一种LED芯片制备方法及LED芯片技术

本发明专利技术提供一种LED芯片制备方法，所述方法包括：提供一制作好电极的半成品LED芯片；在所述半成品LED芯片的表面沉积钝化层，并对所述钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述钝化层表面得到PSV图形；对带有所述PSV图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出N型和P型焊盘的钝化层图形。本发明专利技术解决了现有技术中的LED芯片在通电过程当中容易短路的问题。通电过程当中容易短路的问题。通电过程当中容易短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及RGB芯片
，特别涉及一种LED芯片制备方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]随着RGB小尺寸芯片在市场需求量日益增多，因尺寸，图形，以及封装的局限性，产品后续使用出现的金属迁移的问题也成为了当前急需解决的问题之一。
[0003]从理论知识上来说，金属迁移是指金属表面经过电化学迁移的表现为阳极晶枝生长，溶液中生成金属氧化物和氢氧化物是阳极晶枝生长，而电化学迁移是相邻电极在潮湿和直流偏压下，部分电极金属发生溶解进入介质，然后迁移到另一极。在此过程中，通常发生电化学沉积生成导电性的晶枝结构，最终导致两电极发生短路现象。
[0004]因此，现有技术中的RGB产品在通电过程中，容易因为水汽的浸入形成电化学，导致金属迁移，进而导致电极容易发生短路的问题。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，旨在解决现有技术中的LED芯片在通电过程当中容易短路的问题。
[0006]本专利技术实施例是这样实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括；提供一制作好电极的半成品LED芯片；在所述半成品LED芯片的表面沉积钝化层，并对所述钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述钝化层表面得到PSV图形；对带有所述PSV图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出N型和P型焊盘的钝化层图形。2.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为单层膜层。3.根据权利要求2所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为疏水性膜层。4.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为多层膜层，所述钝化层包括膜层底层以及层叠在所述膜层底层的膜层顶层。5.根据权利要求4所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述膜层底层为亲水性膜层，所述膜层顶层为疏水性膜层。6.根据权利要求1~5中任一项所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为SiO2、SiN
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以及Al2O3的任意一种。7.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述对带有所述PSV图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出N型和P型焊盘的钝化层图形的步骤之后还包括：对所述半成品LED芯片进行研磨，以将所述半成品LED芯片研磨至预设的芯片厚度；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李美玲，张雪，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：