非易失性存储设备及其操作方法技术

一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储设备及其操作方法
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年2月8日向韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0016332号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。


[0003]本文所描述的本公开的实施例涉及一种非易失性存储设备，并且更具体地，涉及一种用于在表面贴装技术(SMT)处理之前和之后执行不同编程操作以便对SMT处理及其操作方法进行优化的非易失性存储设备及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储设备可以被分类为易失性半导体存储设备或非易失性半导体存储设备。易失性半导体存储设备具有快速的读写速度，但在没有电源的情况下会丢失存储在其中的数据。相反，非易失性半导体存储设备即使在没有电源的情况下也能保持存储在其中的数据。因此，非易失性半导体存储设备用于存储在未通电状态中必须被保持的信息。
[0005]闪存设备是非易失性半导体存储设备的示例。闪存设备具有多种应用，例如，被广泛使用为诸如计算机、移动电话、个人数字助理(PD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。2.根据权利要求1所述的方法，其中，用于初始编程操作和正常编程操作的目标的多个存储单元存储相同数量的比特。3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行初始编程操作包括：执行1步初始编程操作，其中，基于第一初始编程电压和第一初始验证电压对从多个存储单元中选择的存储单元进行编程；以及执行2步初始编程操作，其中，基于第二初始编程电压和第二初始验证电压对所选择的存储单元进行编程以形成第一阈值电压分布。4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行初始编程操作还包括：确定在所选择的存储块中是否存在擦除状态的字线；当擦除状态的字线存在于所选择的存储块中时，在与擦除状态的字线相关联的存储单元中编程哑数据；以及当擦除状态的字线不存在于所选择的存储块中时，完成初始编程操作。5.根据权利要求3所述的方法，其中，1步初始编程操作和2步初始编程操作以增量步进编程(ISPP)技术执行。6.根据权利要求5所述的方法，其中，在1步初始编程操作中施加到所选择的字线的第一初始编程电压的增量大于在2步初始编程操作中施加到所选择的字线的第二初始编程电压的增量。7.根据权利要求5所述的方法，其中，第二初始验证电压中的每一个的幅度大于第一初始验证电压中其对应的一个的幅度。8.一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收读取命令；响应于读取命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，基于第一读取电平集合执行第一读取操作；以及当操作模式为正常模式时，基于第二读取电平集合执行第二读取操作，其中，第一读取电平集合用于读取以SMT模式编程的存储单元的第一阈值电压分布，其中，第二读取电平集合用于读取以正常模式编程的存储单元的第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。9.根据权利要求8所述的方法，其中，第一读取电平集合包括第一读取电压，其中，第二读取电平集合包括第二读取电压，以及其中，第一读取电压中的每一个的幅度与第二读取电压中其对应的一个的幅度不同。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，第二读取电压中的每一个的幅度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙周希，徐贤，张东哲，金完东，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：