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本发明涉及一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的氮化镓基红光外延片结构，包括：衬底；生长在所述衬底上的InGaN过渡层，所述InGaN过渡层包含第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层；以及，生长在所述InGaN过渡...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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