布线基板制造技术

本公开所涉及的布线基板包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的布线导体。布线导体包括：第一基底金属层；第二基底金属层，位于第一基底金属层上；布线金属层，位于第二基底金属层上；锡层，配置为覆盖第一基底金属层、第二基底金属层及布线金属层；以及硅烷偶联剂层，配置为覆盖锡层。在沿宽度方向剖视布线导体的情况下，布线金属层从第一基底金属层侧起包括比第一基底金属层的宽度窄的部分、与第一基底金属层的宽度相同的部分、以及比第一基底金属层的宽度宽的部分。的宽度宽的部分。的宽度宽的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】布线基板


[0001]本专利技术涉及布线基板。

技术介绍

[0002]近年来，伴随着电子设备的小型化等，在布线基板上形成的布线图案以高密度形成有微细的布线。例如，如专利文献1所记载的布线基板那样，若高密度地形成微细的布线，则考虑到迁移(短路)的减少，布线图案与绝缘层的接触面积变窄。其结果，布线图案与绝缘层的密接性降低，布线基板的可靠性降低。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平6
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152101号公报

技术实现思路

[0006]本公开所涉及的布线基板包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的布线导体。布线导体包括：第一基底金属层；第二基底金属层，位于第一基底金属层上；布线金属层，位于第二基底金属层上；锡层，配置为覆盖第一基底金属层、第二基底金属层及布线金属层；以及硅烷偶联剂层，配置为覆盖锡层。在沿宽度方向剖视布线导体的情况下，布线金属层从第一基底金属层侧起包括比第一基底金属层的宽度窄的部分、与第一基底金属层的宽度相同的部分以及比第一基底金属层的宽度宽的部分。
附图说明
[0007]图1是表示本公开的一实施方式所涉及的布线基板的剖面的示意图。
[0008]图2的(A)是用于说明图1所示的区域X的放大说明图，(B)是用于说明(A)所示的区域Y的放大说明图。
具体实施方式
[0009]如专利文献1所记载的以往的布线基板，如上所述，若高密度地形成微细的布线，则考虑到迁移(短路)的减少，布线图案与绝缘层的接触面积变窄。其结果，布线图案与绝缘层的密接性降低，布线基板的可靠性降低。因此，谋求减少微细布线间的迁移(短路)而绝缘性优异、布线导体与绝缘树脂层的密接强度高的布线基板。
[0010]如上所述，本公开所涉及的布线基板在沿宽度方向剖视布线导体的情况下，布线金属层从第一基底金属层侧起包括比第一基底金属层的宽度窄的部分、与第一基底金属层的宽度相同的部分、以及比第一基底金属层的宽度宽的部分。因此，根据本公开，能够提供减少微细布线间的迁移(短路)而绝缘性优异、布线导体与绝缘树脂层的密接强度高的布线基板。
[0011]基于图1以及图2对本公开的一实施方式所涉及的布线基板进行说明。图1是表示
本公开的一实施方式所涉及的布线基板1的剖面的示意图。一个实施方式所涉及的布线基板1包括多个绝缘树脂层2和位于绝缘树脂层2上的导体层4。
[0012]绝缘树脂层2例如由环氧树脂、双马来酰亚胺
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三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、液晶聚合物等树脂形成。这些树脂可以单独使用，也可以同时采用2种以上。绝缘树脂层2中也可以分散有绝缘粒子。绝缘粒子没有限定，例如可举出二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、粘土、玻璃、碳酸钙、氧化钛等无机绝缘性填料。
[0013]在一个实施方式所涉及的布线基板1中，多个绝缘树脂层2中的1层为纤芯层21，剩余的绝缘树脂层2为增层22。纤芯层21具有例如0.04mm以上且3.0mm以下的厚度。
[0014]纤芯层21具有用于将纤芯层21的上下表面的导体层4电连接的通孔导体3。通孔导体3位于贯通纤芯层21的上下表面的通孔内。通孔导体3例如由铜镀层等金属镀层构成的导体形成。通孔导体3与纤芯层21的两面的导体层4连接。通孔导体3可以仅形成于通孔的内壁面，也可以填充于通孔内。
[0015]增层22具有例如5μm以上且100μm以下的厚度。增层22可以是相同的树脂，也可以是分别不同的树脂。
