基于可控负载电容的时间域比较器制造技术

基于可控负载电容的时间域比较器（Ｓｈｕｎｔ　Ｃａｐａｃｉｔｏｒ　Ｂａｓｅｄ　Ｔｉｍｅ－ｍｏｄｅ　Ｃｏｍｐａｒａｔｏｒ（ＳＣＴＭＣ），属于数据转换器技术领域，其特征在于，该比较器由可控负载电容电压控制延迟的电压时间转换电路和数据触发器的时间－数字转换电路依次串连组成；由于采用电容负载可控的电压控制延迟电路代替传统的电压－时间转换电路，因而能在３８ＭＨｚ的速度下分辨出低于１０ｕＶ的输入电压差，同时本发明专利技术没有采用任何电阻器件因而面积小，功耗低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于可控负载电容的时间域比较器，其特征在于，含有一个可控负载电容的电压－时间转换电路、一个Ｄ触发器、以及两个负载电容，其中：　所述可控负载电容的电压－时间转换电路，含有八个ＮＭＯＳ管和十个ＰＭＯＳ管，其中：　在所述八个ＮＭＯＳ管 仲，第一ＮＭＯＳ管至第八ＮＭＯＳ管依次标志为（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４，Ｎ５，Ｎ６，Ｎ７，Ｎ８）；　在所述十个ＰＭＯＳ管中，第一ＰＭＯＳ管至第十ＰＭＯＳ管依次标志为（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１０）；　 　在所述第一ＮＭＯＳ管（Ｎ１），第二ＮＭＯＳ管（Ｎ２），第五ＮＭＯＳ管（Ｎ５），第六ＮＭＯＳ管（Ｎ６），第七ＮＭＯＳ管（Ｎ７）、第八ＮＭＯＳＮ８管（Ｎ８），这六个ＮＭＯＳ管的源极共地，　在所述两个负载电容中，第一负载电容（Ｃ１）的和第 二负载电容（Ｃ２）的下极板共地，　在所述十个ＰＭＯＳ管中，第一ＰＭＯＳ管（Ｐ１），第三ＰＭＯＳ管（Ｐ３），第五ＰＭＯＳ管（Ｐ５），第九ＰＭＯＳ管（Ｐ９），第二ＰＭＯＳ管（Ｐ２），第四ＰＭＯＳ管（Ｐ４），第六ＰＭＯＳ管（Ｐ６），以及第十 ＰＭＯＳ管（Ｐ１０）这八个ＰＭＯＳ管的源极共同接电源Ｖ↓［ＤＤ］，　所述第三ＮＯＳ管（Ｎ３）的栅极接输入电压（ＶＩＮ），　所述第四ＮＯＳ管（Ｎ４）的栅极接参考电压（ＶＲＥＦ），　所述第一ＰＭＯＳ管（Ｐ１）、第三ＰＭＯＳ管（ Ｐ３）、第二ＰＭＯＳ管（Ｐ２）、第四ＰＭＯＳ管（Ｐ４）、第七ＰＭＯＳ管（Ｐ７）、第八ＰＭＯＳ管（Ｐ８）这六个ＰＭＯＳ管的栅极、以及所述第一ＮＭＯＳ管（Ｎ１），第二ＮＭＯＳ管（Ｎ２）这八个ＭＯＳ管的栅极接时钟信号（ＣＬＫ），　所述第一负 载电容（Ｃ１）的上极板同时和所述第三ＰＭＯＳ管（Ｐ３）的漏极、第三ＮＭＯＳ管（Ｎ３）的漏极、以及第五ＰＭＯＳ管（Ｐ５）的栅极相连，　所述第二负载电容器（Ｃ２）的上极板同时和第四ＰＭＯＳ管（Ｐ４）的漏极、第四ＮＭＯＳ管（Ｎ４）的漏极、以 及第六ＰＭＯＳ管的栅极相连，　所述第一ＮＭＯＳ管（Ｎ１）的漏极、第三ＮＭＯＳ管（Ｎ３）的源极、以及第五ＮＭＯＳ管（Ｎ５）的栅板互连，　所述第五ＰＭＯＳ管（Ｐ５）的漏极、第五ＮＭＯＳ管（Ｎ５）的漏极、第九ＰＭＯＳ管（Ｐ９）的栅板， 以及第七ＮＭＯＳ管（Ｎ７）的栅极互连，　所述第二ＮＭＯＳ管（Ｎ２）的漏极、第四ＮＭＯＳ管（Ｎ４）的源板、以及第六ＮＭＯＳ管（Ｎ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：克兵格赛客帝玻梅，杨华中，汪蕙，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]