【技术实现步骤摘要】
基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法
[0001]本专利技术属于微纳制备
,具体涉及一种基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法。
技术介绍
[0002]Micro
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LED显示因为具有高发光效率、高亮度、响应时间短和可靠性高等优良性能,被誉为继LCD和OLED之后的下一代显示技术。一般认为像素尺寸在50~200微米的LED被称为Mini
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LED,Micro
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LED的阵列像素尺寸在1~50微米,随着芯片尺寸的减小,通过外延生长技术很难将Micro
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LED阵列与驱动器件集成起来。为了实现大面积全彩的显示,人们使用巨量转移技术来转移数百万数量的芯片,但是高昂的转移成本和维护成本以及转移过程中的许多技术难点,影响了转移的良率、拾取、放置的速率和精度,这些都是限制巨量转移技术进一步应用的瓶颈。采用蓝光Micro
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LED作为激发光源及量子点色转换层实现全彩色显示,可以大大降低工艺成本和技术难度,是一种有效的技术路线。
[0003 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法,其特征在于,包括多个像素单元的制备,每个像素单元的制备步骤如下:S1、在基底的上表面旋涂或喷涂黑色光刻胶,固化;S2、用飞秒激光在固化后的黑色光刻胶的上表面加工第一阵列凹槽,清洁后,使用量子点胶液填充清洁后的第一阵列凹槽,将黑色光刻胶上表面抛光,除去黑色光刻胶上表面的量子点胶液,固化第一阵列凹槽内的量子点胶液;S3、以此类推,直到用飞秒激光在固化后的黑色光刻胶的上表面加工第N阵列凹槽,清洁后,使用量子点胶液填充清洁后的第N阵列凹槽,将黑色光刻胶上表面抛光,除去黑色光刻胶上表面的量子点胶液,固化第N阵列凹槽内的量子点胶液,得到基于飞秒激光的多色量子点阵列;所述N≥1。2.根据权利要求1所述的基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法,其特征在于,所述N≥2,第一阵列凹槽至第N阵列凹槽中,至少有一个填充量子点胶液,有一个或多个不填充量子点胶液。3.根据权利要求1所述的基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法,其特征在于,所述N为1~5。4.根据权利要求1所述的基于飞秒激光的多色量子点阵列制备方法,其特征在于,所述N为3,每个像素单元的制备步骤如下:S1、在基底的上表面旋涂黑色光刻胶,固化;S2、用飞秒激光在固化后的黑色光刻胶的上表面加工第一阵列凹槽,清洁后,使用第一量子点胶液填充清洁后的第一阵列凹槽,将黑色光刻胶的上表面抛光,除去黑色光刻胶上表面的第一量子点胶液,固化第一阵列凹槽内的第一量子点胶液;S3、用飞秒激光在固化后的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶金,孟德佳,马青,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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