【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工
，特别涉及一种气体输入装置和半导体加工设备。
技术介绍
集成电路、太阳能电池的制造过程中，通常需要使用半导体加工设备对单晶硅等 半导体晶片进行薄膜沉积、刻蚀等加工工艺。而在半导体加工设备中，气体输入装置通常是 为半导体晶片的加工提供所需的工艺气体，也可以在特定情况下或设备维护时提供所需辅 助气体。加工半导体晶片时，气体输入装置向半导体加工设备的反应腔中输入工艺气体， 工艺气体在射频功率的激发下，产生电离而形成等离子体。所述等离子体是由带电的电子 和离子组成，反应腔中的工艺气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形 成大量的活性基团，通过射频电源的电磁场能量耦合，将工艺气体激发成等离子态，从而对 反应腔内的半导体晶片表面进行相应的材料刻蚀或沉积，而刻蚀或沉积反应的生成物及残 余气体脱离半导体晶片表面，并被真空系统抽出反应腔。对于半导体晶片加工来说，整个半导体晶片表面处理的均勻性是加工工艺的一个 极其重要的指标，而与该指标密切相关的是工艺气体进入反应腔后在半导体晶片表面形成 的气流场，该气流场均勻性对加工工艺的结果相当重要...
【技术保护点】
一种气体输入装置，用于向半导体晶片表面输入工艺气体，其特征在于，包括：主进气部，基本朝向所述半导体晶片的中心；补偿环，所述主进气部基本位于所述补偿环的轴线位置；密封环，与所述补偿环密封连接，从而在所述密封环和补偿环之间形成有气流分配腔；所述密封环具有至少两个进气口，所述补偿环具有出气口，所述出气口朝向所述补偿环的轴线方向。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张风港，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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