【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种直流稳压电源，尤其是涉及一种电容储能型可控硅开关电源，主要应用于电子、仪器及仪表等
技术介绍
目前开关直流稳压电源中所用功率器件多是三极晶体管或双极型晶体管或场效应晶体管。其存在功率器件本身功率损耗大、一般情况下还需要比较复杂的控制电路、同功率的情况下价格高、单个器件功率比较小，为提高脉冲变压器的功率转换效率和减小脉冲变压器的体积，需要工作于较高频率状态，这又导致了整流滤波电路功率损失加大等缺点。现有可控硅开关电源也存在电路结构相对复杂等缺点。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，提供一种节能、小型超薄化，以可控硅为功率器件，工作在工频状态的直流稳压电源，即电容储能型可控硅开关电源。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案电容储能型可控硅开关电源，它包括电容充电及可控硅触发电路，功率脉冲发生电路，整流滤波稳压电路。上述电容充电及可控硅触发电路将市电的一个周期分解为上半周和下半周，上半周用于对储能电容充电，下半周用于触发可控硅，或者相反下半周用于对电容充电，上半周用于触发可控硅。所述功率脉冲发生电路，它接收来自电容充电及可控硅触...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.电容储能型可控硅开关电源，它包括电容充电及可控硅触发电路，功率脉冲发生电路，整流滤波稳压电路，其特征在于所述电容充电及可控硅触发电路将市电的一个周期分解为上半周和下半周，上半周用于对储能电容充电，下半周用于触发可控硅，或者相反下半周用于对电容充电，上半周用于触发可控硅。所述功率脉冲发生电路，它接收来自电容充电及可控硅触发电路的可控硅触发信号，在下半周当可控硅的控制极接收到触发信号时，可控硅由截止状态转为导通状态，储能电容通过可控硅及脉冲变压器的初级线圈回到储能电容构成的回路迅速放电，在脉冲变压器的次级产生脉冲输出。所述稳压电路将脉冲变压器次级输出的脉冲电压进行整流、滤波和稳压。2.根据权利要求I所述的电容储能型可控硅开关电源，其特征在于电容充电及可控硅触发电路是由二极管整流桥将输出正极的两支分开，一支用于对储能电容充电，另一支用于触发可控娃。3.根据权利要求I所述的电容储能型可控硅开关电源，其特征在于所述功率脉冲发生电路中的可控硅跨接在充电电路的正负极之间，正极与正极连接，负极与负极连接。4.根据权利要求I所述的电容储能型可控硅开关电源，其特征在于所述功率脉冲发生电路储能电容与脉冲变压器初级线圈串联后再与可控硅并联，可控硅正极接电容端，可控娃负极与初级...
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