[0016]导体层4位于绝缘树脂层2的主面、即纤芯层21的主面以及增层22的主面。导体层4由铜等导体、例如铜箔、铜镀层形成。导体层4的厚度没有特别限定，例如为2μm以上且50μm以下。在存在多个导体层4的情况下，导体层4可以是相同的导体，也可以是分别不同的导体。
[0017]增层22具有用于将隔着增层22位于上下的导体层4彼此电连接的过孔导体5。过孔导体5通过使例如铜镀层等析出于贯通增层22的上下表面的过孔而得到。贯通增层22的上下表面的过孔例如通过CO2激光器、UV
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YAG激光器、准分子激光器等那样的激光加工而形成。过孔导体5可以在填充过孔内的状态下配置，过孔导体5也可以覆盖于过孔内表面，并且在没有过孔导体5的部分填充树脂。
[0018]导体层4的一部分作为布线导体41发挥功能。如图2的(A)所示，布线导体41包括：第一基底金属层41a；第二基底金属层41b，位于第一基底金属层41a上；布线金属层41c，位于第二基底金属层41b上；锡层41d，配置为覆盖第一基底金属层41a、第二基底金属层41b及布线金属层41c；以及硅烷偶联剂层41e，配置为覆盖锡层41d。图2的(A)是用于说明图1所示的区域X的放大说明图。
[0019]第一基底金属层41a是成为布线导体41的基座的部分，位于与绝缘树脂层2接触的位置。第一基底金属层41a例如只要由金属形成就没有限定。作为形成第一基底金属层41a的金属，例如可举出选自包含第4族元素、第5族元素、第6族元素以及第10族元素的群中的至少1种金属。作为这样的金属，具体而言，可举出镍、铬、钛、钽、钼、钨、钯、或者包括这些金属的合金。作为合金，例如可举出镍铬合金等。基底金属层41a例如具有1nm以上且100nm以下的厚度。
[0020]第二基底金属层41b位于第一基底金属层41a上。若存在第二基底金属层41b，则后述的布线金属层41c的粘接性进一步提高。具体而言，同布线金属层41c与第一基底金属层41a直接接触的情况相比，隔着第二基底金属层41b，难以产生布线金属层41c的剥离。第二基底金属层41b包括与布线金属层41c所包括的金属相同的金属，例如若布线金属层41由铜形成，则第二基底金属层41b由铜或者铜的合金形成。第二基底金属层41b例如具有100nm以
上1000nm以下的厚度。
[0021]布线金属层41c是成为布线导体41的主体的层，位于第二基底金属层41b上。即，在布线导体41中，电荷以布线金属层41c为中心流动。布线金属层41c例如由铜形成，具有例如1μm以上且60μm以下的厚度。第二基底金属层41b的宽度比第一基底金属层41a的宽度窄。
[0022]如图2的(B)所示，布线金属层41c在沿宽度方向剖视布线导体41的情况下，从第一基底金属层41a侧起包括比第一基底金属层41a的宽度窄的部分41c1、与第一基底金属层41a的宽度相同的部分41c2、以及比第一基底金属层41a的宽度宽的部分41c3。布线导体41的宽度方向例如在如图1所示那样排列有多个布线导体41的情况下，是指其排列方向。比第一基底金属层41a的宽度窄的部分41c1比第一基底金属层41a的宽度小大约超过300nm且1000nm以下左右。与第一基底金属层41a的宽度相同的部分41c2不需要具有与第一基底金属层41a完全相同的宽度，只要是收敛于第一基底金属层41a的宽度
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300μm的范围内的宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种布线基板，包括：绝缘树脂层；以及布线导体，位于该绝缘树脂层上，该布线导体包括：第一基底金属层；第二基底金属层，位于该第一基底金属层上；布线金属层，位于该第二基底金属层上；锡层，配置为覆盖所述第一基底金属层、所述第二基底金属层及所述布线金属层；以及硅烷偶联剂层，配置为覆盖该锡层，在沿宽度方向剖视所述布线导体的情况下，所述布线金属层从所述第一基底金属层侧起包括比所述第一基底金属层的宽度窄的部分、与所述第一基底金属层的宽度相同的部分、以及比所述第一基底金属层的宽度宽的部分。2.根据权利要求1所述的布线基板，其中，在所述布线导体的高度方向上，比...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤川英敏，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：