一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明专利技术的氮化镓基红光外延片结构，包括：衬底；生长在所述衬底上的InGaN过渡层，所述InGaN过渡层包含第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层；以及，生长在所述InGaN过渡层上的m层量子阱发光层，m≥1；所述量子阱发光层包括层叠设置的量子阱层和量子垒层，量子阱层与InGaN过渡层接触，且量子阱层中设有InN插入层。本发明专利技术的氮化镓基红光外延片结构，在量子阱发光层中插入InN插入层，使In扩散到InGaN量子阱中，实现了长发光波长的InGaN基红光LED的制备，可以更好的使将电子与空穴在量子阱发光层中复合，提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法。

技术介绍

1、iii-v族氮化物半导体由于可以制备红、绿、蓝三原色的led，具有易于实现白光芯片集成化的优势，是制备led器件的最佳材料，目前已经得到了广泛的发展以及应用。

2、氮化物半导体是实现全彩micro-led制备的绝佳材料，ingan基led由于具有可以通过调in原子的组分来调节带隙从而实现rgb三原色发光的特点而非常适合于micro-led芯片的制备。随着in组分的增加，高in组分的长波长led的eqe明显降低，因此获得发光效率高的高in组分的长波长led是实现高效白光照明和micro-led显示中十分关键的一环。

3、但是，由于in原子较大且in原子在高温下容易析出，因此获得高质量的ingan材料极为困难。其次，由于红光led中in组分的增加，ingan材料的晶格常数也不断增加，导致了量子阱发光层中ingan和gan晶格失配和热失配增大，这种大的晶格失配与热失配会使异质外延过程中位错密度急剧增大。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.氮化镓基红光外延片结构，包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.氮化镓基红光外延片结构，包括：

2.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的氮化镓基红光外延片结构，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：张山丽，孙晓娟，蒋科，黎大兵，贲建伟，吕顺鹏，贾玉萍，孙蕊，刘明睿，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：

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