
C
、第二补偿电流源Io2、第四电流源I
D
、第二运算放大器、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4，其中第二运算放大器包括晶体管M5和晶体管M6；所述第二开关的第一端与所述半桥驱动器的输出端连接；所述第三电流源的负极、所述第四电流源的负极、所述晶体管M3的源极和所述晶体管M4的源极分别与地端连接；所述第三电流源的正极、所述晶体管M5的漏极和栅极、所述晶体管M6的栅极共连接；所述晶体管M5的源极与所述第二开关的第二端连接；所述第四电流源I
D
的正极、所述晶体管M6的漏极和所述晶体管M2的栅极共连接；所述晶体管M6的源极、所述晶体管M2的源极共连接，并与所述晶体管M1的源极连接；所述晶体管M3的栅极和漏极、所述晶体管M4的栅极、所述晶体
管M2的漏极和所述第二补偿电流源Io2的负极共连接；所述第二补偿电流源Io2的正极用于接收所述参考电压VCC；所述第二补偿电流源Io2的电流与流过所述晶体管M5的电流相等；所述第三电流源I
C
和所述第四电流源I
D
的电流相等；所述晶体管M4用于镜像输出流过所述晶体管M3的电流。
[0012]在一个实施例中，所述第二电流的电流值与所述待测电流的电流值呈第二预设比例。
[0013]在一个实施例中，所述晶体管M1的栅极与所述半桥驱动器的上管的栅极共连接，用于共同接收驱动器DH输出的栅极导通电压，作为所述第二导通电压；所述晶体管M1的宽长比与所述半桥驱动器的上管的宽长比呈所述第二预设比例。
[0014]一种半桥驱动装置，包括：半桥驱动器；以及上述任一实施例所述的半桥驱动器的电流检测电路。
[0015]上述半桥驱动器的电流检测电路，通过电流采样检测模块采集半桥驱动器的输出电压，然后根据镜像模块镜像得到目标电流，最后对镜像模块的镜像电流进行镜像输出，该方式通过采集并根据半桥驱动器的输出电压镜像并输出目标电流，无需采用高精度电阻进行电流至采样电压的转换，检测要求低。
附图说明
[0016]图1为一实施例的半桥驱动器的电路结构图；图2为本申请一实施例的半桥驱动器的电流检测电路；图3为本申请另一实施例的半桥驱动器的电流检测电路；图4为本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半桥驱动器的电流检测电路，其特征在于，包括：电流采样检测模块，与所述半桥驱动器的输出端连接；镜像模块，与所述电流采样检测模块连接；所述电流采样检测模块用于：采集所述半桥驱动器的输出电压，并根据所述输出电压控制所述镜像模块镜像得到目标电流，其中，所述目标电流的电流值与所述半桥驱动器的待测电流的电流值一一对应；镜像并输出所述目标电流。2.根据权利要求1所述的半桥驱动器的电流检测电路，其特征在于，所述输出电压包括所述半桥驱动器下管导通时输出的第一电压；所述目标电流包括第一电流；所述电流采样检测模块包括第一采样检测单元，与所述半桥驱动器的输出端连接；所述镜像模块包括晶体管Q1，所述晶体管Q1的栅极用于接收第一导通电压，所述晶体管Q1的漏极与所述第一采样检测单元连接，所述晶体管Q1的源极与地端连接；所述第一采样检测单元用于：采集所述第一电压，并根据所述第一电压控制所述晶体管Q1的漏极电压维持为第一目标电压，以使所述晶体管Q1镜像得到所述第一电流，其中所述第一目标电压与所述第一电流一一对应；镜像所述第一电流并进行输出。3.根据权利要求2所述的半桥驱动器的电流检测电路，其特征在于，所述第一采样检测单元包括第一开关、第一电流源I
A
、第二电流源I
B
、第一补偿电流源Io1、第一运算放大器、晶体管Q2、晶体管Q3和晶体管Q4，其中第一运算放大器包括晶体管Q5和晶体管Q6；所述第一开关的第一端与所述半桥驱动器的输出端连接；所述第一电流源I
A
的正极、所述第二电流源I
B
的正极、所述晶体管Q3的源极和所述晶体管Q4的源极共连接，用于接收电源电压VDD；所述第一电流源I
A
的负极、所述晶体管Q5的漏极和栅极以及所述晶体管Q6的栅极共连接；所述晶体管Q5的源极与所述晶体管Q2的源极共连接，并与所述晶体管Q1的漏极连接；所述第二电流源I
B
的负极、所述晶体管Q6的漏极和所述晶体管Q2的栅极共连接；所述晶体管Q6的源极与所述第一开关的第二端连接；所述晶体管Q3的栅极和漏极、所述晶体管Q4的栅极、所述晶体管Q2的漏极和所述第一补偿电流源Io1的正极共连接；所述第一补偿电流源Io1与所述地端连接；所述第一补偿电流源Io1的电流与流过所述晶体管Q6的电流相等；所述第一电流源I
A
和所述第二电流源I
B
的电流相等；所述晶体管Q4用于镜像输出所述流过所述晶体管Q3的电流。4.根据权利要求2所述的半桥驱动器的电流检测电路，其特征在于，所述第一电流的电流值与所述待测电流的电流值呈第一预设比例。5.根据权利要求4所述的半桥驱动器的电流检测电路，其特征在于，所述晶体管Q1的栅极与所述半桥驱动器的下管的栅极共连接，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳数马电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：